磷化镓相关论文
光学整流效应是产生宽带太赫兹波最有效的手段之一，基于光学整流效应产生太赫兹波的方法主要依靠抽运光与非线性晶体之间的相互作用......
<正>众所周知,GaP为宽禁带间接型半导体,是制作绿色发光二极管的主要材料之一;但在生长GaP单晶过程中很难避免杂质Fe的存在,这就使......
日本大阪大学首次在世界上开发了一种SiC基体的薄片发光二极管。与普通的砷化镓半导体或磷化镓半导体
Japan’s Osaka Universit......
5.蓝宝石在高温下的性能蓝宝石是市场上出售的一种最耐用的红外窗口材料。它只限于在中波区工作,在高温(>500℃)时,它在4-5μm区......
以硝酸、盐酸分解 GaP 样品,在 pH6.5及8.0的条件下,以氯仿萃取二乙胺硫代甲酸钠与 Cd~(2+)、Co~(2+)、Mn~(3+)、Fe~(3+)、Pb~(2+)......
引言磷化镓是目前主要采用的绿色发光材料。国外对于汽相外延制取此材料作了不少努力,但目前效率最高的材料是由液相外延形成p-n......
本文提出了测定镓及磷化镓中微量铋的分析方法.在氢氧化钠介质中,铋与PAR的络合物在峰(?)位为-0.65伏(VS.S.C.E)处出现清晰、灵敏......
ANADIGICS日前发布最新版高性能双频CDMA功率放大器(PA)AWC6323,该产品适用于目前全球领先的无线供应商最先进的CDMA手机和数据卡......
采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响,并利用原子......
半导体材料的快速发展及应用使得人类进入了信息时代,信息量的急剧膨胀和信息的快速处理与传递正在经济、科技、军事等领域引起深......
光电化学制氢是利用太阳能的有效方式之一。在各种光电催化活性材料中,Ga P具有合适的能带位置和较小的带隙宽度等优点,是非常有前......
将砷化镓和/或磷化镓等含镓材料连续输送到一个真空分解容器中,在高温下含镓材料就热解成气体砷和/或磷以及液体镓。液体镓存留于......
一、概述 镓是一种稀散金属,主要用于半导体工业,它的化合物有砷化镓、磷化镓、镓砷磷等。80年代以来,随着科学技术的不断发展,镓......
1 发光二极管(LED) 发光二极管是一种能够发光的半导体二极管。其英文名称为Light Emitting Diode,通常缩写为“LED”。制作发光......
本文中,对吸附于纳米磷化镓(GaP)粉体表面的碱性品红拉曼光谱进行了研究。通过将吸附碱性品红与纯碱性品红晶体样品的拉曼光谱进行......
本文描述了制备Hg—n-GaP表面势垒结构的工艺方法。采取真空(2×10~(-4)乇)烘烤(120℃)GaP晶体的方法,消除了样品表面吸附的水分子......
据Electronics 46(3),1973报导,美国RCA公司制出蓝色发光二极管显示器。这种蓝色发光二极管是一种“金属—绝缘体n型(MIN)”器件,......
日本东芝电气公司研制了一种具有p—n—p—n结构的磷化镓发光二极管。生长方法是双液相外延。用拉制的GaP衬底,在石墨舟中进行外......
我们已研究了在强磁场下在GaP中束缚于三种不同P-位置施主中的非直接激子复合所引起的一系列发光线。我们首次区分了这种跃迁类型......
一系列高亮度磷化镓发光二极管可以二种尺寸和三种颜色供应。小尺寸灯为T-1,用TIL212、TIL216和TIL232分别表示琥珀色、红色、和......
通过把Zn扩散到液相处延生长的GaP n—p—n结构上,制成了场致发光磷化镓p—n—p—n开关(dynistors)和可控整流器(闸流晶体管),这种......
介绍掺N磷化镓的二次液相外延工艺。衬底放置在滑块式石墨舟中,以氨作N源、过补偿法制备p—n结。氨以201银催化剂吸附后,用H_2携带......
近几年,关于半导体发光器件的技术已稳固建立。一些分立的器件和简单的数码管已广泛应用于工业和军事上的显示。还正在开展用这种......
磷化镓绿色发光二极管是近代新型的半导体发光显示器件。器件发光效率与掺入等电子陷阱氮的浓度息息相关。本文应用热力学理论算出......
日本日立公司中心实验室研制了一种倒装的发光二极管显示器。由p—n结发出的光从衬底那面透射出来。 据称这种磷化镓发光二极管有......
本文从反应动力学的讨论中得出提高炉产量的三个途径,我们重点研究了增大坩埚的横截面积,以提高晶体的产量。在晶体生长的热力学分......
一、前言 近年来,用作绿色发光管材料的掺氮磷化镓液相外延发展较快,而其衬底多用液封直拉磷化镓单晶。外延层中的位错密度大致与......
一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它......
由于多色发光显示器件的需要,近年来半导体磷化镓绿色发光器件发展迅速,国外普遍采用高压单晶炉拉制体材料,然后在磷化镓体材料衬......
制做Ⅲ—V族合化物广泛采用了汽相生长方法。大多数生长方法包括两个温度过程:(a)在高温区形成挥发性的化合物,(b)在低温梯度区的......
本文叙述了具有S形I-U特性的绿色和红色发光光源,它是一种外延p—n—p—n结构的GaP场致发光二极管。 论述了这类管子的电学场致发......
本文简要地评述磷化镓外延生长技术,指出采用气相掺杂过补偿液相外延技术,适合于制备较高外量子效率的磷化镓绿色发光器件所需的外......
目前,液相外延生长法是制造高质量GaP发光二极管材料的最成功的方法。离心倾斜技术就是以液相外延生长法为基础的。用这种技术产......
发光二极管因其体积小、耗电省,可靠性高(寿命达10~4——10~6小时),响应速度快(10~(-9)——10~(-7)秒)、工作电压低、能与集成电路......
一、前言磷化镓作为Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体,已经在发光二极管上加以应用了。磷化镓是一种间接跃迁型材料,在掺入适当发光中心后能......
用液相外延法可以制备出绿色场致发光磷化镓二极管。在密闭坩埚中装入Ga-GaP熔体,再将它放入垂直炉中。将GaP衬底片插入温度保持在......
文章叙述了GaP绿色发光二极管的材料和器件的制备。对试验所得到的这些材料和器件进行测定与分析表明:用过补偿液相外延方法已能重......
一、前言 很早就有激子受激光发射的报导,激子激光器的研究越来越受到人们的重视,为此,在高激发强度下,研究磷化镓中等电子陷阱束......
不掺杂磷化镓液相外延材料是制备纯绿色(主波长555nm)发光二极管的基础材料,我们用自己设计和建立的微机控制液相外延系统,采用降......
随著无线通信的发展,设备制造商和元器件供应商都越来越注重产品的“体积小、性能好、价格便宜”的特性。砷化镓 HBT(GaAs HBT)技......
