结深相关论文
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备.采用闭管扩散方式,实......
本文对ＰＥＣＶＤ法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究，调查了Ｂ＿２Ｈ＿６／ＳｉＨ＿４比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形......
本文主要论述了在实际工作中应用纵向定位解剖法观察分析样品深层结构的技术研究和实验结果。目的是提高失效分析工作效率和准确性......
在等平面Ｓ工艺基础上，开发了一种ＥＣＬ超高速Ｄ触发器的ＩＣ工艺制作技术，并优化其关键工艺，得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的......
对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方......
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
提高三重扩散结深的途径为弥补一重扩散晶体管的某些不足，人们研制了“三重扩散晶体管”。它是用高浓度磷衬底Ｎ＋代替高阻区Ｎ，以减少硅片......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ Ｃ Ｉ Ｌ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ），它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反......
比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公......
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实......
利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效沟道长度、栅氧厚度、源漏结深、衬底掺杂浓度以及电源电压对深......
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板......
飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk......
应用透表法研究硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管(SBD)比应用EBIC法研究它的p-n结特性,尤其结深时更有明显优势:样品不需要特殊制作;......
龙潭,一个古老而神秘的地方。古时候,这里高山密林以蔽日,猛虎长啸;涓流幽晦结深潭,神龙腾跃。诸葛亮屯兵,石总兵平乱,对日最后一......
一、玻璃钝化复合晶体管的方法 为了提高汽车电子点火装置的可靠性,复合晶体管一般采用单片式结构。我们采用Al-SiO_2膜保护,利用......
双RESURF技术的LDMOS具有高耐压、大电流、导通电阻低的特点,通过开发与BICMOS工艺相兼容的相关工艺技术,可以使超高压开关电源电......
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),......
香港许多青年才俊都有坎坷艰辛的创业经历，这一点．我与他们相同．但与他们不同的是我在浪小的哈候．就有一个多妞．多站自己红够政局一个土......
2010年4月14日的清晨,大地震颤过后,天上的玉树混沌一片,喧嚣中暂时失去了它原本超凡脱俗的淡定和从容,不再是记忆中静谧安详的模......
本文用剥层法、扩展电阻测定法验证了利用开管方式扩散镓,能使元素镓的杂质分布服从典型高斯分布,这一分布应用于晶闸管器件生产中......
感天地,抗美援朝壮事.好儿女,卫国保家,驰骋沙场三千里.步枪加炒米,创出无前战例.上甘岭,松骨峰头,多少英雄血凝碧.而今觅陈迹,有......
本文对太阳电池扩散N+N高低结界面的有效表面复合速度进行了解析研究,取扩散N~+区的杂质分布为高斯分布,给出了有效表面复合速度及......
我是一个热爱生活的人。 凡是我不知晓的,我都希望知晓;凡是我不会做的,我都希望去尝试。我在培养自己的疯癫,因为我觉得企业家......
2008年慈溪市慈中书院创立,我出任首任校长。从学科教师到校长,自然要接受角色的转变。虽然语文情结深萦于怀,一开始我还教两个班......
双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I_2/I_1随入射光波长单调增加。文章基于0.5μm C......
本文着重介绍了硅蓝光电池基本原理及其设计考虑.具体分析了影响硅蓝光电池短波长响应的主要因素,同时提出了改善短波长响应的可行......
n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x_j对光谱响应有重要的影响,尤其是......
随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断地改善。本文以扩散工艺为例,同时在计算机上采用SUPREM-Ⅲ软件进行扩散初......
美国贝尔研究所用该公司研制的 x 射线曝光装置、x 射线用掩模和可用干法显影的新的光致抗蚀剂制成了门延迟时间为40ps 的环型振......
计算了在高反压功率负荷试验的条件下,高反压管3DG400的集电结耗尽层向基区部分扩展的深度。认为在我们的工艺参数下,由于耗尽层的......
在超高频晶体管的制造过程中,为了获得高的截止频率特性,浅的发射极-基极结深和窄的发射极宽度是必要的。为了这一目的,通常采用......
75年周态电路会议上热烈讨论的课题之一是双极型大规模集成逻辑电路。关于I~2L一类的电路发展很快。与此平行发展的另一种双极型L......
本文叙述了注硼基区、注砷发射区双极电路的研制结果。在与常规双极工艺相容的条件下,制作了双注入晶体管(f_T=0.88～1.1GHz)、双注......
一、前言 在调试LC-2机器时,发现所引出的二氟化磷离子流[(PF_2)~+]较磷离子流大好几倍。为提高工作效率,开展了二氟化磷离子掺杂......
NPN工艺中常碰到CE漏电问题,尤其是管道漏电,因为在LSI中元件既多又密,少数的CE结漏电便会使成品率大大降低。例如一个TTL128位存......
当砷相继地扩散入掺镓或掺硼的硅中时,通常观察到 P 型基区层扩散的减慢。这与相继的磷扩散有关连的“发射极推进”效应是相反的。......
我希望确定RAM盘根目录下到底能够容纳多少项,为此,我填满了三张RAM盘。但是每次的结果却各不相同。原因何在?事实上,根目录下能......
在液氮温度下对Hg_(0.64)Cd_(.36)Te外延层注~(11)B时(剂量为10~(15)cm~(-2),能量为250keV)所造成的晶体损伤成功地进行了退火。并......
