PtSi相关论文
金属硅化物的制备方法和工艺条件对硅化物的形成及分布有显著的影响,从而影响其显微结构.本文采用高分辨电镜观察薄膜的界面结构,......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的......
通过使用分子束外延（ＭＢＥ）生长技术在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰（Ｐ＋），可使ＰｔＳｉ肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。而且通过改......
介绍了采用角分辨X 射线光电子解谱 (angleresolvedX rayphotoelectricspectrum(ARXPS) )测试薄膜不同角度光电子能谱强度 ,计算电......
本文对ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为......
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 ＰｔＳｉ／ ｐ-Ｓｉ异质薄膜，采用Ｘ射线光电子讲（ＸＰＳ）测试其芯能级和价电子能谱．结果表明，其相形成由表面到界面为Ｐｔ，Ｐｔ＿２Ｓｉ，ＰｔＳｉ，......
据《Photonics Spectra》1986年11月报导:休斯飞机公司已研制出256×256元的PtSi肖特基势垒混合式IRCCD阵列,阵列焦面集成的探测......
IBM公司最近报导一种增强PtSi形成的新方法,其方法十分简单,在清洁的Si表面淀积一层100(?)厚的Au膜,然后在Au膜上淀积Pt膜,最后构......
本文主要讨论PtSi肖特基势垒红外探测器(SBIRD)研制中,Pt硅化物的形成机理及其特性。着重描述Si材料上溅射沉积Pt膜后,在Ar(N_2)气......
重点介绍PtSi肖脱基势垒红外焦平面光腔的介质生长技术及介质的折射率和介质层厚度对PtSi肖脱基势垒探测器性能的影响,发现适当的......
本工作利用椭偏光谱法研究Pt-Si系统的界面状况,结果指出,未经任何热处理的Pt/n-Si样品的界面上存在着一性质上异于Si衬底和Pt膜的......
本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施.
This paper mai......
设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思......
陶瓷片状磷源扩散至今已有十几年历史。近几年来,我们成功的将其用于线阵、面阵、PtSi-SiSBIRCCD的研制中。 我们选择的典型磷扩......
国内制成高分辨率线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ目前国内线阵位数最多的红外ＣＣＤ探测器──ＧＺ６１５１Ｃ型１０２４位扫描型线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ，于１９９３年９月在电子部４４所研制成功，并顺利地通过了产品......
Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入......
为了改善PtSiIRCCD器件的红外响应特性，需要添加长焦距微透镜阵列进行焦平面集光，本文提出了一种新的方法—曲率补偿法用于长焦距微......
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/P-Si异质薄膜,采用X射线光电子谱(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成......
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。......
PtSi ultra-thin films were grown on Si-wafer using pulsed laser deposition (PLD). The surface structure of thesefilms wa......
期刊
本文介绍国内外金属硅化物肖特基势垒红外焦平面阵列(MSSBIRFPA)的发展现状。概述了PtSi、IrSi、GeSi／SiMSSBIRFPA的研制和开发水平......
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退......
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退......
利用固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ）理论计算了ＰｔＳｉ的价电子结构。并利用Ｘ身线光电子谱（ＸＰＳ）分析了ＰｔＳｉ薄膜中阶电子的能谱。结果表明，Ｐｔ和Ｓｉ化合形成ＰｉＳｉ以后，Ｓｉ和Ｐｔ的......
利用固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ）理论计算了ＰｔＳｉ的价电子结构。并利用Ｘ身线光电子谱（ＸＰＳ）分析了ＰｔＳｉ薄膜中阶电子的能谱。结果表明，Ｐｔ和Ｓｉ化合形成ＰｉＳｉ以后，Ｓｉ和Ｐｔ的......
在Si(111)衬底上淀积55nm金属Pt膜的样品,用能量为300keV的As~+离子注入后热退火,从X射线衍射分析中观察到了PtSi的择优取向生长现......
介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等ＰｔＳｉ薄膜的制备方法以及应用进展。着重介绍了脉冲激光沉积和激光分子束外延......
介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的最新进展,分析了国内研究中存在的问题,并指出了今后的发展方向......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击空电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ，测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击空电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ，测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析......
利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×......
利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×......
PhilipsMRD3710X射线衍射仪由于其灵敏度高、可靠性好、操作方便 ,常常用于薄膜测试分析。采用X射线衍射仪对在 (10 0 )Si表面溅射......
PhilipsMRD3710X射线衍射仪由于其灵敏度高、可靠性好、操作方便 ,常常用于薄膜测试分析。采用X射线衍射仪对在 (10 0 )Si表面溅射......
介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为......
硅化铂红外焦平面探测器具有规模大、均匀性好、响应光谱宽、制造成本低、性能稳定等优点，但也存在着光电转换量子效率低、探测元填......
ＰｔＳｉ肖特基二极管的势垒高度制约ＰｔＳｉ红外探测器的截止波长和是子效率。在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面注入Ｉｎ＾＋、Ｂ＾＋，采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应。用Ａｒ气保护热处理消......
ＰｔＳｉ肖特基二极管的势垒高度制约ＰｔＳｉ红外探测器的截止波长和是子效率。在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面注入Ｉｎ＾＋、Ｂ＾＋，采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应。用Ａｒ气保护热处理消......
介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏......
介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏......
一种3～5μm的红外焦平面凝视热象仪已研制成功。它采用32×64元PtSi肖特基势垒红外CCD焦平面探测器,数字化视频处理器进行固定......
PtSi ultra-thin films were grown on Si-wafer using pulsed laser deposition (PLD). The surface structure of thesefilms wa......
采用PtSi 2 56× 2 56元IRCCD器件对FeI 1.56 μm太阳光谱进行了成功观测。分析认为PtSi 2 56× 2 56元IRCCD器件及像机可......
