AlGaN相关论文
AlGaN是一种直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度随铝组分变化从3.4 e V至6.2 e V连续可调,覆盖200-365nm波段,能够实现日盲紫外光本......
AlGaN基LED芯片是新一代固态光源,具有节能、寿命长、用途广泛、波长从深紫外到蓝光波段连续可调等优势,可用于医疗消毒、工业固化......
随着半导体材料与器件的不断研究与发展,AlGaN基紫外发光二极管（light-emitting diode,LED）应用越来越广泛,在一些新领域也逐渐得到......
为提高紫外激光器的光电性能，降低阈值电流，提出采用Al组分渐变的量子垒层（QBs）以及Al组分渐变的n型波导层（n-WG）优化标准结构——参考实......
偏振紫外发光与探测在紫外偏振曝光、宇宙背景辐射探测、大气分析等特种应用领域有着重要的应用价值。非极性a面ZnO材料,一方面因......
AlGaN基紫外激光器(LD)已被广泛应用于生物、化学等领域,但目前还存在着诸如自发极化效应强烈、载流子注入效率低等问题,因此对于......
作为第三代半导体的一员,AlGaN的研究和发展已取得重大进步,同时基于此材料的紫外探测器也得以空前发展。由于各类型AlGaN基紫外探......
21世纪,GaN基发光二极管（Light emitting diode,LED）的崛起毋庸置疑地改变着了人们的生活。与传统发光源相比,LED有着更小的体积,更......
基于AlGaN的紫外发光二极管（UV-LED）有许多优点,包括体积小,能耗低、快速切换,不需要任何预热时间等,这些优异的性质使得UVLED成为许......
AlGaN基紫外LED作为新一代的紫外光源,具有波长连续可调的优势,可以满足现阶段各个领域对于紫外光波长的精准要求,有着节能、环境......
随着科技的不断进步,深紫外波段的半导体激光器有望应用于光存储、军事医疗、卫星通信、杀菌消毒、分析仪器等领域。在全球新冠疫......
AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调,覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段,是制备紫外短波长发光和探测器件不可......
第三代半导体中氮化铟（In N）、氮化镓（Ga N）、氮化铝（Al N）和由其组成的多元合金化合物等III族氮化物的研究最为广泛,该类材料统称为Ga N......
The AlGaN-based deep ultraviolet[DUV]light-emitting diode[LED]is an alternative DUV light source to replace traditional ......
高Al组分的AlGaN材料的光谱响应范围在日盲紫外波段,但其表面较高的缺陷密度限制了其在日盲紫外探测领域的应用.为此,研究了表面修......
本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,......
GaN基电子器件因其高二维电子气密度、高电子迁移率和高击穿电压等显著优点受到国内外关注。经过十几年的发展,GaN基器件研究取得......
Solar-blind avalanche photodiodes (APDs) can detect very weak ultraviolet (UV) signals in the solar-blind range (λ ＜ 280......
本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在......
本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透......
Green laser diodes with low operation voltage obtained by suppressing carbon impurity in AlGaN: Mg c
Electrical properties of Al0.07Ga0.93N: Mg samples with different carbon impurity concentrations were investigated by Ha......
GaN器件以其大电流,高击穿电压,良好的微波性能在微波功率领域有着广阔的应用前景.欧姆接触对功率器件的性能影响很大,因此宽禁代......
AlGaN 基深紫外发光二极管(Deep ultraviolet light-emitting diodes,DUV-LEDs)在杀菌、水和空气净化、医疗光疗、生化检测、保密......
AlGaN alloys are the most promising materials for ultraviolet (UV) detection in the solar-blind (200-290 nm) region.[1] ......
AlGaN 半导体材料的帯隙宽度可以从3.4eV 到6.2eV 连续可调，覆盖了从365 nm 到200 nm 的紫外波段，是制备紫外短波长发光和探测器件不......
到目前为止,作为重要的发光器件蓝光GaN LED,它的退化及退化机理已经被深入研究,并提出了许多模型,如非辐射复合中心的增加造成辐......
The AlGaN-based deep ultraviolet (DUV) light-emitting diode (LED) is an alternative DUV light source to replace traditio......
AlGaN材料是一种直接带隙第三代宽禁带半导体材料，其禁带宽度可通过改变AlGaN材料中Al元素的掺入量从3.4eV到6.2eV连续可调，是当前制......
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)具有低电压，全固态，耐冲击，耐高温，抗辐射，高效率，响应快，长寿命，无毒环保和光谱连续可调等特点，在紫外消......
本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3-GaN异质结构，在理论......
血糖对人体健康非常重要。急性低血糖会危及生命，高血糖会出现多种并发症，对人体的许多器官会有严重的损害。因全球迅猛增加的糖尿病......
Electrical and optical characteristics of highly transparent MOVPE-grown AlGaN-based tunnel heteroju
We present the growth and electro-optical characteristics of highly transparent AlGaN-based tunnel heterojunction light-......
氮化物紫外LED的发光波长覆盖210~400 nm的紫外波段,可广泛应用于工业、环境、医疗和生化探测等领域。近年来紫外LED的技术水平发......
文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的......
采用SiO2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的紫外......
基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓......
Al x Ga 1-x N/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) structures with Al composition ranging from x = 0.13 to 0.36 ......
An X-band AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) on SiC substrate with high microwave power performances has......
...
采用 MOCVD 技术在 SiC 衬底上制备了 AlGaN 同质和异质 pn 结,AlGaN 层中 AlN 浓度为2～8mol%,反应离子刻蚀形成台面结构。研究了 A......
制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大......
A quasi|thermodynamic model of MOVPE growth of Al x Ga 1- x N alloy using TMGa, TMAl and ammonia as sources h......
期刊
利用微区Ｒａｍａｎ散射技术，对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０，０．０７，０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ，Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由......
AlGaN基HFET已显示出在高功率微波应用的巨大潜力。包括频率响应在内的问题已得到解决,频率响应被载流子迁移率和栅长所限制,做了......
