石英舟相关论文
制造红外探测器需使用碲锌镉等高纯度单晶材料.制备这类高纯度单晶体材料时,通常用区熔提纯法将原材料纯度由6N(99.9999％)提高到7N(......
本文叙述了采用两温区水平炉由铟、砷和磷三种元素直接合成并采用熔区法生长磷砷化铟固溶体的设备及其主要工艺;给出了材料的主要......
阳极溶出伏安法灵敏度高,适用于环境监测。我们用此法对10~(-10)M的镉、铅样品进行了分析,并实际应用于城市居民区大气飘尘中镉与......
报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关......
３００ｍｍ圆片技术障碍面对３００ｍｍ圆片有许多技术难题，需在短时期内克服。通常，如果要求批量单晶生长过程或半连续装填工艺最佳化，而石英舟尺寸，质量和......
高纯铌是原子能反应堆不可缺少的重要材料,要求其含钾量不得超过5×10~(-4)%。从文献报导来看,铌中痕量钾的测定一般采用火焰发射......
当金属中碳含量较少时,用一般的方法测定碳,需要用1-2克重的样品。但在多数情况下,要得到这样多的样品是有困难的,例如:在检验金......
1983年第7卷第1期(总第34期) *理论研究与科学实验*钦及常用钦合金离子氮化工艺及其应用···················......
Мороэов等曾測定过氧化钕和氧化鑭等的氯化反应的平衡常数,指出希土氧化物直接氯化的反应速度是十分缓慢的,在600℃时反应......
Pt-P_2O_5-H_2O 体系电量法测定化合水,具有用样量少的特点,七十年代已用于矿物分析中。本文在前人工作的基础上,对该方法的核心......
氢气还原测定铁矿石中硅酸铁的方法,是现有方法中较好的方法。但按目前的使用条件和装置,不适宜大批量分析;另外,硅酸铁的结果是......
氢化法测定硫,具有试剂易纯化,空白值低,灵敏度高等优点.许多作者使用不同类型的催化剂,提高硫化氢的生成率,改善方法的精密度,用......
氮在钢材中主要以化合物和间隙固溶体形式存在,后者常常是导致变形时效原因之一,因此了解钢中固溶氮的含量具有特殊意义。 钢中固......
制备氘代氨可采用同位素交换、直接催化合成以及由氮化镁和重水反应等方法。为了获得同位素丰度很高的氘代氨,我们参照文献[1—4]......
美国TSD-1型热退磁仪本身不能用于地磁场古强度的研究,为了克服这一缺点,作者改进了该仪器.利用改进后的TSD-1仪可获得可靠的古强......
本文概述了电子探针显微定量分析及对标样的要求。介绍了Fe、Sn、Ge、GaAs、InP、Lu_3Fe_5O_(12)、Yb_3Fe_5O_(12)标样的制备和有......
1.引言锇铱合金应用于国防及制革等工业,主要利用其耐磨耐腐蚀性强的优点,国内外多用于常受磨损之部件上。但目前国内使用的金属......
本文提出了以石英舟为原子化器测定痕量金的新方法.方法特点是操作简便,结果稳定,速度快,成本低.方法的标准偏差为1.13,相对偏差......
采用剩余电阻率比（ＲＲＲ）方法对３Ｎ，４Ｎ，５Ｎ纯度的Ｓｎ和区域提纯Ｓｎ棒的纯度进行了测量．得到通过３０次区馆后，杂质沿样品长度方向的分布．和常规的化学分析相比，在样......
金属Ｐｄ基体窄线５７Ｃｏ穆斯堡尔源的制备研究陈明生许盛昌邓真明（原子核科学技术研究所）５７Ｃｏ穆斯堡尔源（以下简称穆源）是穆斯堡尔谱仪常用的专用放射......
1 序言 随着炼钢操作技术的不断改进,汽车制造用薄钢板等的超低碳钢中的碳含量,已有可能降低到10PPm以下。在产品质量管理上,正确......
高溫扩散炉程序控制装置是应我国大规模集成电路工业发展的急需,针对我国半导体工业的实际情况研制而成的。它的主要特点是:(一)......
硅固态平面扩散源是七十年代出现的一种新的扩散技术,由于它具有均匀的扩散浓度,好的重复性和大大提高劳动生产率的优点,特别是随......
工作报告对《MOS管阈值电压的理论修正》一文的商榷…………………………………(—1)NPN超高压低频大功率晶体管制造工艺的探讨…......
采用LPE-GaAs工艺成功地生长成供x波段Gunn器件所需的优质外延材料,其成品率大于80％。用此材料制成的器件成品率大于60％,并已应用在......
利用超高压电子显微镜(HVEM,JEM-1000)研究了舟生长半绝缘(SI)掺 Cr-GsAs 晶体中的微沉淀(微夹杂)。从电子衍射花样分析表明,晶体......
引言制取敷镍碳酸盐的方法自68年至今,一直沿用着美国贝尔实验室提出的所谓湿流化床技术法制备(Wet flurd—bed),或简称为湿法。 ......
本文报导了提高MOS中小规模集成电路管芯成品率的研究结果.单片管芯成品率最高达到67.9%,批量管芯成品率最高达到57.3%,平均管芯成......
在水平舟生长砷化镓单晶制备过程中,熔体与舟之间沾结是首先碰到的一个问题。尽管对石英舟表面作喷砂处理可以改善这一状况,然而......
部件处理的现状在半导体生产线上,以IC、LSI为代表的微细加工为对象,其操作精度不论是机械方面,还是电气方面都要求很高的水平,加......
济南半导体研究所二车间的同志们,对过去传统用的P型杂质源,硼酸三甲脂进行了认真的总结,认为硼酸三甲脂作扩散源,在浓度要求不高......
片状氮化硼是制作P—N结的一种渗P型杂质的固体扩散源。我厂在线性电路的制造中试用了片状氮化硼。 目前,与液态扩散源比较,采用......
氯化钾(KCl)晶体原料来源丰富,价格便宜,从可见到中红外波段范围内都有很高的透过率(T>90%)。因而在红外和激光技术中被广泛地用......
一、前言西门子公司关于Ⅲ-Ⅴ族半导体的基本专利在专利公报公布以来已经17年了。自从该专利有效期届满,继锗、硅之后获得第三代......
本文叙述了水平三温区法制备低位错和无位错掺Si—GaAs单晶的工艺,介绍了三温区炉的结构,论述了掺Si—GaAs晶体与石英舟的沾润和单......
本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10~(-6)的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ_(77......
用特别处理的石英舟生长纯度InAs晶体,不仅避免了Si沾污,而且能克服沾舟的困难.晶体的电学性质μ_(77)在54000～60000 cm~2/V·s之间......
片状氮化硼作为硼扩散杂质源,我们用来试生产集成电路低功耗TTL与非双门,低功耗D型触发器以及低功耗四位二进制计数器都得到了满......
由J.M.Woodau改进的一种方法(美国专利3,322,501号。1967年5月30日。已转让给通用Businous机械公司),包括采用氧化亚镓(Ga_2O)气......
