沉积温度相关论文
钙钛矿过渡金属氧化物材料因具有高缺陷迁移速度、低缺陷迁移势垒的特点,在高性能存储器件领域极具研究空间。钙钛矿结构的Sr Co O......
高能脉冲磁控溅射技术（HIPIMS）以峰值功率密度高，金属离化率高为特点，较传统直流磁控溅射（DCMS）具有其独有的优势。将高能脉冲磁控溅射（HI......
使用磁控溅射技术在304不锈钢表面制备CrCN涂层,研究了沉积温度(200、250、300、350和400℃)对涂层结构及力学性能的影响.研究表明......
采用原子层沉积(ALD)技术,以四(乙基甲基胺基)铪(TEMAHf)和去离子水为前驱体,沉积温度分别为150、200、250和300℃时,在单面抛光硅......
期刊
非晶硅/微晶硅叠层电池已经成为硅薄膜太阳电池产业化关注的热点，但由于非晶硅电池存在光致衰退效应，提高非晶硅/微晶硅叠层电池的稳......
以甲烷为源气体,氮气为载气,无催化剂的条件下,于1050～1150℃的沉积温度下,采用微波热解化学气相沉积工艺(MCVD)制备了炭纤维。扫描......
羰基金属配合物作为一种MOCVD前驱体，除毒性较大外，其优点十分突出:沉积温度低，沉积速度快，沉积膜纯度高，膜层致密，膜表面的光洁度好，设备......
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ......
为了增强碳化硅(SiC)的光致发光性能,设计了三层结构的多孔SiC薄膜,衬底是单晶硅,中间层是双通阳极氧化铝(AAO)模板,顶层是SiC薄膜......
ZnS是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料.其制备方法有热压和化学气相沉积方法(CVD).本文主要介绍绍在不同沉积温度下利用CVD制......
目的研究沉积温度对SiC界面涂层微观形貌、结构和成分的影响,探讨SiC界面涂层的沉积动力学和沉积机理。方法采用Factsage软件计算M......
采用电子束蒸发方法在BK7基底上制备SiO2单层膜,通过台式探针轮廓仪分别测量了大气(45%RH)和干燥环境(5%RH)中不同沉积温度下制备......
二氧化硅（SiO2）是一种重要的光学薄膜材料，通常采用电子束蒸发辅以离子束轰击的方式沉积，但在某些情况下，不能借用氧离子束的轰击。着重......
试验证明,利用非热平衡态的直流等离子体,可使 TiN 的化学气相沉积温度山普通 CVD 的1000℃左右降到500℃左右,膜的硬度达2000kg/m......
以中频感应加热沉积炉研究了400kW以上的大型电子管栅极用热解石墨毛坯的沉积工艺参数并测定了材料的物理、力学性能。 基于毛坯的......
一、序言 材料科学的发展日新月异。如果人类的历史按着材料来划分大体上已经历了三个阶段。即石器时代、铜器时代,铁器时代。再发......
用直流等离子体化学气相沉积法沉积TiC、TiN、Ti(CN)以及钛的复合涂层。对在高速钢和硅基体上所得的各种钛化合物膜做了晶体结构分......
本文报告了采用微波等离子体进行化学气相沉积氮化钛(TiN)的工作。文中讨论了微波等离子体的动力学效应和热力学效应并阐述了氢在......
引言用等离子体化学气相沉积(CVD)制备导电碳最近变得越来越引人注目。用苯的射频等离子体制备薄的碳膜,其目的是在较低的沉积温......
一前言化学气相沉积(CVD)是一种较古老的技术,很早以前,人们就利用CVD技术生产碳黑、碳丝等物质。随着科学技术的进步,CVD本身也......
利用脉冲激光沉积技术在c-Al_2O_3单晶基片上制备了Bi_2Sr_2CO_2O_y热电薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的......
利用超声雾化热解技术(USP)在不同温度的电气石和玻璃衬底上生长ZnO纳米片状薄膜。结构研究表明晶体为六方纤锌矿多晶结构。衬底温......
根据国内外现有的文献资料，介绍了化学气相沉积ＢＮ的具体制备方法、试验设备及主要原理。
According to the existing literature at ......
本文用化学气相沉积法制备了ZnS薄膜和块材料；观察了ZnS在具有不同表面粗糙度的石墨和石英基体上的成核和长大行为；研究了沉积温度、......
用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响．透射电镜分析表明随沉......
对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/......
用简单的压缩空气式喷雾热分解法以醋酸镁为原料在Ｓｉ（１００） 衬底上成功地制备了（１００） 取向的ＭｇＯ 薄膜。结果表明，为获得（１００） 取向的ＭｇＯ 薄膜，衬底温度和喷雾......
本文采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜。X-射......
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光......
本发明提供一种用于在衬底上生长和刻蚀薄膜材料的装置及方法。该装置包括一个装有分隔器的基座,分隔器由一种低热导率的透光材料......
采用化学气相沉积法,在硬质合金材料表面制备Ti CN/Fe2O3/Ti N复合型涂层,研究复合型涂层的微观组织、硬度、物相和界面结合力。结......
作者用4Cr5MoVlSi及3Cr2W8V两种热模具钢试样进行了等离子体增强化学气相沉积(PCVD)TiN的工艺试验,探讨了PCVD TiN工艺参数对膜基......
本文比较系统地报导有关电沉积制备0.0025—5毫克/厘米~2不同厚度的天然铀镀层的工作。我们就电沉积温度、阴极村料、铝阴极表面处......
用化学气相沉积法对钻进行了TiC涂覆。由于钴内面心立方晶格转变为密集六方晶格而产生的体积变化将会对涂层施加应力。这种应力导......
化学气相沉积是获得优质涂层、强化金属表面的手段之一。本工作初步研究了影响TiN化学气相沉积温度的工件因素,认为工件表面富N或......
一、专利要求 1)本专利系利用表面上锌层沉积的方法对铁表面进行镀复,其特点是:物件在镀锌之前先浸入含熔融金属或金属氢氧化物或......
采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅......
化学气相沉积(CVD)是制备固体薄膜,生产复合材料的重要方法之一。但由于沉积温度较高,使应用范围受到很大限制。因此,对降低CVD的......
碳化钛复层具有高硬度,高耐磨性和低磨擦系数等特点,因此在制造超硬工具和在无法进行润滑的超高真空和高温下工作滚动轴承,以及要......
一、引言: 用化学气相沉积(CVD)法在硬质合金和钢的基体表面上形成由碳化物、氮化物和氧化物所构成的高耐磨、抗腐蚀的涂层,通常......
用纯氨做原料在钢铁表面进行化学气相沉积氮化钛时,可使沉积温度降到570℃以下。高速钢刀具经沉积后不需再行淬火处理。本文介绍了......
