异质外延生长相关论文
异质外延生长岛因其成核生长机理的复杂性及其可作为量子点的应用受到非常多基础科学研究和技术应用研究的重视。我们研究了非线性......
近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长......
使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过......
本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)......
Using two-step method InP epilayers were grown on GaAs(100) substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor depos......
利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构......
本文利用脉冲激光沉积技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20-300K范围内测量了低温......
通过构建不同温度Si(100)2×1基底下入射生长锗薄膜模型,采用分子动力学模拟的方法,运用双体分布函数与近邻配位数及原子轨迹法对......
影响直接外延生长氧化物薄膜的因素有很多,最主要的是保证氧化物薄膜的正确成相和在单晶衬底上成核.直接外延生长时,衬底温度影响到薄......
GaN材料由于其禁带宽度大、电子饱和速率高、耐高压、抗辐射并且具有独特的极化效应,成为制作高温、高频、大功率、抗辐照的微波电......
3C-SiC作为众多SiC多型中的一种,它拥有高的各向同性电子迁移率和饱和漂移速率,在高频器件领域的应用更具优势。然而,受3C-SiC自身特......
该文用LPCVD方法制备了Si/GaN、SiC/Sapphire和Si/Sapphire大失配异质结构,并对这些结构进行了系统的研究,取得主要结果如下:1.通过低......
Ⅳ族半导体材料主要包括第一代半导体Si、Ge以及Si1-xGex、Si1-x-yGexCy等合金材料和第三代半导体中的SiC、金刚石等宽带隙材料,它......
InGaN合金材料的禁带宽度可随In组分的变化从0.7eV连续变化到3.4eV,几乎与太阳光谱完美匹配。InGaN材料这一独特性质使之成为非常理......
该硕士论文内容分为两部分:第一部分为薄膜生长的计算机模拟研究,第二部分为电子发射系统的全局优化设计.一.薄膜生长的计算机模拟......
有机半导体材料与器件由于其低成本低能耗等优点,在当前能源与环境问题日益严重的情况下备受瞩目,并且已经在平板显示,低端电子产品,传......
自从20世纪50年代硅基集成电路(IC)诞生以来,以其为核心的的微电子工业得到了飞速的发展。由于科学技术的发展和日益扩大的市场需求......
具有钙钛矿或类钙钛矿晶体结构的过渡金属氧化物以其强关联电子体系的特征表现出丰富的物理现象,如高温超导电性和庞磁电阻效应。因......
异质外延生长是薄膜生长中的重要研究课题,从原子水平上认识异质薄膜生长的物理本质,对于改进制备工艺和提高薄膜质量都有着重要的......
由于金刚石有着一系列很好的特质:像很高硬度、极高载流子迁移率、宽带隙、高击穿电场、抗辐射、耐腐蚀等新奇特性,因而被大量地研究......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
由于GaN薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景,目前国际上对其进行了广泛的研究,但这些应用的实现有赖于生长出高质量的GaN单晶薄膜,以......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,......
在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一.Ge在Si上4.2%的晶格失......
介绍了新近研制出了的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
本文阐述了用RBS/channeling技术研究异质外延GaN及其三元合金薄膜的重要性和必要性,报道了实验测量的GaN及其三元合金AlGaN,InGaN膜的结构,给出了较为准确的元素种类......
本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应,实验研究表明,这种膜的压阻因子在200微应变,室温下约为1300,其值大大超过了单晶硅的相......
利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构均匀性......
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,......
<正> 光电子集成和光子集成(OEIC和PIC)技术是当今的热门技术,它们借鉴并发展了电集成的许多概念和方法。先从分离的光学、电子器......
能源、材料、信息科学是新技术革命的先导和支柱。作为特殊形态材料的固体功能薄膜材料,在纳米电子学、微电子学、光电子学、磁电......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长(100)Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外......
氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳......
利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO2)晶体的外延生长。采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(ED......
高质量的异质结构是半导体器件性能的保证,也一直是外延生长中的挑战。其难度根源在于外延薄膜和衬底之间晶格常数、晶体对称性及......
随着大功率LED性能不断增加,成本持续下降,大功率LED正逐渐取代传统光源,在照明领域得到了越来越广泛的应用。但是目前LED的生产制......
GaN宽禁带半导体材料以其自身一系列的优良特性,在高温、高速、高频、高功率、辐射、蓝紫发光及探测等领域有广泛的发展。铌酸锂(L......
学位
氢能作为一种清洁能源备受人类的青睐。为了推广氢能的使用,有效的制取氢气、安全且经济的储存氢气、灵敏迅速的氢气监测成为亟待......
以不同结构的PAN基炭纤维为碳源、ⅣB-ⅤB过渡金属单质为金属源,在熔盐介质中反应制备了炭纤维表面碳化物涂层,研究了不同金属单质......
SiC是一种宽带隙半导体材料,具有带隙宽、临界击穿场强高、饱和电子漂移速度大等优点,是高温、高频、高功率半导体器件的首选材料,......