非晶硅薄膜相关论文
采用射频磁控溅射法沉积了P型非晶硅（a-Si）薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪（Raman）、透射电子显微镜（TEM）分析了薄膜的结构，主要研究......
针对传统水系镍氢电池电化学窗口较窄以及能量密度较低的缺点,基于硅材料优异的储氢性能,采用射频磁控溅射方法和后气体氢化处理分......
本文介绍了非晶硅薄膜光伏发电系统的特点与应用。采用尚德太阳能电力有限公司制造的大面积非晶硅薄膜光伏组件，分别开发了小型离网......
本文采用PECvD技术沉积本征非晶硅薄膜，研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结......
用无电电镀的方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.......
利用铝诱导非晶硅薄膜晶化制备多晶硅薄膜可以降低退火温度,缩短退火时间.在此基础上,通过在退火过程中加入电场加速界面处硅、铝......
介绍了目前人们对非晶硅表面钝化本质的认识在半导体物理方面多限于钝化后硅片少子寿命的提高以及由此推算所得表面复合速率的大小......
采用RF-PECVD方法，以硅烷(SiH4)为反应气体，乙硼烷(B2He)为掺杂气体，经氢气稀释后在玻璃衬底上沉积p型氢化非晶硅(a-si：H)薄膜。用XRD......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)法在聚酰亚胺衬底上制备了非晶硅薄膜，主要研究了射频功率对沉积速率、均匀性、薄膜应......
本文描述了单室、双结平行基片太阳电池制造技术、关键工艺参数以及大面积（600mm×1200mm）非晶硅薄膜太阳电池的电性能，并阐述了非晶......
用P型微晶硅(Pμc-Si:H)或微晶硅碳薄膜(Pμc-SiC:H)代替非晶硅碳(Pa-SiC:H)作非晶硅薄膜太阳电池的窗口材料,可以显著改善电池TCO......
本文详细介绍了利用透射谱计算非晶体薄膜各项光学特性的方法.我们通过对非晶硅薄膜样品透射谱的分析,利用物理光学的基本原理,计......
设计了一种由非晶硅和多晶硅两种材料结合而成的太阳能电池薄膜,在电池表面采用光吸收系数高的非晶硅薄膜,在电池内部采用转换效率......
本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(R......
我们对现存三室PECVD设备进行了改造,借鉴国外的经验,将PECVD系统的阴极单板结构改造为喷淋式的三层结构,进气方式由侧进气改为下......
通常采用氢稀释方法调节非晶硅薄膜的晶化率.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料中,辉......
非晶硅薄膜的高速生长将极大地缩短生产时间,降低生产成本.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅......
本文利用VHF-PECVD技术制备nip非晶硅薄膜电池.首先,实验研究了不同P层厚度对nip结构非晶硅太阳电池性能的影响.其次,设计了i/p异......
利用LP-MOCVD 生长技术,采用Zn(C2H5)2 作Zn 源和H2O 作氧源,使用硼烷为掺杂气体，制备出了光电特性稳定的较低电阻率、高透过率的氧......
本文研究了硅薄膜不同P型掺杂剂对材料特性的影响,实验发现,BH作为掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和微结构有重要影响.随掺硼量......
在硅基薄膜太阳能电池中,常使用透明导电氧化物(TCO)与金属组成的复合背反射电极,以增加对太阳光的收集效率,从而提高太阳能电池的......
本文介绍了一种在沉积室样品台下方放置永磁体单元,以提高微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积速度的新方法.实验表明,采用这一......
本文对LiCoO2/非晶-Si全电池进行了研究。文章以该非晶硅薄膜为负极,商品化的LiCoO2为正极,组装成LiCoO2/Si全电池,并考查了其在实......
The critical technology for fabrication of the micro-bridge structure based on amorphous silicon (a-Si) films is studied......
通过对叠层非晶硅薄膜太阳能电池制备工艺流程的讨论, 提出了在玻璃基材上刻划透明导电氧化物(TCO)层, 非晶硅(a-Si∶H)层和背电极......
非晶硅薄膜由于其光吸收系数高、原材料来源广泛、制备成本低以及易于大规模生产等优点，被认为是当前最重要的光伏材料之一。本......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，本实验选用廉价衬底，主要包括玻璃片、不锈钢片、低品质的金属硅片。通过单因......
本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素 Cr 的非晶硅基薄膜 a-Si1-xCrx 的光吸收特性.研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外......
用蒸发方法制备非晶硅薄膜,具有制备方法简单,淀积速率快,实验周期短,成本低等特点.但也存在一些问题,主要是用蒸发方法制备的非......
本文作为应用基础研究了射频溅射非晶硅薄膜的一些光电特性,着重在溅射条件与氢化处理(包括氢氩混合溅射及在溅射后对薄膜进行等......
本文阐述了真空电弧沉积（ＶＡＤ）的各种净化方法，并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应用，包括在制造太阳能电池方面的应用前景......
在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出......
报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳......
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对......
中国未来20年实体经济新的增长点无疑是战略性新兴产业。以电子信息产业、新能源产业、新材料产业和节能环保产业为代表的新一代高......
通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋......
0626019阳极氧化中烧损行为及防止〔刊,中〕/王平//西华大学学报(自然科学版).—2006,25(4).—41-43(G)0626020利用热退火法从非晶......
报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法．氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进......
香港华基光电能源集团制造出新一代非晶硅薄膜“华基玻璃电砖”生产设备。日前,该公司与无锡源畅和美国CMI公司签订合作协议,第一......
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶......
据《半导体行业网》报导,大理高新技术产业开发区管委会与源畅高科技(集团)有限公司近日就大理太阳能非晶硅薄膜光电项目投资协议......
用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(......
