栅电极相关论文
近年来,随着互联网流量的快速增长和新应用的陆续出现,对于增加光纤的传输容量的需求十分迫切。模分复用技术是当前认为可以提高光纤......
本研究提出了利用激光组装金纳米粒子制备金微电极以及光栅电极,实现了单根碳纳米管的自由电互联,制备条件温和,降低了对碳纳米管......
利用电解质门控石墨烯场效应晶体管制备了一种高灵敏的葡萄糖传感器.即使不采用纳米修饰的铂金栅电极,这种传感器对葡萄糖的检测极......
本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动......
阐述了毫米波段低噪声GaAsPHEMT课题的研究过程,报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过150GHz,这是国内第一个频率进入3毫米波段的半导体三端......
在0.18μm及其以下的晶体管中,如果半导体生产厂不积极进行内建可靠性设计,就不能向用户提供更大规模的LSI。在0.35μm以上的晶体管中,......
据《日经》3报道,日本东芝公司研制成功在14GHz下,增益ldB压缩时输出功率为43.2dBm(20.9W)的GaAsFET功率MMIC,电源电压十9V,增益为6.9dB,功率......
考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容所构成的RC常数对栅延迟的影响,建立了a_SiTFT_LCD的等效电路模型......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了......
松下电器工业公司开发出了一种在晶体管(MOSFET)的电流流动路线(沟道区域)上引入一个毫微秒控制的SiGe层并在O.5 V电压下工作的新......
Tokyo Electron Ltd.(东京都港区,社长东哲郎)宣布开始销售与200 mm/300 mm晶片相对应的能进行游离基氧氮化的等离子体处理设备[T......
日前,NEC 面向准毫米波频带(30GHz)试制出了 GaN 系半导体功率晶体管,最大功率约为以前的3倍,实现了2.3W 的功率放大。主要面向无......
利用光谱电化学方法来研究冠醚类化合物的文章尚未见报导.本文在测定用凝胶法合成的[Co(H_2O)(NCS)_2](18-C-6)的核磁共振谱和红......
本文用薄层光谱电化学技术研究了 Ag(IO_6)_2~(7-)在金微栅电极上阴极还原的机理,认为 Ag(Ⅲ)首先转移两个电子还原至 Ag(Ⅰ),然后......
日本芯片制造商东芝公司研制出一种GaN基FET,在6GHz这样的宽带无线通信协议如Wi MAX的重要频段下,其发射功率达到创记录的174W。该......
NEC在研发55nmCMOS工艺技术中采用如下关键工艺:1.193nmArF浸润式光刻技术;2.高k介电质—HfSiON,实现高载流子迁移率,实际氧化膜厚......
去年12月发布的ITRS2006修正版,基本未对主要版本ITRS2005做过多的修改。不过有一个例外就是增加双重图形作为潜在的45nm光刻解决......
在生产中引入高介电常数绝缘材料/金属栅电极结构,需要采用全新的制造技术,前驱物和输运系统推动了铪基材料栅极绝缘层的应用。ALD......
法国圣母大学的一个研究小组称,自对准InAlP热氧化物可避免亚微米长栅电极GaAs MOSFET中所见的泄漏问题。采用这种方法,P.Fay及其......
利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得......
以高掺杂Si单晶片作为栅电极,热生长SiO2作为栅介质层,聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层,Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅......
以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本富士通株式会社采用了为了降低寄生电容而使栅电极周边空洞化(Cavity)的栅长为75 nm......
旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟......
通过制备栅内不同掺杂条件的Ni全硅化金属栅电容并分析其C-V和Vfb-EOT特性发现,Ga和Yb较常规的杂质而言具有更好的栅功函数调节能......
针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入......
设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集......
以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用......
文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏......
在有机太阳能电池(OSC)中,活性层的光学吸收能力和电学传输能力之间存在着严重的不匹配,这是制约OSC 效率提升的主要因素之一,而......
随着超大规模集成电路的发展,对新材料和新工艺提出了更多的要求,希望材料有类似金属的低电阻率,十分好的热稳定性,容易形成,不易......
超大规模集成电路已经进入了运用亚微细粒加工技术的阶段,今后微细化还会有进一步发展。以存储器为代表的元件使用电压虽然同过去......
一、引言 MOS动态随机存贮器,是根据存贮单元中存贮管的栅电极是否存贮足够的电荷,存贮管的栅电位处于“1”电平或“0”电平,作为......
一、引言 工艺问题是MOS集成电路(以下简称MOSIC)CMOSIC的关现问题。这里包括二方器的问题,一是工艺参数,材料参数的正确高计,二是......
本文描述采用淀积的多晶硅作为栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。 在简单概述硅栅工艺特性后,将评述硅-二氧化硅-......
新日本制铁公司开发了在存储信息时,可以1比特为单位进行擦除的新型高速存储器。本产品实用后,可代替半随机存取存储器(SRAM),而......
1.引言 近年来,多晶硅薄膜已越来越广泛地应用于半导体器件。在大规模MOS集成电路中,具有重要地位。其原因在于: (1)多晶硅薄膜作......
电荷耦合摄象器件(以下简称CCID),是一种用途相当广泛的器件。尤其是线阵CCID,对实时遥感系统来说是一种较理想的敏感器。本文针对......
机械设计人员和LSI设计人员减小漏电流的对策,主要针对亚阈值漏电流。但是,对于65nm及以下的工艺,栅漏电流将使机械设计人员和LSI......