快速退火相关论文
因能源和资源的不断匮乏,提高了钢铁工业开发传统钢铁材料的性能潜力的要求,开发具有优良强韧性的高强度钢材成为钢铁领域的研究新......
超大规模集成电路的发展,使得终端产品具有高集成、低能耗、高速度等特点,集成电路特征尺寸的进一步减小对器件结构提出更高的要求......
随着科学技术的发展,人们对半导体材料尤其是TCO薄膜的性能提出了越来越高的要求。而p型TCO由于其电导率低、可见光透过率低的缺点......
作为一种典型的相变材料,二氧化钒可以在光、电、热、压力等激励下发生从单斜相到四方相的相变。二氧化钒的相变伴随着材料光电性......
锌镁合金镀层具有优良的耐腐蚀性能，真空镀与电镀、热浸镀是目前可行的锌镁合金制备工艺。研究表明锌镁合金相MgZn2和Mg2Zn11的形成......
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X射线衍射(XRD)技术，对样品的对称面和非对称面做......
本文介绍一种用计算全息方法制作的激光扫描器,理论上衍射效率可达40%. 扫描矩形面积2×3mm~2,当Ar~ 激光功率为4W时,对砷离子注入......
自2004年石墨烯被发现以来，二维层状纳米半导体材料凭借其独特的物理、化学等性质成为热点研究领域。其中，二维层状二碲化钼(MoTe2)......
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
向CoSi2膜中分别注入As+和BF2+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi2下面的硅衬底中,能制作出结......
研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处......
硅(Si)是整个平导体微电子学的载体和基石。但是硅(Si)的间接带隙性质使得其必须借助声子才能实现光学跃迁,这极大地影响了硅材料......
目前,氧化铟锡(ITO)薄膜应用越来越广泛,在显示器、太阳能电池等高科技领域有着不可取代的地位。我国的铟资源储量丰富,且生产工艺......
磁铅石型钡铁氧体(BaFe12O19,BaM)因具有高单轴磁晶各向异性场、高饱和磁化强度、高矫顽力、高剩磁比以及良好的机械强度和化学稳......
钛基铱钽氧化物阳极以其优异的电化学活性和稳定性在废水处理、土壤修复等领域引起了广泛的关注。该类阳极的研究方向之一是制备电......
本文首先对显示技术的发展和多晶硅薄膜的制备方法以及应用前景进行了综述,同时对Ni金属诱导非晶硅横向晶化制备多晶硅的研究现状......
6.5％Si高硅钢是具有超低铁损、有低噪音性能的软磁合金，主要用于高速电机、高频变压器和转换器等器件。再结晶织构是影响硅钢磁性能......
300mm大直径硅片要求双面抛光，以获得满足集成电路制造要求所需要的平整度。双面抛光工艺的引入使得传统外吸杂工艺面临淘汰，内吸杂......
镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜具有优良的热释电性、铁电性、压电性和光电性等,在热释电红外探测器、动态随机存储器(DRAM)和电光器件等方......
可锻铸铁广泛用于汽车底盘零件、纺织器械以及输水输油管道接头的制造。与其它铸铁相比，可锻铸铁具有较好的综合力学性能、良好的切......
本论文“MBE生长短周期InGaAs/GaAs超晶格VECSELs有源区的结构和退火研究”的内容包括：MBE系统原理与外延材料的表征方法、应变补偿......
目前,SnS是最具有发展前景的光伏材料之一,非常有希望作为未来高效的太阳能转换材料。SnS具有稳定的化学性质,无毒性,其构成元素在......
Au、Ag、Cu和Al等金属颗粒在与外电磁波相互作用中，电子云相对原子实会发生移动，同时原子实和电子元之间的库仑力使电子云回到原来的......
近年来，GaN基发光二极管(LEDs)由于具有体积小、效率高、寿命长、节能、环保、可靠性高等优点而被认为是下一代光源。目前GaN基LED......
利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu_2SnS_3薄膜,研究了使用SnS_2、Cu_2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同......
用大束流密度的钒金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物.随束流密度的增加,硅化钒相生长,薄层硅化物的方块电阻Rs明显......
用大束流密度的钴金属离子注入硅能够直接合成性能良好的薄层硅化物.束流密度为0.25～1.25A/m2,注入量为5×1017cm-2.用透射电子显微......
摘要 本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进 行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对 禁带......
期刊
将快速退火演化算法(fastannealingevolutionaryalgorithm,FAEA)与协同方法相结合,提出了一种用于求解高维的全局优化问题的新方法......
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界......
期刊
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、......
采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500～900℃)及退火气氛(N2O2)对薄膜的......
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子......
利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜.RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10......
利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜并对其进行快速退火处理,利用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、X射线能量色散谱（EDS）、原......
文章采用射频反应磁控溅射法在p型Si（100）衬底上制备了HfO2高k薄膜,并对样品进行了N2气氛快速退火处理。对薄膜进行了Raman光谱、UV-......
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 1......
利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜,并在Ar气保护下分别在200,300,400,500,600℃对薄膜进行快速退火处理。利用......
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在Ts＝440℃条件下制备组份Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜，经过快速退火处理，制备择优取向的Bi4Ti3O12铁......
快速退火技术（RTA）可在极短的时间内使器件表面升至高温，该技术被广泛运用在半导体制造领域。综述了RTA的发展历程及其应用于磁性薄膜......
通过实验室热处理模拟实验，对含磷低硅transformation induced plasticity（TRIP）钢快速退火过程中各个阶段的组织演变行为进行研究，主......
报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系.......
详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型......
以氨水、醋酸为催化剂，用正硅酸已酯（TEOS）为Si源，甘油作为防裂剂，聚乙烯醇（PVA1750）作为致缓剂和发泡剂，制作多孔SiO2薄膜。碱催化使得硅-......
研究了N2和N2／NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响．研究发现：N2／NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中......
