Ⅲ-Ⅴ族半导体相关论文
超高真空扫描隧道显微镜（Ultra-high vacuum scanning tunneling microscope,UHV STM）是研究半导体表面形貌结构的重要表征技术。它......
测量了室温下三元GaInP和四元(AlGa)InP(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元GaInP的喇曼谱表现为双模形式，在DALA带上叠加了F......
金属有机物气相外延(MOVPE—Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)技术是获得Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体优质外延层的重要途径,是一个涉......
半导体材料的晶格中含有一定量的点缺陷,能够释放或者俘获电子,对其物理、化学性能具有重要的影响。例如,在n 型氧化物半导体......
测出了电子回旋共振和反应离子腐蚀条件下暴露在氩等离子体下的InN,In_(0.5)Ga_(0.5)N 和 In_(0.5)Al_(0.5)N 层的导电率随射频功......
在过去的几年中,红外成象技术成熟得很快,该技术所取得的进步已在许多方面得到了反映。凝视列阵规格尺寸的改进,已与动态随机存取......
本文围绕镜像势对双势垒共振隧穿系统电流—电压特性的影响作了系统的分析探讨，并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了......
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长......
论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包......
半导体光调制器波导的输出模斑通常是直径为2~3μm的椭圆形,与光纤进行耦合时会因模斑不匹配而产生严重的耦合损耗,并影响对准容差......
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》(Nano Letters)......
采用基于玻尔兹曼输运方程的第一性原理计算方法深入研究了硼基Ⅲ-Ⅴ化合物的热导率性质,与Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体进行对比,发现砷化......
悉尼大学与澳洲国立大学的研究人员发现,GaAs纳米线中存在重复的自修复过程:当撤消施加的压应力后,断裂部分可迅速恢复原始的单晶......
利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列CaP_(1-x)N_x混晶的光学性质。GaP_(1_x)N_x混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激......
瓦里安公司研制成一个系列的光电倍增管,倍增管的光电阴极由砷化镓构成,直径为18毫米。其面积为迄今所能获得的用Ⅲ-Ⅴ族半导体化......
一、前言西门子公司关于Ⅲ-Ⅴ族半导体的基本专利在专利公报公布以来已经17年了。自从该专利有效期届满,继锗、硅之后获得第三代......
目前对Ⅲ—Ⅴ族半导体的实用光开关与/或型调制器正在进行深入研究,这些光开关或调制器在光通讯、光互联和信息处理中有着潜在的......
一、引言 对Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶中普遍存在的施主中心(DX中心)的研究,近几年来很活跃。实验观察到AlGaAs中施主中心的主要性质:1.......
本文提出一种新的用于Insb半导体的热氧化法,采用此法生长的氧化层与常规热氧化层相比有不同之处,而且有更好的电学性能。图1示出......
本文除介绍MOCVD的基本反应过程及装置外,将重点讨论用MOCVD生长各种Ⅲ-Ⅴ族半导体的工艺过程、生长参数等,并将介绍用MOCVD方法制......
本文详细地叙述了金属/GaAs和金属/GaSb界面,在极低复盖度(亚单层至几个单层)下的费米能级位移的实验结果,并应用缺陷能级密度随金......
智能 LED 是一种性能优良的固态平板化显示器,其基本显示单元采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 PN 结电致发光源,并具有相应的片内集成电路工......
本文介绍用于Ⅲ-Ⅴ族半导体液相外延工艺的新炉子、它的主要设计思想和所达到的指标(温度稳定度优于 ±0.03℃/24h,±0.01℃/2h;等......
测量了室温下三元GaInP和四元(AlGa)InP(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元GaInP的喇曼谱表现为双模形式，在DALA带上叠加了F......
光子晶体是一种折射率呈周期分布的微结构，能够有效地控制和操纵光波的辐射和传播。光子晶体微腔具有极高的品质因子，有望制作极低阈......
近年来，半导体纳米线及其相关异质结构因其具有一些宏观材料没有的特性而成为当前研究的热点。基于半导体纳米线纳异质结构的新一代......
该文利用喇曼散射的实验方法,并结合一定的理论计算对一些Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶超晶格材料和一些高指数(n11)面上生长的闪锌矿结构的......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料具有禁带宽度小、载流子迁移率高、激子玻尔半径大、光电转换效率高等优点，是极具应用价值的一类半导体材......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,......
采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga_2O_3的方法制备六方纤锌矿GaN,利用XRD,SEM,TEM对所制备的Ga N的结构、形貌进行表征和分析,使用......
以GaN和(GaIn)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影......
量子点的性质主要由其密度及尺寸参数控制,而原子在衬底上的成核运动又决定了量子点的密度、直径、高度等参数,因此研究原子的扩散......
低温分子束外延技术的应用，使高浓度掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体得以成功制备，与现代半导体器件兼容．本文概要地回顾了磁性半导体的发展......
现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大......
目前,通过离子注入或外延技术,已把稀土离子成功地掺到Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,由于4f壳层的特征发光波长主要取决于稀土离子本身,而......
Some new results of implant disordering on InP based MQW structures by im-planted compositional disordering are presente......
采用室温下微区Raman散射方法，观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模，由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v，从而使禁戒的TO模......
在室温和低温液氮下,研究了有序和无序Ga0.2In0.48P的时间分辨发光谱.对实验结果的拟合表明,有序Ga052In0.48P的发光呈双指数规律......
论述了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制，其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法，化学法包......
由山东大学承担的山东省科技攻关项目——纳米材料和器件的制备、表征及其应用，通过了技术鉴定。该课题首次利用多孔纳米固体研制出......
采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ；Ｎ的光致发光谱中观察２到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线。通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到了ＧａＰ：Ｎ低温光致发......
