硅基底相关论文
氧化钼薄膜是一种优异的空穴传输材料,其薄膜功函数具有显著的厚度依赖特征.通过精确控制真空热蒸发参数在n-Si微纳结构上沉积超薄......
利用溶剂引导的无序--有序相转变的方法在硅基底上制备了形貌可控的自组织嵌段聚合物薄膜，对影响形貌的条件进行了讨论，在此基础上，以......
会议
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条汉志、倒脊型波导等多种结构的特性，通过对测试结果......
选择了具有代表性的化学官能团,羟基(—OH)、氨基(—NH2)、羧基(—COOH)和甲基(—CH3),通过在单晶硅片上进行接枝改性,并在改性后......
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微......
公开号 ＣＮ１１８８８１７Ａ 申请人 ＭＥＭＣ电子材料有限公司 地址 美国密苏里州 一种用于清洗硅体和可控地降低覆盖在硅基底上的二氧化硅厚度的......
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结......
研究了化学气相条件下金刚石在非均匀研磨硅基底表面及镜面基底和均匀研磨基底边缘及角域处的成核行为。发现ＣＶＤ金刚石成核不仅依赖于......
利用脉冲多弧离子镀技术在硅基底上沉积出非晶的类金刚石薄膜。薄膜的折射率为 2 8左右 ;沉积速率与主回路电压以及脉冲频率有关 ......
在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能......
采用射频磁控溅射方法在单晶硅基底表面制备了单一相纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜,相变幅度超过2个量级;利用快速热处理设备对VO_2......
采用热丝ＣＶＤ法，以Ｈ２和ＣＨ４混合气体为气体源，在涂有巴基管的单晶硅基底上，对金刚石薄膜生长进行了优化工艺参数实验。对所得薄膜进行了Ｘ射线衍射......
超级半导体材料GaN的时代正开启。并在射频领域中受宠,其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品。另外......
构建了一种硅基PMMA/SiO2-ZrO2有机-无机复合光波导结构,采用溶胶-凝胶法在硅基底上制备厚度约17μm的PMMA薄膜作为包层材料,在硅......
介绍了一种用铜作催化剂,辅助单步湿法刻蚀多晶硅片的工艺。该方法具有成本低廉和操作简易的特点。系统研究了反应物浓度和温度对......
首次研究了用PECVD方法制作的氮氧化硅光波导在超大规模集成电路光互连中的应用。以光致抗蚀剂波导为例,初步探讨了有机物和聚合物......
晶硅基底的反射系数较高，使得入射光的反射率达到40％，严重影响了单晶硅基底的光学及光电学器件的性能，例如太阳能电池、显示器、光......
叠氮化铜(Cu(N_3)_2)作为一种低毒、高能的起爆药,具有很好的应用潜能,但是由于其感度较高,限制了其实际应用。碳纳米管(CNTs)作为......
随着对通信带宽要求的提高，急需发展一种全光网络.其中一个重要的部分就是目前开关的替代品，它必须能够将光信号转换成电信号，然后再......
全口义齿使用硅基底能解决义齿的耐受性和保护问题。这种材料具有柔软性和弹性、良好的耐受性以及在一定时间内的稳定性。硅基底......
运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜／Si界面化学结构和性能的影响：在PZT薄膜和Si基底间增加Pt扩散阻挡层，可以抑制TiCx物种和Ti......
运用XPS和AES研究了PZT薄膜／Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应：在热处理过程中，气氛中的氧气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT／Si界面......
利用自组装技术在硅基底制备FOTS自组装分子膜,对FOTS自组装分子膜进行紫外照射.采用接触角测量仪、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红......
捕蝇草可在100ms的极短时间F8通过凹陷和凸起圆裂片的形状未捕食昆虫，受此启发，美国科学家设计了一种高速自适应光学新材料。这项研......
采用聚乙二醇和铁盐、钴盐的乙醇溶液,通过旋涂法在硅基底表面分散得到制备单壁碳纳米管的催化剂颗粒,并用水汽辅助化学气相沉积法......
据媒体报道,德国斯图加特大学和马普金属研究所的研究人员近日利用二氧化钛和一种有机聚合物,开发出了具有珍珠母特性的纳米材料,......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同温度单晶硅基底上制备了WSx固体润滑薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射......
采用拉伸分子动力学方法研究了单壁碳纳米管(8,8)在室温下从硅基板上被剥离的过程.当碳纳米管(CNT)在硅基底上被剥离时,剥离距离和......
通过化学气相沉积方法合成截面为六边形的单晶钨纳米晶须,利用纳米压痕仪和原子力显微镜对硅基底上的钨纳米晶须的力学性能进行表......
在负折射率薄膜热辐射特性研究的基础上，进一步探讨了具有SiC基底的负折射率薄膜复合体的热辐射特性，并利用传输矩阵方法及基尔霍夫......
利用热丝化学汽相沉积法生长出优异的金刚石薄膜.研究表明，金刚石的成核依赖于沉积点的尖锐度，薄膜的生长包括晶粒长大和薄膜上的二......
用磁控溅射法在硅基底上制备了不同调制波长Λ的ＳｉＣ／Ｗ纳米多层膜，利用小角度衍射技术（ＬＸＤ）研究了各样品子层界面的调制周期性，并用上限为２０ｍＮ的超显......
使用多层沉积和大块沉积两种技术,在硅和蓝宝石的单晶基底上沉积了Yba2XCu3O7高Tc薄膜.实验显示:在硅基底上得到了转变温度为80K的......
金刚石/硅声表面波基片的金刚石层晶粒的细化有利于传播损耗的降低,本文采用热丝化学气相沉积法进行了硅基体上沉积细晶粒金刚石工......
在典型的热丝化学气相沉积（HF-CVD）设备中利用辉光放电等离子体实现了镜面抛光的单晶硅（100）基底上金刚石高密度异质外延形核．实验中以......
利用电子束热蒸发技术在两种不同粗糙度的K9玻璃和一批单晶硅基底上沉积了单层二氧化钛(TiO_2)薄膜,并对这些样片进行了氧离子后处......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同激光通量下烧蚀CNx靶,在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X......
采用自组装技术,在碱性溶液中制备黑色素自组装薄膜。利用扫描电镜、红外光谱、光电子能谱和X射线衍射仪对其进行表征。结果表明,......
为了研究碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性,采用酞菁铁高温热解方法在机械抛光铜基底上直接生长了碳纳米管薄膜(Cu-CNTs),Cu-CNTs生......
采用酞菁铁高温裂解法在镀有镍金缓冲层的硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni/Au-CNT),并采用二极结构在相同的主Marx电压下研究了其强......
