立方氮化硼薄膜相关论文
立方氮化硼（c-BN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度在6.1-6.4eV范围内,具有优异的物理化学性能,可通过掺杂形成n型或......
本文采用射频磁控溅射法在离子注入氮、硼的高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,研究了不同成分的缓冲层对c-BN薄膜相结构和内应力的影......
本文探索研究了硅基体注入氮、硼元素对后续射频磁控溅射沉积制备c-BN薄膜的影响,试验结果表明:离子注氮能有效提高薄膜的立方相含......
用射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜,由傅立叶变换红外吸收光谱计算其立方相含量,用紫外-可见光分光光度计测得薄膜的反射......
用射频磁控溅射的方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明薄膜具有很好的附着力，且含有少量的E-BN和w-BN。电子衍射谱表......
采用射频（RF）磁控溅射的方法，成功地在（100）单晶硅片上沉积制备出了高品质的c-BN薄膜，并通过对基片的高能离子束的预处理，有效地改善了c－BN......
利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉......
立方氮化硼是一种人工合成矿物,具有与世界上最硬的金刚石相同的硬度,它绝大多数供制造超硬刀具使用。但是,其制造方法与人造金刚......
本文概述了最近十年来国外合成立方氨化硼薄膜的各种方法，指出了各种沉积技术的特点，并给出了试验条件、影响因素及合成立方氮化硼薄......
In This paper, the mechanism of depositing C--BN,thin films and its application in the production, are emphatically int......
用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）合成：ｃ－ＢＮ薄膜获得成功。实验结果表明，灯丝温度、反应气压、衬底温度、灯丝与衬底距离对薄膜质量......
立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高......
立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）具有一系列优异的物理化学性质，如高的硬度，宽的带隙，高的电阻率，高的热导率，高的热稳定性、化学稳定性，在力学、光学和电子学......
简述了立方氮化硼的优异性能、国内外研究立方氮化硼薄膜的历史、现状、应用前景及存在的问题.
The excellent performance of cu......
页次……J住月月‘八几乃性一匀︸协亡J u.曰刀曰﹃卜 题名环境材料发展与展望—第二届国际环境材料大会综述新型碳材料的发展趋势梯度......
采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅 (10 0 )上的c BN膜生长过程。在X射线光电子能谱分析仪上 ,用氩离子剥离c B......
采用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在较大面积（≥５ｃｍ２）镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．所用气体为硼烷、氨气和氢气的混合气体．实验发......
低压下沉积ｃ－ＢＮ薄膜是近年来凝聚态物理和材料科学研究的热门课题之一．我们应用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积技术，在多种衬底上沉积......
立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 在机械、热、电子及光学方面有许多优异性能，因此世界上有很多研究人员从事ｃ－ ＢＮ 薄膜制备的研究，近年来薄膜沉积技术和ｃ－ ＢＮ 薄......
为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用......
等离子喷涂技术在固体氧化物燃料电池中的应用介绍了等离子喷涂制备固体氧化物燃料电池(SOFC)中的电解质、阴阳极及其功能组件的研......
采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结......
研究了热灯丝射频等离子体化学气相沉积法立方氮化硼薄膜。实验结果表明，沉积条件对膜的质量及结构有重要的影响。在合适的条件下，可......
0616831Si对Ti Al合金高温抗氧化性能的影响〔刊,中〕/肖伟豪//北京航空航天大学学报.—2006,32(3).—365-368(L)0616832薄板钢构......
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(MW-ECRCVD)法,BF3-H2-N2-Ar为反应气体,制备立方氮化硼薄膜.应用傅立叶红外光谱(F......
本文运用离子束辅助沉积法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,主要研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中立方氮化......
该工作用射频（ＲＦ）磁控溅射方法，在经预处理后的（１００）单晶硅片上得到立方氮化硼薄膜。红外光谱、透射电镜形貌及电子衍射分析表明该膜为结晶良......
该工作报道了低应力立方氮化硼薄膜。TEM测量表面薄膜表面是一层纯立方氮化硼。红外光谱结果表明在这个层与基底之间是由E-BN和W-B......
运用射频磁控溅射方法研究了不同衬底上立方氮化硼薄膜的生长。红外谱分析表明在硬质合金衬底上沉积立方氮化硼薄膜时，负偏压对立方......
测量了用射频溅射法制备的立方氮化硼薄膜的紫外－可见光透射和反射谱，计算了氮化硼薄膜的光吸收系数和折射率，进而利用Ｔａｕｃ公式及Ｓｔｅｒｎ公式得到......
介绍了一种新的等离子化学气相合成功能薄膜的方法—不等电位空心阴极效应法（简称双阴极辉光放电法）及其基本原理。采用此法在Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔｉ等......
立方氮化硼(cBN)是一种人工合成的半导体材料,具有良好的物理化学性质,在热学,力学,光学,电子学等方面有着广泛的应用前景,因此立......
立方氮化硼（Cubic Boron Nitride，简称cBN）有着优异的物理化学性质，硬度高、耐磨性好、抗氧化能力强、不易与铁系金属发生反应、可进行......
立方氮化硼(cBN)具有优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
该文报道用了热丝辅助射频化学汽相沉积法,以氨气和硼烷和氢气为反应气体,在硅、金刚石和镍衬底上生长立方氮化硼(c-BN)薄膜,利用X......
该论文的工作主要是用射频反应磁控溅射方法研究立方氮化硼薄膜(c-BN)的沉积和生长机制.现已成功地在金属触片上制出低应力的c-BN......
立方氮化硼(c-BN)是硬度仅次于金刚石的超硬材料，具有高的热稳定性、出色的化学稳定性以及可以对其进行n型或者p型掺杂成为半导体等......
该文主要研究cBN薄膜的制备、光学带隙以及BN(n-type)/Si(p-type)异质结的特性.使用射频溅射(RF)系统,靶材为烧结的六角氮化硼(hBN......
