光电特性相关论文
本文通过PV Lighthouse模拟了硅片厚度（从50μm至200μm）对晶硅异质结（SHJ）太阳电池的光学吸收及光生电流密度的影响，剖析了电池柔性化......
随着新兴信息技术的飞速发展,高响应、小体积的光电器件也越来越受到研究者们重视。目前,常用的半导体材料禁带宽度大多处于紫外到......
GaN是一种理想的短波长发光器件材料。基于In GaN/GaN多量子阱的P-N结器件不仅可以在电流驱动下发出特定频率的光,同时也可对特定......
近年来钙钛矿材料成为太阳能电池领域的新星,其具有光电转化效率优异、光吸收能力强、量子效率高、载流子迁移率高以及发射波长可......
人工智能（AI）,物联网（IoT）和机器学习（ML）等领域如火如荼的发展对现代计算设备运算能力提出了更高的要求。然而,当前基于“冯·诺依曼”......
硒化钨（WSe2）是过渡金属硫族化物（TMDCs）的重要成员,具有类似的层状结构。WSe2容易被剥离为单层的二维晶体,其能带结构会由体材料时的......
四元及五元硫化物功能纳米材料是一类具有广泛物理和化学性质的重要多功能性材料,丰富、灵活的组成和结构使其在半导体领域拥有巨......
黑磷作为二维材料家族中独特的一员,在光电器件领域具有一些特殊的特性,比如:连接石墨烯与过渡金属硫化物带隙空白的桥梁,黑磷具有......
无机发光二极管微显示（LED微显示,即LED microdisplay）技术被认为是新一代显示技术,近年来,以微米尺寸发光二极管（即micro-LED）技术为......
钙钛矿太阳能电池中电子传输层对太阳能电池的性能至关重要,其中TiO2具有带隙大、电子寿命长、制备成本低等优点,是目前钙钛矿太阳......
ZnTe因其优异的光电性质,在蓝绿光器件、太阳能电池等领域应用前景广阔。本文基于第一性原理,研究了不同浓度A1和Sb掺杂对ZnTe光电......
二维半导体材料以其优越的性能受到人们广泛的关注和研究。本论文基于密度泛函理论的第一性原理,利用不同比例铬（Cr）原子替位石墨烯......
有机光电探测器（OPDs）具有许多优点,如活性层材料种类多,吸收波长范围可调,材料轻,制备工艺简单,成本低,吸收系数大等。在光探测领域......
采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一性原理方法,理论研究等浓度不同类型本征缺陷对锐钛矿TiO2材料的光电特性的影响.通过对各体......
二维材料因其优异的物理特性而有望代替传统半导体成为未来纳米电子器件的发开和制备的热门候选者。虽然科研工作者们已经研究了许......
学位
采用脉冲激光沉积技术（PLD）,在TiO2终止面的SrTiO3（001）和斜切20°的SrTiO3（001）基底上外延生长了钙钛矿氧化物LaAlO3/SrTiO3界面,研究了......
砷化镓（GaAs）材料是制作光电导太赫兹（THz）器件的最佳材料之一,研究砷化镓材料在太赫兹波段的光电特性和载流子超快动力学,对于优化GaA......
二维过渡金属硫化物（2D-TMDs）材料（如MoS2、WS2、SnS2、NbS2）具有优异的光学、电学、光电学、力学等性能,材料厚度为0.1～1 nm,具有理想......
二硫化钨（WS2）因其优异的光电性能近年来被研究人员所关注。其拥有良好的延展性、柔软透明的特性和高的载流子迁移率。同时具有带隙,......
粘弹性有机材料是生活中一类重要的功能软物质,而具有光电功能的粘弹性材料因为兼具光电特性和粘弹性更是受到了人们的广泛关注。......
ZnO是典型且重要的宽禁带半导体材料,激子束缚能60meV,Eg=3.37eV,远比室温激活能（26meV）、ZnS（40meV）以及GaN（25meV）高出许多,是室温下实......
在过去的十几年里,二维材料的研究受到科研工作者广泛的关注。二维材料中的量子效应和较强的电子相互作用使得这类材料具有与体材......
研制了以镱银合金为透明阴极的顶发射白光OLED器件.采用ITO/NPB:LiQ(5％)(10 nm)/TCTA(20 nm)/FIrpic+3.5％Ir(ppy)3+0.5％Ir(MDQ)2(acac......
全无机钙钛矿CsPbX3(X=Cl,Br,I)纳米晶作为一类新型的低成本直接带隙半导体材料,具有优异的光学性质,如吸收系数高、尺寸和发射波......
采用超声喷涂热解淀积方法将SnO:F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁.XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明,SnO:F薄膜为多......
介绍了钙钛矿电池的技术现状与挑战，无铅/少铅钙钛矿电池的发展，无铅/少铅钙钛矿材料及高效率太阳电池，无铅/少铅钙钛矿电池的稳定性......
采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂SnO2、ZnO薄膜，通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究......
本文以高聚物——聚偏氟乙烯(PVDF)为凝胶剂,分别将有机溶剂体系电解质、离子液体电解质固化,并采用这两种体系的电解质分别封装成......
胶体量子点(CQD)纳米材料具有光谱可调、稳定性高、可溶液加工和与柔性基板兼容性高等特点,被广泛用于太阳能电池、发光二极管和光......
六硼化镧作为优秀的热电子发射材料在过去几年获得了广泛关注。近年来,由于其具有低功函数和高电导率等优点,也被认为是一种优秀的......
本文利用射频磁控溅射法制备了ZnO光电导型紫外探测器并采用SiO2薄膜对ZnO表面进行钝化,研究SiO2钝化层对探测器特性的影响.磁控溅......
本文介绍了最新的使用离子注入技术的太阳电池光电转换效率.在单晶上实现了超过19％的光电转换效率.相应的60片封装标准组件功率超过......
本文采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2/ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)......
会议
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学水浴沉积法(CBD)制备了具有规则阵列结构特性的CdS/Si-NPA纳米复合体系。结果表明，组成CdS......
包含有纳米硅颗粒的富硅碳化硅(nc-Si/SiCx)薄膜由于其带隙可调等诸多特性,在硅基光电器件中有着很好的应用前景.已有报道指出,由......
本文研究了GaN基蓝光激光器的退化机制.通过对激光器老化前后光电特性测试分析,发现GaN基蓝光激光器老化过程中光输出功率随时间增......
本文采用磁控溅射FeSi2合金靶、Si靶和Al靶共镀加后续快速退火工艺在4H-SiC衬底上制备了β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管.采用Keith......
用LPCVD法在n型6H-SiC(0001)面(Si面)上异质沉积了Si薄膜,通过控制B2H6的流量实现Si薄膜的低掺杂和重掺杂.做成了Si/6H-SiC异质结p......
为适应高效率薄膜太阳电池应用,本文采用磁控溅射法生长三种不同沉积方式的氢化作用下Mg和Ga共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)......
本论文借由雷射剥离技术与粗化制程,制作出一薄膜覆晶式发光二极体(Thin-film flip-chip LED,TFFC-LED)元件,探讨其光电特性与制程......
本文制备了一种具有高电阻率和稳定性的新型含氟手性液晶材料，并对其液晶性及螺距进行了检测。将其作为手性剂掺杂到TFT混合液晶中，......
研究了在聚酰亚胺柔性衬底上低温生长超薄铜铟镓硒电池吸收层厚度变化对其晶粒形貌、光电性能的影响.通过XRD、Hall及光学的测试结......
会议
由于太阳能电池设计需选择最佳沉积参数和合理的工艺方式,因此ITO薄膜的光电性能需具有优异的匹配性和可靠的数值是必要的.因此采......
纳米薄膜是具有纳米微结构的薄膜材料,其结构可从几纳米至0.1微米,可由多种方法得到,如:RF方法、PECVD方法.薄膜的结构特点是:由纳......
