光电晶体管相关论文
二维材料物性奇特,在催化、能源储存和转换领域、微电子领域有着巨大的科学研究、工业应用以及经济价值。本论文立足于二维材料研......
有机单晶光电晶体管具有高增益、低噪声等优势,在弱光探测、光存储、图像传感等领域有着广泛的应用前景。目前,有机单晶光电晶体管......
二维半导体材料的出现为研发可穿戴、轻便化、高性能、宽波段探测的光电子设备带来重要机遇。二维α-In2Se3是一种同时具有面内、......
二维材料具有许多独特且优异的物理化学性质,但原子级的厚度限制了这类材料对光的吸收截面,成为阻碍其应用于光电子器件的关键问题......
二维半导体材料由于具备优异的电子和光电子特性,被认为是最有可能替代硅基材料的新一代材料。硒化铟（In2Se3）是一种具有结晶多态性......
目前硅基芯片技术的发展逐渐进入了瓶颈时期,逻辑密度逐渐趋近于物理极限,并且由于短沟道效应和微纳加工技术的限制,“摩尔定律”......
全无机铅卤钙钛矿量子点因为同时具有钙钛矿材料优异的光吸收性能、低温的合成制备工艺和随卤素阴离子可变带隙的特点,以及胶体量......
深紫外探测技术因其空间背底噪声低、灵敏度高等特点而在导弹预警与制导、保密空间通讯、紫外成像、火焰探测和臭氧空洞检测等领域......
在石墨烯和氮化硼衬底上进行范德华外延生长可以得到超薄有机晶体.该类有机晶体可以用于制备高性能场效应管[1][2].几乎理想的界面......
硅基光电晶体管在高频通信、自动控制、电力系统领域具有广泛的应用前景.从系统验证和仿真的角度,迫切需要建立光电晶体管的等效电......
反射式检测器的电路如图,当LED1发出的红外光从物体反射回光电晶体管Q1后,检测器电路便产生输出脉冲。安装时,红外LED和光电晶体......
靠肉眼来判断红外发射器工作是否正常比较困难。这里提供一种极为简单但相当有效,既可见又可闻的红外线检测电路,使检测到的红外......
Z99-51304-1 9914832纳米硅薄膜与纳米技术进展[会]/林鸿溢//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—1～3(D)开展纳米科学技术研究,是......
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体......
3·3系统主要硬件的配置3.3.回脉冲编码器采用光电旋转式脉冲编码器，每转可输出360个脉冲。图4为其结构图，随着轴的旋转，写入黑白囹形......
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模......
用光电晶体管替换 HEMT作为输入端 ,结合 RTD可以构成新的光控逻辑单元 ,它具有光电流开关和自锁功能 ,该功能在实验及电路模拟中......
当设计者用光电晶体管将一个调制后的光信号转换成电信号时,如果有高亮度的背光使光电晶体管饱和,就会遇到麻烦。当光电晶体管基极......
1.前言为发展电弧焊接的自动化及智能化,传感器的应用是非常重要的。而传感器千差万别,其种类繁多,应用范围甚广。在焊接过程中,......
有机半导体材料具有轻质、廉价以及可与柔性衬底相兼容等诸多优点而广泛应用于光电子领域。基于光诱导效应的光敏场效应晶体管的跨......
研究了一种新型AlGaAs/GaAs穿通型光电晶体管。其独特的发射极和隔离环电极结构能消除器件周边的表面复合,减小发射极面积和电容。......
针对《传感器技术》课程内容较广且前后关联性不大这一问题，提出将BOPPPS教学模型与探究式教学法进行融合，以此实现有效教学。本文以......
有机光电晶体管（OPTs）相比于二极管而言有更高的灵敏度和更低的噪声,在柔性显示、可穿戴电子等领域存在潜在的应用。目前,一些课题组......
制造了测量来自一个标准的和一个检验的反射镜的散射光大小的仪器,并且进行了试验。虽然仪器的数据处理依赖于高斯理论,但我们用非......
Jowa Marine Group生产一种水中含油量为0～15ppm的电子测量仪表.其工作原理为待测液体流经玻璃管,由发光二极管发出红外光,然后由......
采用精密的侧吹辅助气体调节和控制装置，实验研究了等离子体控制的各种工艺参数；采用光电晶体管检测熔池表面及小孔内等离子体光强变......
1 发光二极管(LED) 发光二极管是一种能够发光的半导体二极管。其英文名称为Light Emitting Diode,通常缩写为“LED”。制作发光......
本文是1959年12月15日在倫敦召开的磁記录技术討論会上提出的一篇論文。文中探討关于快速起停数字磁带机的若干問題。介紹了一个带......
在日本松下电子工业(公司),除生产作固体灯用的可见光发光二极管外,还研制测量控制用的种种红外发光二极管及其受光器件。为了推......
在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体激光器作光源，经光纤耦......
这是美国D.A.T.A.公司新出版的专门介绍电光器件参数的期刊,半年出版一期。1977年第一卷已出版,列举了22类7000种器件的主要参数......
本文报导了一种新颖的异质结光电晶体管(HPT),它采用的是双基区结构,以便使发射极-基极耗尽区置于宽禁带材料中。在半绝缘衬底上制......
只用少量廉价元器件就可以把一个光电隔离的半双工ＲＳ２３２接口增加到Ｐａｒａｌａｘ的ＢＡＳＩＣＳＴＡＭＰ２（见电路图）。此电路起着开关的作用，实现从程序设计（非隔离）到正常操作......
GaAlAs隐埋异质结激光器已经和双极晶体管实现单片集成。异质结晶体管是通过激光器的掩埋层进行再生长形成的。激光器阈值电流的典......
在毛主席无产阶级革命路线指引下,在批林批孔运动的推动下,我们试制成功一种新型的光电子器件——GaAs-Si光电开关,又可称为光隔......
利用分子束外延(MBE)和离子注入来制造隐埋宽禁带发射区的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管。倒置型的电流增益约为100,表明了这种技术......
本文综合报导了第一只缓变基区双极晶体管。这个用MBE技术生长而成的器件有一个宽带隙Al_(0.35)Ga_(0.65)As发射区(n=2×10~(16)/c......
本文介绍在光通信和光一电子IC中使用的,用InGaAsP/InP四元材料制作的新的穿通肖特基·克莱克特光电晶体管(SCPT)和达林顿光电晶......
靠光传输信号的光耦合器的特性,由构成它的元件所决定。由于集成电路的高速化,要求与集成电路相连接的光耦合器也具有高速性能。......
研制了一种测量光合植物中感生叶绿素荧光的小型“考茨基仪”(Kautskyapparatus)。这个仪器的核心是由发光二极管及装在它背面的光......
