四探针法相关论文
本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜.运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的......
在线路板生产过程中,需要对铜层厚度进行测量。目前PCB企业使用的基本是进口的测厚仪,为了解决现存仪器测量结果与金相切片结果有......
本文研究了光照对taC:N膜电阻率的影响,文章采用四探针法测量了不同含N量的taC: N膜的电阻率.结果表明四探针法测量的taC: N膜电阻......
摘要：用芘丁酸修饰氧化石墨烯，加入铜离子，与芘丁酸进行羧基耦合，将氧化石墨烯桥连成三维网状结构，形成电子的传输通道，从而增强石墨烯的......
我们利用正电子湮没率对电子波函数敏感的特点研究了高T_c超导材料Y-Ba-Cu-O在相变温度附近区域的特性。正电子寿命、多普勒增宽......
有机导体TCNQ-TTF和喹啉Q_n(TCNQ)_2等有机电荷转移复合物单晶在高电场强下观察到非欧姆电导。对导电高聚物如电荷转移(CT)插入对......
采用普通丝网印刷技术在YSZ基片上制得零电阻温度力90K、转变宽度为2K、与基片能良好附着、具有良好工艺性的Y-Ba-Cu-O系超导厚膜......
将氧化石墨烯GO(Graphene oxide)进行热还原得到RGO(Reduced graphene oxide),通过液相法原位合成出RGO/M n O2电极复合材料。采用......
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
自从1981年A.Prón等人用三氯化铁掺杂钛系聚乙炔而得到高电导率掺杂聚乙炔以来,对此掺杂聚乙炔的低温电性能已作了一定的研究。......
铜中加入少量其它元素,其耐热性和导电性的变化已为人们所熟知。但加入微量其它元素的情况却报导很少。本文介绍了无氧铜中加入微......
介绍了利用四探针组成的电极及DC—1新型电导仪测定炉渣电导率的装置和原理,根据对我国广泛应用的L_4(15％CaF_2-30％CaO-50％Al_2O_3-5％M......
实验以ZnO-Ga2O3混合粉体为原料,其中Ga2O3掺杂量为3 wt％。采用热压烧结法制备GZO靶材,通过XRD分析物相组成,SEM观察显微结构,......
在半导体测量中,常规方法是把金属探针压接在半导体硅单晶表面上,电流通过金属探针与晶体表面的接触点流到体内,以探索晶体的各种......
选取Ⅰ(50%Pb-50%Sn)、Ⅱ(35%Pb-60%Sn-5%Zn)两种合金焊料,采用热浸镀的方法在钢表面覆镀媒介金属,用过渡液相扩散焊接技术将镀膜......
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研究了射频磁控溅射膜（Ｎｉ＿（８１）Ｆｅ＿（１９）＿（１００－ｘ）Ｎｂ＿ｘ的各向异性磁阻效应ＡＭＲ、矫顽力Ｈ＿ｃ、饱和磁化强度４πＭ，和饱和磁化场Ｈ＿ａ。研究其作为磁阻磁头材料和低磁场高灵敏度材料的......
本文介绍了用六探针测量无限大磁性薄膜的磁电阻率的方法，并讨论了探针因子Ｍｒ的值与探针相对位置的关系，找到测量所需的最佳参数．
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研究了DC/RF磁控溅射Fe/Mo多层膜的磁电阻特性.在反铁磁性耦合的样品中,观察到了磁电阻比率约为12%的巨磁电阻效应.当Mo层厚度改变......
采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等......
用四探针法、纵向表面磁光效应、极克尔磁光谱仪和椭圆偏振光谱仪研究了离子束溅射法制备的［Co90Al10(1.6nm)/Cu］30多层膜中的层间耦......
用溅射方法制备了几批Co／Cu多层膜和夹层膜样品，通过测试发现：Co／Cu多层膜样品的巨磁电阻与制备条件有关。在较高本底真空和较低工作气......
将真空蒸发沉积的铝膜 ,在一台高频等离子体辉光放电的装置中进行阳极氧化。铝膜表面氧化层的特性用XRD、XPS、AES和四探针法测定......
在p型硅 (10 0 )衬底上 ,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长 .用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜......
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄......
研究了Ｓｒ－Ｖ－Ｏ系统内低价钒氧化物存在时的相关系．用Ｘ光衍射分析鉴定了相组成，并用标准直流四探针法测定了１００～１０００Ｋ温度范围内的组成相的电阻率．结果表......
本文采用离子注入掺杂技术，研究了全氧化态聚苯胺薄膜的离子束效应．‘４０ｋＶＫ＋离子束注入后，聚苯胺薄膜的电导率随着剂量的增加而迅速增加．当剂......
介绍了一种快速加热快速冷却制备接近化学计量比的Nb3A1极细多芯线材的方法用四探针法测定试样的临界温度为17K，用Splitpair型磁体......
采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到......
测定离子注入后掺杂总数的方法可分为二大类。一类是对注入层进行直接分析;另一类是借助于对物理性能和器件参数的测量而间接地测......
本文对在不同B2H6浓度下制备的a-Si1-xCx:H薄膜进行热退火处理,利用四探针法分析了退火时间和掺杂浓度对薄膜电导特性的影响。结果......
在有机导体的电导测量中,一般采用多晶压片的四探针法。然而,由于有机导体具有很强的各向异性,同时多晶压片晶粒之间存在接触电阻......
概述电子工业的飞速发展,相应对半导体材料参数的精密测量提出了迫切的要求。我厂广大革命职工在伟大领袖毛主席“独立自主、自力......
G·C·Jain等曾对高温扩散到太阳能等级的多晶硅和单晶硅中的硼作过剖面分析:用阳极氧化对硅层逐次减薄,每次减薄后,用四探针法测......
本文叙述了检测扩散、离子注入均匀性的范德堡法,给出了扩散、离子注入片均匀性的测检结果、偏差图及其分析,并对四探针法和范德堡......
该系统是采用微机技术设计的一台用于检测离子注入、扩散掺杂工艺均匀性和重复性的自动化测量及数据处理系统(照片内左侧部分)。......
本文介绍采用微型计算机技术研制的一台用于检测离子注入、扩散等半导体掺杂工艺的均匀性、一致性及重复性的自动测量及数据处理系......
一、实验方法采用单靶DC溅射方去形成WSi薄膜。改变靶上的钨、硅材料有效面积调整组份比x。反应离子刻蚀形成肖特基接触图形,分层......
利用等离子体浸没离子注入(PⅢ)的束发散角适中这一优点,我们在高深宽比的Si沟槽中进行了硼的保角掺杂。结染色后用扫描电镜(SEM)......
对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ薄膜的制备工艺以及Ｎ＿２分压对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ膜的组分、结构、应力、电阻率等方面的影响作了分析研究。尝试性地对淀积完毕真空室中充Ｎ＿２造成靶面氮化......
采用溶胶-凝胶法在铁铬合金基体上制备掺杂钙元素的La1-XCaXCrO3导电涂层;用IR、UV分析溶胶成分,DTA、TG、XRD和SEM、AFM等手段研......
