费米能级相关论文
传统热催化和低温光催化体系在实际应用中都存在技术缺陷.近些年,人们通过将光和热耦合,克服它们各自的局限性,开创了光热协同催化......
CdMnTe（碲锰镉）材料作为新一代的半导体材料，在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd0.9Mn0.1Te......
阐述了铜冶炼渣区别于铜原矿的特殊性质及当前铜渣浮选的问题,重点介绍了固体物理学中的能带理论体系为解决铜渣浮选问题提供的新......
贵金属纳米颗粒负载于大比表面积材料表面构筑的催化材料广泛应用于化工医药、能源转化、环保等多个领域中的化学反应。通过合适的......
近年来,分子电子器件的研究在各方面都取得了显著的进展。同传统的无机材料相比,有机分子材料具有来源广、种类多、成本低、结构丰......
当线偏振光束在介质分界面上发生反射或折射时,其左旋和右旋圆偏振分量会产生自旋相关的重心分裂偏移。这种现象被称为光子自旋霍......
为探究团簇Fe3 Ni3优化构型的稳定性及其受外场影响的形变情况,并研究其催化性质,使用密度泛函理论中的B3LYP/Lanl2dz(Level)对设......
为探究团簇Fe4 P具有最优催化活性的构型,根据密度泛函理论,在B3LYP/lanl2dz量子水平下,对团簇Fe4 P的8种优化构型的能隙差、态密......
配位场理论融合了晶体场的静电作用和分子轨道的共价作用于1952年首次被提出，是解析热力学、地质矿物学和电化学系统中的结构畸变、......
在半导体光敏化产氢体系中,助催化剂非常重要,它能够有效地促进光生电子空穴对的分离和转移[1,2],其中以贵金属助催化剂的作用最为......
会议
采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了3C-SiC(001)-(2×1)表面的原子及电子结构.计算结果表明,3C-SiC(001)-(2×1)表面为非对......
重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用......
Majorana费米子服从非阿贝尔统计规律，其反粒子与其自身完全等价。固体中的Majorana费米子因为可以用来实现容错的拓扑量子计算[1]，......
电磁诱导透明(ElectromagneticallyInducedTransparency,EIT)最初是指在原子系统中通过耦合光束的相干作用，使初始状态不透波的介质......
目前，钙钛矿型光催化剂NaTaO3以它特有的结构在光催化领域成为国内外研究的热点，在光催化分解水制氢、光催化降解有机染料、光催化还......
自三维拓扑绝缘体被实验发现之后，拓扑半金属材料备受科研领域的青睐。拓扑半金属是费米能级附近受晶格对称性保护由体态电子形成能......
石墨烯是一种零带隙材料,为了实现这一先进材料在光电领域中的应用,必须对其进行精确的电子调制.概述了石墨烯费米能级调制的各种......
在人工合成金刚石技术日益成熟的背景下,纳米级的金刚石颗粒因其优越的性能,在工业、医学、半导体等领域得到了广泛应用。金刚石薄......
在极低温度下具有电、磁以及结构方面有趣的性能的材料,其范围被昂德希尔(Underhill)及其合作者扩展了。在最近出版的一期《自然......
气敏半导体薄膜内的载流子浓度与薄膜表面吸附氧密度的关系,可以反映气敏薄膜的敏感性。本文采用刚性能带模型,计算了不同厚度的Zn......
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任......
本文简要介绍了高温合金计算机的设计应用情况,并对当今众多的设计方法进行了分析归纳,这些设计方法大体上分成两类,第一类的特点......
纯 CaB6 单个晶体在高压力(1 GPa ) 和温度下面被综合(1050...
不过与终止两个边的 H 原子轧了 nanoribbons ( GaNNRs )是无磁性的半导体，在费密水平附近的额外的摇契约乐队导致转变从对半导体金......
利用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)研究四方相BiOCuS的电子结构、化学键和弹性性质。能带结构显示,BiOCuS为间接带隙......
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,研究了Zr、Cu、Zn掺杂对VH2的电子结构和解氢性能的影响.计算结果显示Zr......
石墨烯纳米带(GNRs)是一种重要的纳米材料,碳纳米管可看作是GNRs卷曲而成的无缝圆筒.利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统......
窄带半导体氧化铋(Bi2O3,带宽介于2.1-2.8 e V)因其强的可见光吸收和无毒性等特性而一直被认为是潜在的可见光催化材料.通常,Bi2O3......
提出了制备渗铁PAN碳纤维的一种新方法,研究了铁元素对碳纤维热行为的影响,探讨了铁元素对碳纤维热行为影响机理。结果表明,在初生......
利用纯金属铽和NH_4Cl粉末,通过高温气固相合成法,成功合成了新型层状铽氮氯化物,并通过粉末X射线衍射进行了结构表征,分析结果表......
石墨烯独特的结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域成为研究的热点,但其零带隙的特性严重限制了其应用。采用化学气化沉积......
本文用Ｔ．Ｂ－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好
This article uses T. The B-Rocursi......
费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学......
研究了氯掺合（Ｃｌｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）对非晶硅薄膜晶体管（ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ）性能的影响。在光照明下，ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ的断态漏电流比ａ＿Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的小得多，这是因为ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）的光电导率比常规ａ＿Ｓｉ∶Ｈ的小得......
应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新......
氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感，如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应......
本实验采用ＴＨＺ波形测量的方法获得了镀金的砷化曾晶体，金属半导体界面两侧费米面的弛豫平衡的时间常数是１２ｕｓ．实验中ＴＨｚ电磁波的发生机制是。飞......
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与......
硫钝化是一种比较有效的钝化ＧａＡｓ 表面的方法．本文使用Ｎａ２Ｓ、Ｓ２Ｃｌ２ 和ＣＨ３ＣＳＮＨ２三种化学试剂对表面本征层重掺杂层（ｓｉｎ＋ ）结构的ＧａＡｓ 样品进行了钝化，利用光调......
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,......
用EHT近似下紧束缚态方法讨论了BI-Sr-Ca-Cu-O体系超导体221相和232相的能带结构。结果表明底部刚好落在费米能级上的Bi6p能带很容......
尖晶石型结构的氧化物是一类常用的热敏材料和半导体磁性材料。其导电机理的研究,对提高热敏元件和磁性材料的性能很有意义,也能......
本文利用EHT(Extended Huckel Method)紧束缚能带计算方法,计算了Tl_2Ba_2CaCu_2O_8在晶体中三种不同氧缺位条件下的电子能带,讨论......
