射频磁控溅射相关论文
采用射频磁控溅射法制备了Nb掺杂ZnO薄膜，分析了溅射气压对NZO薄膜的结构及光电性能的影响。结果显示：当溅射气压分别为3.4 Pa、5.4 ......
本文采用Ti O2陶瓷靶及射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了一系列透明Ti O2薄膜,利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底温......
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga2O3薄膜并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火，通过对样品的晶体结构、透射率、表面......
陶瓷材料Li1.3A10.3Ti1.7（PO4）3（LATP）拥有7×104 S cm-1的高离子电导率,原料成本低,同时在空气中具有较高的稳定性,是一种理想的固态......
人类社会的发展对环境造成严重的污染破坏,特别是水污染,对动植物和人们的健康造成了恶劣的影响。对于水污染人们一直在努力进行净......
宽禁带半导体在日盲紫外探测方向具有广阔而重要的前景,所以近年来,以Ga2O3为代表的第三代半导体成为人们研究和讨论的热点问题,其......
具有高介电常数的Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
立方氮化硼（c-BN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度在6.1-6.4eV范围内,具有优异的物理化学性能,可通过掺杂形成n型或......
随着科学技术的发展,人们对半导体材料尤其是TCO薄膜的性能提出了越来越高的要求。而p型TCO由于其电导率低、可见光透过率低的缺点......
室温下,采用射频磁控溅射氧化锌(ZnO)粉末靶和铜(Cu)靶,在玻璃衬底上制备ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜.通过改变Cu层厚度,研究其对ZnO/C......
采用磁致伸缩薄膜FeGa作为敏感材料,优化设计了一种新型高灵敏声表面波(SAW)电流传感器.以中心频率150 MHz的延迟线型SAW器件作为......
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-......
采用射频磁控溅射技术在硅衬底和石英玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同衬底对AZO薄膜的结构、形貌、电学和光学性质......
采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜.利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构......
氧化锌薄膜晶体管（ZnO-TFT）由于具有低温下大面积制备、光学透明度高、丰富、无毒、低制造成本等优点,所以在液晶显示领域引起了国内......
采用射频磁控溅射技术,以纯钛为靶材,氮气为反应气体,通过改变氮氩流量比与基底温度在304不锈钢及玻璃表面制备了不同的TiN薄膜.利......
利用射频磁控溅射系统制备了调制周期Λ等于30 nm的一系列具有不同调制比例的ZrN/WN纳米多层膜.X射线衍射仪、表面轮廓仪及纳米力......
采用射频磁控溅射法制备氧化钒(VOx)薄膜，研究溅射功率对氧化钒薄膜结构、光学及力学性能的影响。利用表面轮廓仪、X 射线衍射仪、......
本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极,通过改变溅射气压(2 mTorr-12 mTorr)和衬底温度(室温--25......
作为新型环境净化材料,TiO在污水处理、空气净化等方面有着广泛的应用.本文采用TiO陶瓷靶及射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了一......
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功地制备了透明的TiO薄膜.在保持Ar气和O气流量比固定的前提下,研究了溅射总压强对薄膜结构与......
在室温下，采用射频磁控溅射法制备了Cu／TiOx纳米晶复合薄膜。利用X-射线粉末衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)对其结构进行表征，并研......
场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种，对于后栅型结构的FED则需要一种绝缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极，而氮化硅(S......
用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO3基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进......
ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，同时也是一种机电耦合系数较大的压电材料。在光电器件、声光器件和声表面波器件等领域有......
本文采用射频磁控溅射法在离子注入氮、硼的高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,研究了不同成分的缓冲层对c-BN薄膜相结构和内应力的影......
本文探索研究了硅基体注入氮、硼元素对后续射频磁控溅射沉积制备c-BN薄膜的影响,试验结果表明:离子注氮能有效提高薄膜的立方相含......
本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了衬底温度对其表面形貌和光电特性的影响.在衬......
本文采用射频磁控溅射制备ITO 和ZnO:Al 透明导电膜，并成功地将ITO/Ag 和ZnO/Al/SS 复合背反射电极应用于pin 和nip 结构的非晶硅薄......
采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,分别在n型和p型Si(100)衬底上制备N-Al共掺ZnO薄膜,研究了硅衬底的导电类型对结构及导电......
采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO......
利用磁控溅射法在制作完底电极的LaAlO3(100)衬底上制备了一层BaO-Nd203-Sm203-Ti02系(简称BNST)薄膜,再对薄膜进行退火处理。X射......
用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO(3.3nm)......
用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜, 并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方......
采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜。研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响。采用扫......
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜（PI）衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜（ZnO∶Al）。系统地研究了不同......
在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800 ℃,900 ℃和950 ℃下进行退火处理。利用X射......
采用射频磁控溅射法，在K9 抛光玻璃基底上沉积氧化钒（VOx）薄膜，研究在其他参数保持不变时氧分压参量对薄膜的结构、表面质量及透光性能......
在不同氨分压比(0~30%)下，用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性......
随着第三代通讯技术的发展，声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高，从最初的几MHz发展到现在的几GHz。高频应用系统的不断发展显著增......
ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催......
