直流溅射相关论文
利用直流磁控溅射技术在Si(100)基底上制备了不同偏压的Zr-B-O和Cu/Zr-B-O薄膜体系,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜......
从80年代末到21世纪初，大面积镀膜制备技术一直采用直流控制技术，这一技术一直无法解决高电弧放电、阳极消失以及靶面中毒现象，利用这......
本文在不同的基低偏压下，采用直流溅射石墨靶的方法制备了非晶碳薄膜。结果显示，随着基底偏压的升高，薄膜中的sp2石墨片状结构含量增......
本文通过研究硅靶中频反应磁控溅射SiO膜工艺特点及氧气分压对ITO膜特性影响,研究中频反应溅射SiO膜与直流溅射ITO膜的在线联镀工......
采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜, 研究了沉积过程中变换氧分压对薄膜光电性能的影响。采用XRD、紫外可见光分光光度计及AFM等方......
本课题介绍了一种不常见的直流溅射法制备纳米薄膜材料的新型方法，即对于不导电的有机小分子物质，通过导电的方式制备成纳米薄膜，即材......
本文在不同的基低偏压下，采用直流溅射石墨靶的方法制备了非晶碳薄膜。结果显示，随着基底偏压的升高，薄膜中的sp2石墨片状结构含量增......
<正>材料在外电场或电流的作用下,发生可逆的色彩变化叫电致变色(Electrochromic)现象.电致变色材料在大面积显示、调光囱户(Smart......
用转矩磁强计和磁秤研究了直流溅射RFe_2(R: La,Ce,Pr,Nd,Sm,MM)非晶薄膜的饱和磁化强度M_s和平行膜面的单轴磁各向异性K_u的温度......
研究了直流溅射造成硅器件性能劣化的原因，探讨了用液相钝化预处理能提高溅射合格率的机理，提出了避免劣化的方法．试验证明，液相钝化多......
制备包含α-Fe2O3与SnO2的双层气敏薄膜，研究发现：Ar＋刻蚀可同时除去薄膜表面的物理吸附氧和化学吸附氧，剩下晶格氧，因而O1s的XPS谱图变......
本文通过倒筒式直流对靶溅射 (ICP)方法 ,在 3英寸范围内LaAlO3 和蓝宝石 (Al2 O3 )单晶基片上成功实现了两面同时沉积YBCO(YBa2 C......
主研人员：李言荣 陶伯万 刘兴钊 姜 斌 罗 安 徐 进 何世明 双向YBCO高温超导薄膜的两面同时溅射沉积技术通过基片绕夹具......
将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光......
室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜。研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热......
利用直流溅射仪制备了纳米金薄膜,并通过随后的退火处理得到了纳米金颗粒,研究了不同衬底、溅射时间、退火温度及时间对纳米金颗粒......
2.4 ZnO掺杂透明导电氧化物沉积透明导电氧化物薄膜,例如SnO2、ITO、ZnO,有很多应用,如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺......
两项重要的技术突破代表了溅射工作的发展。这就是:(1)在六十年代后期高频溅射方法的有效发展,似乎极大地扩展了新溅射的导电及非......
在磁场与阴极表面平行的二极管装置中，使在Ｅ×Ｂ方向漂移的电子流自身围旋形成电子捕集阱，可以把这样的二极管装置当作磁控管溅射源。有......
从理论和实验上深入研究了反应直流磁控溅射放电的电流-电压特性。指出,利用此特性可以判别反应直流磁控溅射过程中靶面状态的变化......
采用ＷＯ３陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜．介绍了制膜工艺．分析测试表明，膜有无定形结构；除有正常成分ＷＯ３外，还含有来自衬底及反应室内的微量杂......
利用ＸＲＤ和ＳＥＭ观察了在不同衬底材料上用Ｓｏ１－Ｇｅｌ法制备的ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜的显微结构。发现ＰＺＴ薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。ＰＺＴ薄膜在金属铂片上能......
报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系......
采用直流溅射方法制备了厚度小于0.1μm的NiOx薄膜，研究薄膜的加热氧化及其光电特性，测量了它们的透射光谱和电阻率随薄膜中的氧含量......
用Ａｕｇｅｒ电子能谱（ＡＥＳ）对Ｘ光激光实验使用的Ｎｄ薄膜靶的表面氧化进行了分析，结合Ａｒ离子束刻蚀进行元素的深度分布剖析，得到了表面氧化层厚度，所得结果与......
介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光......
随着热处理温度上升，在SiO2／Si衬底上溅射的Pt、Pt／Ti电极中，构成Pt薄膜的晶粒由小变大，由分布均匀到晶粒局部聚集，最后分离成小岛.Ti层......
采用直流溅射法在 ( 1 0 0 )LaAlO3 单晶基片上制备了La0 67Sr0 3 3 MnO3 +δ/Pr0 7Ca0 3 MnO3 +δ/La0 67Sr0 3 3 MnO3 +δ......
采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜．通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的，界面清晰，与设计周期基本相同．通过Ｘ射线衍射方法检测了该多......
研究了直流溅射ＺｎＯ薄膜在阴极射线激发下紫外光（约３９０ｎｍ）和绿光（约５２０ｎｍ）的发光与激发电子束电流密度的关系，随激发电流密度增加绿光相对下降，紫外光相......
为进一步探求磁控溅射的机理，本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜的方法，由沉积后的ＩＴＯ膜的特性来揭示不同溅射方法的机制。
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对于以Si为衬底的Y1Ba2 Cu3O7-x薄膜 ,当x >0 .5时 ,薄膜的导电性由超导态转向半导体态。我们采用了直流溅射法在Si,SiO2 /Si和 /S......
采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对(100)MgO择优取向......
采用直流溅射的方法，在Ｐｔ３Ｃｏ 合金靶上加贴Ｎｉ 片，把（Ｐｔ３Ｃｏ）１ － ｘＮｉｘ 合金薄膜中非磁性原子与磁性原子的比率从３∶１ 调制到１∶１ ．通过高角Ｘ 射线衍射谱和磁性的研......
溅射法制备高温超导YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜材料目前存在的主要问题是沉积速率慢,制备效率低,大面积薄膜均匀性差.本文中,设计了多......
以直流溅射方法和真空蒸镀方法结合制备了单组份纳米铝薄膜、纳米金薄膜、纳米2,5-二苯基噁唑(DPO)薄膜和双组份纳米Al/DPO、Au/DP......
V形栅的设计思想可由图2表明,其原理已在Electron.Lett.1974,[10],P.478一文中阐明。用厚0.5到1微米、掺杂浓度n(∽－)10~(17)厘米~......
大部分的薄膜电阻是将金属氧化物作为一种成分,再将该部分与其他金属进行多种组合形成的。从前,非常稳定的薄腹电阻开始是镍-铬电......
美国贝尔电话公司实验室最近用直流溅射方法制成高导率的透明电极。在他们做的一系列实验中,试用了多种气体,以在纯氢气中溅射薄......
本文首次报道a-GaAs(:H)膜暴露于激活态氧之后的光电子谱的测量结果.样品是在超高真空系统中,在Ar和H_2的混合气体中用直流溅射方......
建立了一套直流溅射系统以及其它辅助装置。溅射参数得到控制，测量了腔的超导性能和铌膜的特性。
Established a DC sputtering sy......
