化学汽相淀积相关论文
太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本......
综合介绍了TaO的特性以及在微电子、光学MEMS等领域的应用.根据作者的研究,设计、仿真与加工,介绍了TaO薄膜光波导的结构、加工工......
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研......
化学汽相淀积（ＣＶＤ）设备的使用与维修王焕杰，张克云，陈振昌（复旦大学．上海．２００４３３）自８０年代初开始，化学汽相淀积（简称ＣＶＤ）工艺及其专用设备，在我国半导体器件制......
报道了在化学增速离子束腐蚀金属有机化学汽相淀积 GaN 的过程中使用 Ar 离子和 HCl 气体的情况。研究了腐蚀速率与离子束能量和衬......
本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阶材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关......
在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......
最近,LAM公司推出了一种先进的制程设备,可用于生产300mm(12英寸)硅片,从而实现了技术上的突破。工程师们用LAM集成式低压化学汽......
以二氧化硅、氮化硅薄膜为例论述了紫外光能量辅助化学汽相淀积的反应机制。二氧化硅薄膜的组成为纯ＳｉＯ２；氮化硅薄膜中含有氧元素，组成为......
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺......
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，......
3.n~+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n~+在p上(或p在n上)的HgCdTe光电二极管结构(见图1),这种......
本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件......
本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了LCVD的实验装置后，只要适......
对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为......
化学汽相淀积的具有光学品质的金刚石,除了具有合成金刚石的低强度特性之外其光学特性、热特性以及机械特性均与天然的Ⅱa型金刚石......
报道了用 Ｘ 射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ Ｂ Ｓ Ｒ Ｆ）３ Ｂ Ｉ Ａ 光刻束线获得的 ０５μｍ 光刻分辨率的实验结果。
The experim......
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结......
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了......
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，实现了1．31μmAlGaInAs／InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时，管芯最大......
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能......
目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术......
对金属加工而言,关键问题之一是如何提高刀具的使用寿命。“涂料刀具”是答案之一.涂镀时根据不同的工艺,刀具温度与室温差达2000......
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化......
英国阿斯科特的Element Six公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚......
美国Group4LabsLLC公司开发出他们声称是世界上的首片金刚石上GaN半导体晶片。这块金刚石上GaN晶片研制了三年,晶片与合成金刚石衬......
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm～377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明......
斯坦福大学的科学家G.Solomen与美国CBLTechnologies及德国柏林的PaulDrude固体电子学研究所合作,将有机金属化学汽相淀积(MOCVD)......
国家半导体照明办公室调查统计结果显示:2008年,我国外延芯片设备增加较快,芯片产能增长迅速。据统计,国内MOCVD(金属有机物化学汽......
1 引言rn以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料.其1.9-6.2eV连续可变的......
报道了自行设计的将二维Ｄａｍｍａｎｎ光栅和Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器，并用等离子体增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制......
一、引言在采用光刻的微细加工工艺中,抗蚀剂与衬底之间的粘附性是影响加工精度的重要因素。以前为了提高粘附性,对抗蚀剂涂复前......
大约80年前,人们就看到化学汽相淀积(CVD)工业化发展的前景,现在CVD已广泛用来制取各种薄膜或涂层,例如具有优良的电、光和磁学特......
1985年激光与电子光学会议(CLEO85)于5月21～24日在美国巴尔的摩市会议中心举行,会议报告了不少激光在薄膜中的应用。 Allied公司报......
本文报道了用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积TiO_2薄膜,并研究了各种反应条件对薄膜生长的影响。这种TiO_2薄膜对可见光......
在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度......
用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅薄膜。讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光谱的影响。用量子限制－发光中心模型......
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火......
非晶硅的二步快速退火固相晶化董会宁，杜开瑛，谢茂浓（物理系）我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并......
激活的化学汽相淀积(CVD)条件下低压生长人造金刚石(以下简称CVD金刚石或金刚石低压气相生长)的研究在80年代就成为世界范围的热......
