等离子体增强相关论文
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,针对单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜太阳电池存在交叉污染的问题,有意地进......
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si......
本文对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备氢化微晶硅薄膜（μc-Si:H）的弱硼掺杂补偿特性进行了研究。实验发现：随着弱......
介绍了等离子体增强化学气相淀积PECVD半导体技术与工业自动化系统中组态软件监控技术的特点，提出了一种新型的组态软件监控画面组......
ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体......
采用电感耦合射频等离子体增强化学气相沉积的方法,在202不锈钢基体上制备了类金刚石碳薄膜,利用X射线光电子能谱、拉曼光谱和三维......
采用等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在一定功率和气压下,在玻璃衬底上制备了不同硅烷浓度的Si薄膜材料.使用拉曼光谱对......
为了提高稀土离子的发光性能,在稀土发光材料中引入了贵金属纳米颗粒.金属等离子体共振可以产生局域电场,作用于稀土离子的发光过......
根据磁场对带电粒子的约束原理，本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)技术借助于磁场约束电子以提高气体分子的离解率......
用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范......
研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配比与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。......
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氨化硅薄膜的成分和结构进行了研究．采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氯化硅及其......
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特......
报道了采用薄板层析技术分离聚环戊二烯薄膜中富勒烯Ｃ６０的方法，其薄膜是用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备的，以质谱分析的方法观察了......
本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件......
对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为......
本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱......
在航空电子设备中应用的液晶显示器，要求在宽视角范围内具有高亮度，低反射，高对比度，良好的色饱和度与灰度识别。本文提出了几种独特的......
室温下，用直流磁控反应溅射方法在 Ｎ２ ／ Ａｒ 混合气体中淀积了 Ａｌ Ｎ 薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘 Ｇａ Ａｓ 单晶片．研究了反应条件，如反应气压、反应......
本文介绍了一种新的工艺研究途径──神经网络反向传播算法（BP算法），并对其网络学习收敛速度的加快进行了讨论，取得了较好的效果；利用改......
用 Ｂ２Ｈ６和 ＳｉＨ４作反应气体，通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法，在 Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜，用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测，并用红外透射光......
研究了用电子回旋共振 (ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (PEMOCVD)技术在 Si(0 0 1)衬底上 ,低温 (6 2 0～ 72 0℃ )下 Ga ......
基于热力学平衡理论 ,对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的 Ga N薄膜生长给出了一个化学平衡模型 .计算表......
上海市化学化工学会理论化学学组等离子体化学专业组于1983年12月21—22日在南昌路会所。第一次举行了上海地区等离子体化学年会......
诺发系统有限公司近日推出了SOLA业界首套针对先进介电薄膜的淀积后处理的紫外热处理(UVTP)系统。SOLA为300mm晶圆的大批量生产而......
本文介绍了辉光放电等离子体增强气相沉积(PECVD)TiN的设备研制、工艺特点及影响因素。试验结果表明,PECVD克服了CVD、PVD的某些缺......
1.导言:通常只有对零件的整体及表面分别选择最佳材料方能获得所要求的性能,如机械强度,延性、耐磨性或外观。半导体元件、光学滤......
提出一种基于反射光谱分析的非在位膜厚控制技术,首先利用椭圆偏振光谱仪确定波长300～1 700 nm范围内的薄膜折射率,由此确定对应于......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜。RHEED和XRD分析显示,适......
本文分析并总结了涉及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术基本原理的若干问题.介绍了等离子增强原子层沉积(plasma enha......
最新Flex系统提供业界首创的电介质原子层刻蚀(ALE)生产工艺并已应用于量产。半导体设备制造商泛林集团公司推出了基于Flex电介质......
发展高灵敏度、高特异性的分析化学新方法对疾病诊断、环境监测、药物筛选等诸多领域具有十分重要的意义。由于贵金属纳米颗粒......
TiO2是一种性能优良的光催化剂,广泛地用于光催化分解制氢和有机物降解等方面,有望用于解决日前能源短缺和环境污染的问题.本......
衬底温度对非晶硅薄膜的生长以及异质结电池中晶体硅表面钝化起到至关重要的作用。实验中采用等离子体增强化学气相沉积技术，在......
贵金属等离子体对稀土离子发光晶体材料的发光有着一定的增强作用.本文对基质为60 Bi2O3-20SiO2-20Ga2O3的Er3+(0.5%)Ag(0.5%)铋化......
报道了自行设计的将二维Ｄａｍｍａｎｎ光栅和Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器，并用等离子体增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制......
采用等离子体增强射频磁控溅射沉积方法,在室温下制备了Fe-O合金薄膜。研究了氧的掺杂量和薄膜厚度对薄膜软磁和高频特性的影响。......
黑龙江哈尔滨三利亚实业发展有限公司采用等离子体增强电化学表面陶瓷化技术（即ＰＥＣＣ技术），研制成功新型建筑装饰材料——陶瓷彩铝。 ＰＥＣＣ技术......
提出脉冲形成网络（ＰＦＮ）控制电能释放条件下的固体发射药电热化学炮内弹道模型，采用１ＭＪ贮能电源，对３０ｍｍ电热化学炮（ＥＴＣＧ）进行了弹道计算。计算中改变的参......
本文报道了用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积TiO_2薄膜,并研究了各种反应条件对薄膜生长的影响。这种TiO_2薄膜对可见光......
非化学计量的二氧化锡是一种 n 型半导体材料,具有良好的光电特性。本文用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法生长 SnO_(2-x)薄膜,并......
