纤锌矿结构相关论文
氮化镓（GaN）是Ⅲ—Ⅴ族宽禁带半导体材料,拥有热导率高,化学性质稳定以及抗辐射能力强等优势,有望大规模应用于微波功率器件、蓝色光......
半导体纳米粒子的合成已经经历了30多年的发展,它们的合成逐渐变得成熟,在日常工业和实际应用中开始崭露头角。II-VI族半导体纳米......
ZnO基稀磁半导体是近年来发展起来的新型功能材料,是当前研究的热门课题.本文采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法制备了不同导......
采用球磨法制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.004,0.008)纳米粉体,分别利用XRD,PL光谱和紫外-可见吸收光谱对样品进行了表征。XRD图谱显示样......
采用热蒸发气相沉积法在Si(100)衬底上生长直径约为60～70nm的氧化锌(ZnO)纳米线,进一步运用离子束溅射技术和热氧化工艺在ZnO纳米线......
以离子液体1-庚基-3-甲基咪唑溴盐([C7mim]Br)为反应介质,采用水热法制备钆铈修饰纳米ZnO光催化剂。通过SEM、TEM、XRD、UV-Vis等......
以硝酸锌和酒石酸为原料,采用液体燃烧法制备钇(Y)掺杂的氧化锌纳米片。利用XRD和SEM对其微观结构进行表征,并研究Y掺杂量对ZnO气......
采用无水液相体系醇解溶胶-凝胶法制备ZnO/CdSe-ZnO纳米材料。利用IR和XRD对其进行了表征。结果表明,在温度为140℃、乙酸锌二水的......
采用分子动力学方法对液态Ga As在1×10~(10) K/s冷速下的快速结晶过程进行模拟,并采用双体分布函数、原子平均能量、键角分布函数......
本文制备了一种主要暴露{001}的花球状ZnO,并研究了花球状ZnO和纳米ZnO处理含铀(VI)废水的能力,比较其吸附性能。实验结果显示含{0......
本文用ＬＭＴＯ能带从头计算方法和局域密度泛函理论，计算了闪锌矿和纤锌矿两种不同结构ＧａＮ晶体的静态性质：平衡晶格常数ａ，体模量Ｂ，体模量的压强微商......
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度......
本文使用电子回旋共振等离子体增强化学沉积方法生长ＧａＮ。利用气体分配器产生一种局域高反应物浓度环境，在此环境下，测量了等离子体的电......
我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首......
我们用光加热低压金属有机物化学气相淀积方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿结构ＧａＮ．生长温度约９５０℃，比普通射频加热的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长温......
1 前言长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al_2O_3,和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素,已不能完全......
通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 ......
研究了用电子回旋共振 (ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (PEMOCVD)技术在 Si(0 0 1)衬底上 ,低温 (6 2 0～ 72 0℃ )下 Ga ......
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和 70 5 9玻璃衬底上在室温下制备出了因淀积时间变化而厚度不同的ZnO :Al透明导电膜 ,并对不同......
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红......
研究了GaN/GaAl N量子阱内电子的激发态极化(EESP)的压力效应,计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性,以及内建......
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效......
采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳......
采用磁控溅射技术先在Si衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在950℃下流动的氨气中进行氨化反应制备GaN纳米棒.应用X射线衍射、扫描电镜......
基于密度泛函理论(DFT)第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质.计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大......
理论上对ZnO能带的计算一般采用局域密度近似(LDA),而该方法得到的带隙结果却被严重的低估了。在本文中,我们在密度泛函理论的LDA......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO和Al掺杂ZnO的能带结构和介电常数,又采用固相反应法在600℃......
采用氧化镓(Ga2O3)为主要原料,以氧化铕(Eu2O3)为掺杂剂,在微波水热条件下合成了亚微米级前驱体。然后经高温氨化合成纤锌矿结构Ga......
本文先比较了几种常用方法(修正的无规元素等位移模型、虚晶近似和简化相干势近似等)对纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合结果,再选......
以醋酸锌为原料、O/Ar的混合气体为携载气体,在500℃的温度下应用热蒸发法在p型Si基片上生长纳米ZnO薄膜,并研究了其形貌、结构和......
采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂......
以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能......
以Zn金属靶和Zr金属片组成的Zn：Zr为靶材，利用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO：Zr透明导电薄膜。研究了靶与衬底之间的距离对......
采用磁控溅射法在较低温度下制备出室温电阻率为3.4×10-4Ω.cm,可见光范围内平均透过率为84%的掺铝的氧化锌(ZnO∶Al(AZO))薄膜。......
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了纯ZnO薄膜和高浓度Cu掺杂的Co,Cu共掺ZnO(Zn0.90CoxCu0.1-xO,x=0.01,0.03,0.05)薄膜。扫描电镜......
用面间力常数模型计算了（０００１）方向纤锌矿结构ＧａＮ与ＡＩＮ的纵向振动特性．并利用该模型对（０００１）方向生长的六角结构的ＧａＮ／ＡＩＮ超晶格的纵向声子态进行了研究．着重讨......
通过两步法在普通载玻片上成功制备了具有六角纤锌矿结构且沿(002)衍射峰c轴择优取向生长的铕掺杂氧化锌(ZnO∶Eu3+)薄膜。首先利......
采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射(XRD)谱仅观察到In-GaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,......
通过脉冲激光沉积（PLD）在石英玻璃基底上沉积了四元Zn0．86Cd0．11In0．03O（ZCIO）合金半导体薄膜。其中，Cd的掺杂是用以改变ZnO的光学禁带宽度......
