退火条件相关论文
用单辊熔体快淬并退火晶化的方法制备了由硬磁相Pr(Fe,Co)B和软磁相α-(Fe,Co)、Pr(Fe,Co)组成的PrDyFeCoNbB合金带.通过测量剩磁......
成核剂是改变基体结晶速率的一种助剂.本文着重研究了不同含量的成核剂对材料力学及结晶性能的影响,并研究了退火及退火条件对加成......
激光的出现带动了光通信，光信息处理与光传感等各种新技术的发展。集成光学的出现为光波传输和处理提供了理想的波导结构形式。集成......
用快速淬火得到的过渡族金属一类金属玻璃,在低于晶化温度退火往往引起材料某些物理和机械性能的变化,直接影响了材料的使用.因此......
本文用DSC和密度法研究了高卷速拉伸变形丝(DTY)的熔化与结晶行为。定量地测定了不同温度迟火5分钟急冷后的试样,在DSC曲线上出现......
用应变退火法研究Fe-0.9wt％Ti和Fe-1.2wt％Ti合金的晶体生长,并讨论了一些影响晶体生长的因素,实验指出:在超纯氢气氛或静态高真空的......
以高纯度的Zn,Ge和P粉末作为原料,采用垂直Bridgman法生长了磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体;分别在真空、磷蒸汽和ZGP晶体粉末中对生长的Z......
以Zn(NO3)2.6H2O为前驱体,采用超声喷雾热解法在500℃下、在钠钙硅浮法玻璃衬底上制备了ZnO薄膜。分别在不同温度(500、550、600℃......
采用水热法,以NaC1为引导剂,调节不同的pH值得到形貌均一的纺锤形和花球形WO3材料.采用XRD、SEM、TEM和Raman光谱研究了WO3的形貌......
我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退......
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特......
对不同制备工艺的SIMOX样品，用Raman散射法作了应力测量和比较．结果显示，在1300℃、6小时的退火条件下，整片单次注入／退火与三次注入／退......
利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有......
氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复......
研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关......
分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的......
简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光......
建立了一套用于MOS结构辐照陷阱消长规律研究的快速I－V在线测试系统，用此系统可进行自动加偏和Ids－Vgs亚阈曲线测试，从而可快速定性定......
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的......
研究了不同退火条件对氢离子和氦离子注入铌酸锂平面波导中折射率分布的影响。在不同时间和温度下退火处理后用棱镜耦合法测量了两......
用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au_Pt_Ni/ p_InP( 1～ 2× 1 0 18cm-3 ) ,在 40 0℃ 30s的退火条件下 ,实现了比接触电阻低达 3× 1 0......
本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电......
对下述石英剂量学特性进行了研究:(1)石英的剂量灵敏度在不同退火温度下随不同前剂量的变化;(2)使石英的剂量灵敏度恢复到原有水平......
DI加工是深冲加工和减薄拉深加工的组合,是用较少的原材料制造容量大的罐的有效方法,主要用于制作啤酒和碳酸饮料罐体——两片罐(......
采用粉末镀锌工艺实施油管镀锌，可使油管在腐蚀性介质中获得优越的防腐性能，但其处理过程往往要延续20～22个小时，效率低下，成本高扬，在经......
键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题之一,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效。本文通过优......
讨论了用辐射-退火法和多元回归分析法对集成电路进行筛选的基本原理和步骤。对两者的关键技术和优缺点进行了比较,并针对国内外集......
1.发明名称深冲用铝合金硬质板的制造法 2.专利请求范围本专利是将含Mg0.1～2.0％,Mn0.1～2.0％的铝合金按下述(1)～(5)项工序制造深冲用铝......
用高频C—V和准静态C-V技术研究了低温湿氮退火对SiO_z—Si界面的影响。结果表明,铝淀积后并在铝腐蚀之前的460℃湿氮退火有效地减......
增加M-2与M-10高速鋼的含碳量,使刀具硬度与耐用度提高。加入1%的碳最佳。在退火条件下,新钢的可加工性与同类型未經变質处理的高......
1.实验方法试样化学成分为C2.59%,Si1.19%,Mn0.55%,P0.029%,S0.175%,Cr0.024%。铁素体和珠光体化退火条件如图1(a)、(b)所示。离......
由锆或锆合金制成的燃料护热套管安装在密封的厚壁燃烧室中,燃烧室的壁和顶盖用螺栓连接。为了供气,用一根供气管经过燃烧室顶盖......
一、前言为生产烤漆硬化冷轧钢板,对用转炉冶炼的含 P 铝镇静钢,在实验室里作了退火条件与固溶 C 量关系的研究并在现场进行了试......
自朱经武等最先报道液氮温区Y—Ba—Cu—O体系超导体以来,世界上涌现第二次高T_c超导体研究热潮。材料的烧结与退火均在高温下进......
本专利介绍一种在10奥斯特时,导磁率至少1850(G/Oe)单取向电磁硅钢的生产方法。含2.6～4.0％Si的取向硅钢通常用的生产工艺包括热轧、......
研究了成份和退火条件对真空熔炼的,铌处理的低碳钢屈服行为的影响。添加的铌导致稳定作用,也就是说,免除在再结晶条件下不均匀的......
一、引言聚对苯二甲酸乙二酯(PET)和聚酚氧共混后,可以提高PET的热稳定性和机械强度。两组分的相容性对其性能有重要的影响。Robe......
为适应罩式退火的特点,本研究以低碳高锰钢为基础,探讨了在罩式退火条件下不同碳锰含量的钢获得双相组织的工艺条件,分析了加热温......
通过测定化学成份和箱式退火条件对铝镇静钢烘烤硬化性和 Snoek 峰值高度的影响,采用箱式退火工艺,生产了抗压痕性极好的作汽车外......
一、序言金属强度可以籍冷加工的方法来提高,这是尽人皆知的事实.但是怎样最有效的用这种办法米提高强度,以及提高后的强度对温度......
