集电结相关论文
初三物理第四章、第十四章均有太阳能转化为电能的内容。但没有演示实验,学生不能亲眼观察到光电转化现象,影响了学生学习兴趣。......
探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了２×８阵列整体设计的初步方案及......
从基本的玻尔兹曼输运方程出发，推导了非均匀能带结构简并半导体中电子和空穴电流方程的一般形式，着重处理了方程中的载流子温度梯度......
本文介绍了注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较,可以看出注入光敏器件的特征之所在。最后,对注入光敏三......
在晶体三极管的实验或使用中,不时要涉及到一些晶体三级管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题。本文从理论上进行......
简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输......
一、晶体三极管的结构晶体三极管由三个区二个PN结构成。因为三极管的二个PN结可有两种组合方式,即NPN型[图1—a]和PNP型[图1—b]......
设计并研制出直流电流增益为842、交流电流增益为1080的高增益挂横向MIS隧道晶体管。测量了器件的电学特性和hFE的温度特性，发现孩......
低温ＥＣＬ电路直流特性测试与分析高梅芳，沈克强，魏同立，李垚（东南大学微电子中心，南京２１００１８）本文通过对低温ＥＣＬ电路和常温ＥＣＬ电路的比较和测试分析得知，晶......
本文提出了一个适用于大电流的ＳｉＧｅ基区双极型晶体管（ＳｉＧｅ－ＨＢＴ）的电流和频率特性的解析模型．本模型考虑了速度饱和效应，对ｎ＋ｐｎｎ＋双极型晶体管，当电流超过发......
对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方......
通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制......
本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－ＦｅｎｇＣｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注人模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输人特性、输出......
对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当V_(CE)=0V时,集电极比发射极先导通;当V_(CE)>1V时,晶体管处于放大......
对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）中宽基区、低增益ｐｎｐ晶体管与普通高增益晶体管之间的差异进行了综合分析，结果表明，ＩＧＢＴ的工作特性必须采用双极传输理论......
借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）传输特性的物理模型。稳态时，其工作原理与普通ＩＧＢＴ完全相同，但瞬态时，由于Ｎ＋阳极对基区非平衡......
本文提出一种利用双极晶体管(BJT)静态和动态参数相关性,准确提取器件动态模型参数的新方法,并验证了该方法的可行性和实用性。
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本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为......
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击......
考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．
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晶体三极管是电子爱好者必然要接触的电子元件之一,一旦损坏将导致电路状态改变而出现故障。三极管的发射结和集电结可等效成两个......
在前人优秀工作的基础上，叙述了一个适用于低温和多种基区Ｇｅ组分分布的ＳｉＧｅ－ＨＢＴ电流增益的解析模型，详细推出了它的模型公式。该模型考虑了基区......
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体......
本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎＳｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式......
概述了Ｐ波段功率管在射频脉冲条件下进行加速寿命试验的方法，对Ｐ波段功率管可靠性进行了初步预测，并分析了器件失效的原因。
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计算了具有线性Ｇｅ 分布的ＳｉＧｅ 基区价带有效态密度和空穴浓度的分布，分析了基区内建电场的物理机制，分别采用Ｂｏｌｔｚｍ ａｎｎ 统计和Ｆｅｒｍ ｉＤｉｒａｃ统计给出了内建电......
分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．
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给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
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分析了AlGaAs／GaAsHBT的非线性失真产生的机理,应用Volterra级数理论计算了AlGaAs／GaAsHBT的三阶互调失真,理论值与实测值吻合较好,......
文章通过三极管特性曲线的分析讨论,得出了凡属于放大电路范畴电路的检修方法,力图提高电路的维修效率。
The article analyzes a......
三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成,三个电极分别叫集电极c、基极b和发射极e,目前常见的三极管有硅平面管和绪合金管......
晶体三极管是电子电路的基础元件之一。设计人员根据电路要求,将电路中的晶体管分别设计工作于放大状态、饱和状态或截止状态。一......
在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。
Based on the experimental re......
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、......
晶体三极管在电子电路中是一个关键性的元件,它的工作状态不外乎放大、截止、饱和、开关和晶体管本身损坏五种情况。如何判定三极......
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流......
本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件......
研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分......
1.带阻尼行输出管的检测用万用表R×1Ω档,测量发射结(基极b与发射极e之间)的正、反向电阻值。正常的行输出管,其发射结的正、反向......
1.普通达林顿管的检测普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成,其基极b与发射极e之间包含多个发射结。检......
文章研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管集电结耗尽电荷和电容.根据器件实际工作情况,基于课题组前面的工作,对耗尽电荷和电容模......
