通态特性相关论文
在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上,结合装置整机厂的并联技术经验,从器件角度,提出了功率半导体器件的直接均......
对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅......
随着国民经济的发展,冶金、交通、电力等骨干产业,对国产新型大功率电力电子器件,提出了更高的要求。为了适应这一新形势,80年代......
本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新......
利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函......
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实......
文章依据较高线电压的扩展比较了具有扩展安全工作区(SOA)的2个4.5kV二极管。为了改善反向恢复特性,必须降低通态过程中靠近阳极的......
将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管,并对n-......
依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次......
使用轴向寿命控制(CAl-controlled axial lifetime)技术,SEMIKRON将他的第4代续流二极管从1200V扩展到了650V和1700V电压等级。一......
双模绝缘栅晶体管(BIGT)由于整合开关器件与反并联二极管这一概念具有难以攻克的技术挑战,因此近年来这一技术仅被用于低功率组件(......
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响......
Nakagawa-limit是基于硅基极窄台面间距IGBT提出的理论假设,发射极区只有电子电流流过,空穴电流只对电导调制有贡献。分别引入载流......
在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_......
本文分析了GTO的关断原理,研究了GTO的参数设计和制作工艺。测试了GTO的掺杂分布和工作特性。采用国产材料和设备试制成500A逆阻型......
本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受......
本文在传统的注入效率可控的(IEC)-GCT 结构中,通过n 扩散层的掩蔽作用引入了一种波状的p 基区结构。利用ISE 软件模拟了该波状p ......
ＩＧＢＴ的关断特性和通态压降之间存在比较尖锐的矛盾，压降大关断特性好，关断特性好通态特性又差，这是设计和制造过程中要解决的主要问题之一......
碳化硅(Si C)是发展高功率、高温和高频器件极具吸引力的宽禁带半导体材料,近年来引起了越来越多的关注。Si C基绝缘栅双极晶体管(......
在晶闸管的ｐｉｎ二极管模型基础上，提出了薄发射区晶闸管新结构，分析Ｐ发射区杂质总量ＱＥ对晶闸管通态压降Ｖｒ的影响，导出ＱＥ与Ｖｒ的关系式。分析计算表明......
根据实验数据给出了双向晶闸管的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析，认为用铬－镍－银阻挡层烧结新的工艺可大 向晶闸管的双向通......
叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用matl......
叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用mafl......
文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影......
对提高快速晶闸管发射区ｎｃ与基区Ｐｂ杂质浓度比值Ｎｃ／Ｎｂ，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ｇａ扩散技术的特点，并与闭管Ｇａ扩散和Ｂ－Ａ１双质Ｐ型扩散方......
从温度对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）通态特性影响出发,建立了3种1200 V穿通型-IGBT（PT-IGBT）,非穿通型-IGBT（NPT-IGBT）和场阻止-IGBT（FS-IG......
由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了......
在简单介绍P-I-N二极管的基础上，针对碳化硅材料，以P-I-N二极管为研究对象，以MATLAB为模拟分析工具，研究了4H-SiCP-I-N二极管正向导通......
