门极相关论文
3.3IGBT的吸收电路与晶闸管和GTO类似，当IGBT突然断开时，储存在回路杂散电感中的能量消散在该器件上，导致瞬态电压过冲。这种瞬态电压......
赛米控在焊接及切割展会上展出了融合了最新的SPT＋芯片技术的SEMiX系列IGBT和整流器模块。这种软穿通（SPT）芯片设计是基于平板-门极/......
服装设计是一门极具实用性的边缘学科,它涉及内容广泛,如美术学、人体工程学、材料学、文学、市场学等等多种因素。一个成功的服装......
在北京混迹多年,再怎么懒惰也看过几场话剧,看过几次演出吧?看《恋爱的犀牛》时抹过眼泪吗?在海淀公园摩登音乐节的草地上撒过几次......
用于车载电源的BORDLINETM-S系列静止变流器具有输入电压范围宽、采用先进的IGBT（Insulatedgatebipolartransistor,门极绝缘双极型......
音乐是一门极富创造性的艺术,尤其是器乐的演奏。器乐的演奏对于学生学习音乐的兴趣、表达和创造能力都有着十分重要的意义。儿童......
声乐演唱是一门极具欣赏性的表演艺术,它有着自己独特的表演形式。声乐这门表演艺术是演唱者不仅具有较高的歌唱技巧,同时也具有艺......
公园南大门公园南大门原为公花园主要大门,又是公园出入之要地,园内道路之开端。此次改扩建规划中基本保持原位,但由于近年来城市......
近年来,美国一些州的州立高中开设了一门极不寻常的课程——理家。上课时,男女学生组成一对对“夫妇”,在老师的引导下,在短短的......
ＧＴＯ门控电路对ＧＴＯ的关断能力、工作频率、可靠性等影响极大，本文分析了ＧＴＯ关断过程的机理及其波形，提出了主要的门控电路参数，并对国内外若干重......
在阐述双向晶闸管换向理论的基础上，推导出了器件换向电压临界上升率的数学表达式，提出了改善器件换向能力的主要措施，并指出门极短路......
推荐了一种大功率门极可关断晶闸管(GTO)吸收电路的计算模型,用于研究吸收电路设计中必须解决的问题。计算出的 GTO 波形,与采用 G......
采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体......
1.T型场效应晶体管 日本NEC公司开发出一种用于下一代无线电微波通信的T型场效应晶体管。直到目前为止,这种类型场效应晶体管的门......
保罗·福林多可以说是意大利最负盛名的桥牌大师之一。他曾经率领意大利队获得过欧洲锦标赛冠军,并多次代表意大利队参加世界锦标......
随着国民经济的发展,冶金、交通、电力等骨干产业,对国产新型大功率电力电子器件,提出了更高的要求。为了适应这一新形势,80年代......
在大功率静止频率变换器的发展中，门极可关断（GTO）晶闸管的推出可谓是一个重要的里程碑。在传统的电路中，应用GTO晶闸管的变换器其功率......
采用在断ＧＴＯ的方法进行短路保护，具有电路简单，成本低的特点，可将保护电路直接加入ＧＴＯ的门极驱动电路，但对短路检测的速度要求较高，本文提出了......
从ＧＴＯ的内部工作机理入手，结合外电路特性，研究了拖尾电流及其对关断性能的影响。给出了一种识别Ｊ３结反向雪崩击穿的新方法。
Starting f......
本文阐述了IGBT的短路特性以及怎样实现IGBT的过流保护系统。文中着重介绍了IGBT的允许短路时间与门极驱动信号的关系。
This art......
阴极图形对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的影响ＴｈｅＥｆｆｅｃｔｏｆＣａｔｈｏｄｅＣｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｏｎｄｉ／ｄｔＣａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙＴｈｙｒｉｓｔｏｒ￥／／清华大学王晓彬，王培清，张斌（北京１０２２０１）１前言ｄｉ／ｄｔ...
Effect of Cathode Pattern on High Frequency Thyristor di ......
双向可控硅是由NPNPN五层半导体材料构成,三个电极分别为主电极T_1、T_2和门极(或控制极)G,如图1所示。习惯上把接在P型半导体上......
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较......
滕久明说，父母为了让孩子以平民子弟的身份健康成长，从小就培养他们淡泊名利、低调做人的好品德 一封封家书，纸色泛黄，却浸透着一位......
IR公司的新型1200V和600V电动机驱动IC由于省略了每个电动机驱动应用的电压专用电路,从而节省了设计时间。这种工业界首创的单平......
设计能开关中等电压等级的兆瓦级功率电路的设备是一项艰巨的任务。两种现有的半导体开关技术，即门极可关断晶闸管（GTO）和绝缘栅极双......
提出了一种新型实用触发功放电路,此电路的特点是具有优良的抗干扰能力,输出能力大,实用性强。
Proposed a new type of practica......
本文介绍了过零触发器的结构和电气特性,并用基本驱动器电路与普通可控硅触发电路进行比较,指出了它的优越性所在,并举例说明了在......
提出了一种自激式零电压ＤＣ－ＤＣ变换 器。分析了工作原理及实现全范围软开关的参数设 计。该变换器不同于依靠变压器磁化曲线形成状态转 ......
本文提出了用于模拟ＧＴＯ关断特性的ＳＰＩＣＥ等效电路模型．根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数．用此模型对１０００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型ＧＴＯ的关断特性进行了......
普通的GTO受安全工作区的限制,需要较大的保护吸收电容。文章介绍了一种新型低感驱动技术,即采用有方形安全工作区的GTO,以省去吸......
可控硅不仅具有硅整流器的特性,更重要的是它的工作过程可以控制。在可控整流、交流调压、无触点交流直流开关、逆变和直流斩波方......
<正> 目前晶闸管应用领域越来越广,而在晶闸管使用中的主要问题是触发电路的设计。晶闸管由截止变为导通,必须具备一个外部条件。......
根据ＩＧＢＴ对驱动电路的要求，就其中常用３种不同驱动电路及选择时注意事项作了分析，使ＩＧＢＴ的应用更广泛．
According to IGBT drive circuit requ......
进入90年代,最先进的电力电子器件绝缘门极双晶体管IGBT,进入工业化实用阶段,它完善地结合了晶体管及场效应管各自的优点。绝缘门......
报道了带门极双层 Si-δ-掺杂 Ga As样品中的二维电子系统 Hall效应的低温测量实验 ,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇......
现代的电力电子技术无论对改造传统工业(电力、机械、矿冶、交通、化工及轻纺等),还是对新建高技术产业(航天、激光、通信及机器......
本文介绍一种能实现快速切换,无过电压,无冲击电流,不中断线路变压器有载调压的晶闸管辅助变压器切换开关主电路,详细说明了消除变......
据《中国电子报》报道,铜和低 K 介电互联材料的引入表明,改变材料是很困难的。在前不久举行的 VLSI 技术研讨会上,技术专家积极......
发射极关断(ETO)晶闸管是一种新型MOS可控晶闸管。由于它改善了开关性能,容易控制,因此适用于大功率变流器。文章分析了ETO的初次......
光谱学是一门极重要的基础科学,正是在光谱研究的基础上建立了关于物质微观结构的量子力学。它一直是研究原子、分子、固体与凝聚......
