硼扩散相关论文
随着太阳能光伏发电对晶体硅电池高转化效率需求的不断增加，对晶体硅电池技术关键设备投资性价比和发电性能的要求更高。对晶硅电池......
期刊
为提升n型叉指背接触（IBC）太阳电池的光电转换效率，采用丝网印刷硼浆和高温扩散的方式形成选择性发射极结构，研究了硼扩散和硼浆印刷工......
为研究多脉冲激光的热累积效应对硼掺杂纳米硅薄膜熔覆过程的影响,采用单温模型,利用三维有限元方法对激光与硅薄膜的相互作用过程......
本文提出了一种利用硼盐酸进行扩散的方法,将旋涂硼盐酸的硅片作为扩散源,在N2 气氛保护下,1020 ℃扩散12 min 所得到的发射极的方......
采用磷硼共扩散的方法制备了N型高效双面电池,通过优化背场及发射极扩散工艺,研究了扩散工艺曲线对电池电性能参数的影响机理。实......
研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减......
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),......
宇宙空间的辐射环境由复杂的混合粒子构成,中子在宇宙空间粒子辐射中占有十分重要的地位。而碳化硅(SiC)作为第三代半导体,因其禁......
针对P型DMOS生产过程中出现的击穿电压不稳定的问题，本文经过分析，发现其主要是受背丽浓硼衬底在高温推阱时硼扩散对产品片JFET区域......
对于n-PERT电池,硼扩散是形成p-n结的关键工艺并且直接影响电池性能.为优化正面硼扩散掺杂层的性能,研究液态源(BBr3)扩散过程中推......
期刊
硼扩散－中子寿命测井是人为地用一定浓度的硼酸液置换井筒液，在井筒液与射孔层之间形成一定的离子浓度差，在此浓度差下，硼离子向地层中......
实验研究表明８７５°Ｃ下Ｎ〈，２〉Ｏ退火氮化可明显改善７ｎｍＳｉＯ〈，２〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗ＦＮ应力损伤能力增强，表现为Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态产生受到抑制、体内电子陷......
光伏科技和产业的发展提供给我们一个解决日益增长的能源需求和可持续发展环境要求之间矛盾的方法。晶硅电池由于其技术稳定、工艺......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制......
p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度......
【摘 要】 本文针对硼扩散下多晶黑硅的表面复合速率高光电转换效率低的问题，在多晶黑硅太阳电池片上采用了多步变温扩散工艺增加前......
本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N＋层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P＋......
采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是......
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品，通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试，分析用氮气稀释氧化法制备的......
本文主要研究一种基于硼扩散的多晶硅太阳能电池背钝化工艺,该工艺可有效的提高多晶电池Uoc可达10 mV。采用硼扩散后形成的硼掺杂......
为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和......
P^+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化，在多晶硅栅内注入N^+的工艺可抑制硼扩散，制备出栅介质厚度为4.6nm......
实验发现,在硅平面器件硼预沉积时,硼杂质在二氧化硅中的扩散系数远远偏离理论值.为进一步解析这种现象,本文提出了一种硼杂质在二......
研究了以乙硼烷(B_2H_6)作硼扩散源的情况。在950℃至1200℃温度下氧化和还原时,所用的气体浓度为1.5至700ppm。氧化条件下获得的......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一......
本文介绍了用阳极氧化和化学剥层技术测定硅中硼扩散杂质分布的方法．给出了几种不同扩散气氛下硼扩散杂质在硅中分布的实验曲线．并与......
为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅......
微电子技术与生物技术紧密结合的以DNA芯片为代表的生物工程芯片将是21世纪微电子领域的一个新的热点。本文介绍了在对DNA溶液进行......
快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P~+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体......
对双面晶体硅电池技术和工艺做了初步的阐述,并以双面P型单晶硅电池为研究对象,对双面电池制程中的硼扩散、边缘刻蚀、硼扩散面钝......
