功率集成电路相关论文
功率集成电路作为集成电路的重要分支领域,在自动化设备、汽车电子、家用设备等应用中起到至关重要的作用。不断复杂的应用场景对......
针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件抗单粒子辐射性能低的问题,开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研......
功率集成电路(PIC)正逐步向更大功率处理能力、更高工作温度、更高工作频率和更低功率损耗的方向发展。碳化硅器件具有更佳的材料和......
近年来,急剧增加的市场需求与国家政府的大力支持使集成电路产业得到高速发展,与国外行业水平之间的差距正日趋缩短。横向双扩散金......
功率LDMOS(Lateral Double-Diffusion Metal Oxide Semiconductor,简称LDMOS)器件因具有高击穿电压、低导通电阻以及易与CMOS工艺兼......
功率电子领域正朝着高集成度、高能效比、高可靠性的方向发展,而当今在功率电子领域中应用最广泛的硅基(Silicon,Si)功率器件已不能......
随着电力电子应用要求的不断提高和应用领域的不断拓展,诸如航空航天、石油勘探和开采、清洁能源和国防安全建设等领域对电力电子......
本文对H桥功率驱动集成电路对电机速度的控制问题进行了研究,提出了一种用CMOS电压镜实现的片上电流取样电路.该技术也可用于实现......
由于功率集成电路功率耗散大,发热量大,过热保护电路对于功率集成电路是非常重要的.本文设计了一种用于集成电路内部的低压带热滞......
提出一种VDMOS与低压控制电路之间抗串扰的新隔离结构。通过二维器件仿真软件MEDICI验证,能够有效防止VDMOS漏极反偏造戍的衬底电......
高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)具有高耐压、高频率、工艺简单兼容于传统CMOS工艺等特性,广泛应用于高压集成电路(High Vo......
功率集成电路业有很多成功的范例,但高度复杂的集成电路要取得销售成功不易。厂商和设计人员对这一问题经过10年无数次的认真思考......
本文介绍了一种适用于VDMOS功率集成电路的双扩散p阱nMOS器件新结构,该结构具有与VDMOS工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现nMOS处理......
第十届全国半导体集成电路硅材料学术年会于1997年9月15日至19日在青岛召开。大会共录用论文169篇,内容包括硅和其它硅基材料(50篇)、......
采用三点弯曲法测试BeO陶瓷基片的抗折强度,对样品的显微结构进行了分析,发现呈现过烧显微结构的样品,抗折强度较低。
The flexural ......
提出一种新型的P阱NMOS功率集成电路制作技术。理论分析表明,该技术可以较好地实现VDMOSFET与P阱NMOS电路的兼容集成。实验结果表明,利用该技术获得的器......
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法.该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接(ButJoint)沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p+区反刻过程形成NMOS器件的有......
介绍了一种汽车用高边智能功率开关电路的工作原理。对该电路所涉及的功率VDMOS器件、隔离技术及CMOS/VDMOS兼容工艺设计进行了详细分析,最后给出了......
本文介绍一种价格便宜、体积小、性能好且简单易制的功率放大器。 原理如图1所示。音频信号通过输入端进入电路。经电容C1输给TDA......
对VDMOS-NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟,模拟结果分析表明:在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下,对接NMOS的......
提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管( C I L I G B T),它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反......
本文简述了引起第一次电子革命的半导体集成电路的发展及将要引起第二次电子革命的半导体功率器件及功率集成电路的发展。在后一部......
近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导......
2003年9月23日南京高新半导体公司在江北高新技术产业开发区动工建设,总投资达3.6亿美元,是第一个投资南京的半导体芯片项目,预计......
2003年9月23日下午,南京首家半导体公司在南京高新区正式开工。中国半导体协会秘书长徐小田和市委常委刘捍东、市政协副主席孙南......
《中国电子报》消息:深圳深爱半导体利用自身独具的行业和技术有利条件,即将建成占地10万平方米的5英寸功率集成电路深爱半导体生......
据半导体网消息,南京高新区半导体光电科技园建设已正式启动,首家入园的是南京高新半导体有限公司。该公司由南京高新技术经济开......
提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。......
据外媒报道,美国Navitas半导体机构近日发布了世界首个半桥氮化镓功率集成电路。半桥电路为电力电子提供模块集成,在手机电池、电......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon On Insulator-Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT)具有隔离效果好......
氮化硅薄膜具有许多诱人的性质,它的电阻率高达10~(14)Ω·cm以上,这样高的绝缘性能使其在大功率、超大功率集成电路中作为一种理......
光闸流管是一种标准的功率模块,广泛地应用于功率集成电路、航空电源、计算机、高功率脉冲激光器和高功率微波系统中。目前它是由......
本文叙述本公司生产的电压调整器STK—501(503)。文章前半部分叙述电路结构和特性方面的特点,后半部分叙述具体的散热器,印刷基板......
采用简易多晶硅隔离方法制造集成稳压源是新的试验。本文就试验过程中为选择外延提供多晶核心的氧化膜,单、多晶同时淀积的质量控......
在电路中,从供给功率的意义上来说,电源是必不可少的而且也是非常重要的。然而,随着电路的晶体管化,尤其是集成电路的广泛应用,为......
一、前言随着新技术的发展,各种类型的小型化计算机迅速发展起来,并且继续向着减小体积、减少重量、提高可靠性方面发展。整机的......
本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果,二者符合得较好.结果指出,即使用常规工艺制造技术......
本文比较系统地讨论了高速电子开关用于系统回避技术的几种典型方法,并就这些方法作了简要性能比较。认为,优化的f方案比较适合于......
国际会议 期 页欧洲微电于技术的进展与)ZI示·,……………………………··,…。…童勤义(l)(l)1990年国际电子器件会议概况…·......
为了SMARTMOS功率集成电路技术,定制设计与实验电路板的需要,Motorola公司已开发了采用二次生成电路的多种单元。设计者能够使用这......
硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技......