场板相关论文
氧化镓（Ga2O3）作为一种新型的超宽禁带半导体材料，与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比，具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特......
Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm, Baliga优值超过3 000,因此在制作功率器......
随着社会生产的需求,GaN作为宽禁带材料,由于其优异的特性以及无需掺杂就能产生二维电子气的优势,成为高温、高频、大功率微波器件......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）具有高击穿电压,高电子迁移率和低导通电阻等优越特性,已经成为国内外研究的热点。然......
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
采用边界元法对非穿通情况ＦＰＪＴＥ结构的特性进行了分析计算，发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系，场板对界面电荷敏感性有抑制作......
简介 集成电路(Ic)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这......
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参......
基于0.25μm GaN双场板(DFP)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款2~18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成......
随着功率半导体器件工艺技术不断进步,新型器件结构层出不穷。LDMOS(Laterally Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor)以其......
功率MOS场效应晶体管在功率器件领域发展迅猛,高压VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为功率MOS的主要器件之一,引起了相关......
氮化镓(GaN)材料在禁带宽度、击穿电场强度、导热系数和电子饱和漂移速度等方面均大大优于前两代半导体材料,因而其在高温、高频率......
学位
咖啡馆、KTV、电影院、公园的草坪上、空旷的田野中……无论是灯火迷离的夜，还是清风徐徐的晨，都可以听一首动心的歌，品一卷快意的书......
该文的工作主要围绕以下两个方面进行.1)模拟和验证了一种低成本的,以标准CMOS工艺为基础,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技......
用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响.模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,......
在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基......
设计了一个500V纯场限环终端结构。在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数......
以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场......
对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长......
研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决......
报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中......
为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采......
就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变......
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的A1GaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46......
在不同的漏偏压下,研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaNHEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明,钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着......
期刊
为了降低绝缘体上硅（SOI）功率器件的比导通电阻，同时提高击穿电压，利用场板（FP）技术，提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.......
电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结......
对0．25肌双场板结构GaNHEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示，GaNHEMT增益的温度系数为-0．02dB／℃、饱和输出功率系数......
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程，导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层......
基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流......
场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术，文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐......
模拟和验证了一种低成本的,以标准CMOS工艺为基础,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术.讨论了低压器件中的各种击穿机理,相应......
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm（3英寸）SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOC......
报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用......
综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展，介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理，总结了均匀场板结构、台阶场板结构......
GaN HEMT凭借其高电子迁移率、高二维电子气浓度和高击穿电压等特性,在高频、高温和高功率密度领域有着广泛的应用,是功率器件的研......
在传统AlGaN/GaN肖特基二极管中,阳极漏电始终是制约器件耐压提高的一个重要因素。因此文中研究了在缓冲层中生长P型埋层并与阳极......
利用RESURF与场板结构结合的技术，设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD—MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60pm，就可实现600V以上的......
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）以其导通电阻低，开关特性好等优势在功率系统中展现出巨大的应用潜力。基于高k介质场板终端的4H-SiC SB......
SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一,以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性,在高温,......
学位
文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上，不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度，借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—......
作为宽禁带半导体器件，AlGaN/GaN基功率器件在功率开关与功率整流中，以其耐高压、低导通电阻等特性而成为国际研究热点之一。其中，异......
学位
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降......
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出......
该文从国内生产线的实际出发，简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台，初步总结了当前各种成熟......
