锑化镓相关论文
基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电......
对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(10......
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面......
研究了一种2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大......
2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测,医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值.锑化物半......
热光伏技术正在迅猛发展，提升其核心器件，即热光伏电池的能量转换效率对热光伏技术发展的重要性不言而喻。本论文从多个方面研究了提......
微热光伏电池系统是利用燃料在燃烧器中燃烧释放的化学能,经辐射器转换为热辐射能,再利用光伏电池进行光电转换为电能的系统。微热......
国际半导体技术路线图中明确指出研制可控生长半导体纳米线及其高性能器件是当代半导体工业在纳米CMOS和后CMOS时代的一个具有挑战......
InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构因其高的电子迁移率,大的波尔激子半径以及优异的光电学性质被越来越广泛地应用于光电子学领域......
空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境，为提高晶体质量创造了条件，引起晶体生长研究人员的关注.......
空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境，为提高晶体质量创造了条件，引起晶体生长研究人员的关注.......
首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５－０．３２Ｔ，且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２－５ｍｍ，拉速０．３－１．５ｃｍ／ｂ。生长方向；对ＭＬＥＸ和ＬＲＣ样......
采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿......
基于密度函数理论和广义梯度近似原理,计算了锑化镓（GaSb）体结构中的不同缺陷的形成能.计算结果表明,无论是在Ga-rich 晶体条件下还......
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶......
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料由于其新奇的特点及潜在应用的优势,近二十几年来一直受到科学家们的青睐,深入了解Ⅲ-Ⅴ族纳米材料的电子结......
系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga（V/III）比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生......
热光伏(Thermophotovoltaic,TPV)技术是一种将热能直接转化成电能的技术。与传统的太阳能光伏系统相比,TPV系统具有理论效率高、无......
GaSb热光伏电池的应用前景非常广泛。其主要优点有:理论效率较高、噪音低、可靠性高、高体积功率比、高重量功率比等。本论文主要......
在光纤通信中通常采用波长较长的光进行信息传输,以减少光纤通信中的损耗。一些非硅材料光纤在波长为2-4μm时通信传输损耗更小,而......
基于Ga Sb薄膜热光伏器件是降低热光伏系统成本的有效途径之一,本文主要针对Ga Sb/Cd S薄膜热光伏器件结构进行理论分析.采用AFORS......
针对当前2.0μm GaSb基垂直腔面发射激光器发展中由于传统的P面分布布拉格反射镜(P-DBRs)带来的高电阻和严重光吸收这一瓶颈问题,......
