应变超晶格相关论文
提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm......
从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
利用Fourier展开, 将应变超晶格中的粒子运动问题转化为多频激励的摆方程问题。用Melnikov方法和Lyapunov方法讨论了系统的稳定性,......
<正>把RBS(Rutherford backscattering)及沟道(Channeling)技术应用于超晶格结构的研究起始于1980年Saris等人的工作.他们发现沿着......
本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。
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用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层.1.2 μm InP(004......
用RBS结合沟道技术对Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格材料的组分和形变进行了分析。实验结果与样品生长参数记录及理论计算值符合得很好......
本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性，我们首次制备了阱度低达10A∧°的ZnSe-ZnS应变超晶格。......
本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A ZnSe-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的......
本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵......
分析了InAs／GalnSb应变层超晶格、A1GaN／GaN量子阱和超晶格红外光电薄膜材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响。描......
本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和......
用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系，以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份......
在本文，我们用一个低组分的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层（ｘ￣０．０１），有效地限制了５０周期的Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ应变超晶格本身弛豫所产生的位错，Ｘ射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超......
利用正弦平方势, 把粒子运动方程化为具有δ力矩的摆方程. 分析了无扰动系统的相平面特征, 计算了扰动系统的退道效应. 讨论了退道......
本文对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格ＰＩＮ控制器进行了分析和设计（其中ｘ＝０．６），并制作出了相应的器件。对典型器件的测试结果表明，在１．３μｍ光照下，反偏电压为－５Ｖ时，光响应电流......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６，ｘ＝０．１４）超晶格结构，用Ｘ射线衍身 喇曼散射对其结构，应变分布以及光散射性能进行了研究，江超晶格......
ｎ＝１重空穴激子和施主－受主对的光致发光在常压ＭＯＣＶＤ生长的Ｚｈ０．８５ ＣＤ０．１５Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变超晶格中被观测到了。激子和施主－受主对发光峰值位置随着增加正向领导置电压......
本文首次在室温和０－２．５ＧＰａ静压范围内研究了ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．７４Ｃｄ０．２５Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察了到室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化......
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质，在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少......
提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格(Ge．Sii-x/Si，In．Ga1-xAs/GaAs)光伏效应的机理，测量了不同温度下的光伏谱，光伏曲线反映了台阶二维......
研究了常压MOCVD方法生长在GaAs(100)衬底上的ZnTe-ZnS应变超晶格光学性质。在77K温度下观测到了与载流子有关的带间跃迁复合。随......
利用深能级瞬态谱研究分子束外延ｎ－Ｇｅ０．２Ｓｉ０．８／Ｓｉ应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在Ｅｃ＝０．４２ｅＶ，另一个随着偏压变化而发生明显的移动......
用深能级瞬态谱研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和......
砷化镓(Ga As)类光阴极已经被广泛用于为电子枪提供自旋极化电子束。为满足现代电子加速器的苛刻需求,这些光阴极必须具备以下特征......
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和......
我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kron......
如何将具备不同光电特性的异质半导体材料,尤其是以GaAs、InP为代表的III-V族化合物半导体材料与Si材料利用大失配异质外延的方法......
