电势分布相关论文
碳纤维复合材料因轻质高强、设计灵活和抗冲击好等特性,在航空航天领域得到广泛应用。碳纤维复合材料具有优良的导电性能,增强体结......
硅漂移探测器（SDD）基于侧向耗尽原理于1983年被提出,主要应用于高能物理和粒子物理实验、能谱分析以及航天航空领域。传统SDD一般具......
针对“静电场”部分一直困扰着师生的几个问题，如带电球体和带电球壳内、外的电场和电势是如何分布的？为什么导体表面凸出而尖锐的地......
本文针对Poisson-Boltzmann理论难于描述微孔中高价和高浓电解质溶液的密度及电势分布现象,文中对能用于描述该现象的积分方程理论......
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修......
双极电极电化学是指在外电场的诱导下，导体的两端与溶液界面产生电势差而引起电极两端分别发生电化学氧化和还原反应的过程。该方法......
会议
粒子外面包裹聚电解质层的存在使体系的稳定性大大提高1,因而这类粒子成为胶体界面化学研究的热点。用介电谱方法测量不同浓度......
借助COMSOL Multiphysics数值软件,分析了环形独立层式摩擦发电机在独立层(PTFE)与电极(铜片)相对运动中电势分布、开路电压特性。......
在历年高考中,有不少涉及课堂演示实验及有关内容的考题。其中部分内容也是学习难点。下面选择的是与高考关系较密切的演示实验,对......
本文介绍的多功能静电实验仪，利用场效应三极管输入阻抗高的特点，探测电荷及周围某点的电势，再用电流计作显示器，直观且可见度大，能成功......
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任......
The large-scale assembly and fabrication method for single-walled carbon nanotube(SWCNT) nano devices was implemented.As......
本文根据钢筋在混凝土中锈蚀所发生的电化学过程,最终表现在混凝土表面电势分布的不同等特定现象,利用“Cu+CuSo4饱和溶液”形成的......
2011年12月,中国科学技术大学对具有保送生资格的保送生进行了面试。其中物理试题有两题,面试老师根据考生的回答情况考虑是否出加......
静电场是电学的核心知识之一,在物理学中占有非常重要的地位,也是高考命题的重点和热点。近几年来的高考物理试题中,频频出现以电......
导体系统的迭加定理在文献〔1〕中有过较简短的讨论。本文则在线性介质中较详细地论证了导体系统迭加定理的更普遍、更一般的关系......
本文是我们建立一种心阻抗血流图技术新理论的系列研究之一，是正式论文的简要快讯。本文旨在判明常用电阻公式是否适用于心阻抗血流......
双栅（ＤｕａｌＧａｔｅ）ＭＯＳ场效应管所具有的完全对称的独特结构带来一系列电学特性变化引起了人们广泛的研究兴趣。本文利用格林函数法，采用合理的边界条......
本文利用有限差分方法计算了真空微电子三极管中的电势与电场分布，研究了尖端顶部的电场受尖端曲率半径及栅圆环直径的影响情况，并模......
提出一种用积分形式的高斯定理、环路定理（电场线的主要性质是它们的具体体现）和叠加原理来证明有导体存在时的唯一性定理的方法
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根据等离子体的流体方程提出了脉冲电晕放电中流注形成和传播的数学模型，导出了流注空间电荷电场的普遍积分表达式．用Ｆｌｕｘ－ＣｏｒｒｅｃｔｅｄＴｒａｎｓｐｏｒｔ（ＦＣＴ）算法，就实验中所......
介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及......
借助于物理直观，以唯一性定理及场的叠加原理为依据，用“试探法”或曰“猜法”求解了几个静电问题，以阐述该方法的要点，并借以说明物理......
用一种新方法，计算孤立旋转椭球导体的面电荷密度和电容。
A new method is used to calculate the surface charge density and c......
分析了声表面波（SAW）叉指换能器（IDT）中波的传播问题。从产生SAW的静电荷分布出发，结合压电材料的各向异性，推导出了叉指上SAW的电势分布......
分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以......
提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关......
有序材料的一些特殊的结构参数与性能有着直接的联系。本工作主要叙述利用分析电子显微术的方法作有序材料中局域化的有序度测定;......
本文用计算机绘图程序对未瓜蛋白酶分子及其活性中心区域的分子表面外壳作了计算和作图,并对其带电荷侧链,活性中心的相邻氨基酸和......
提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的......
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制......
本文基于理论和实验数据对红外反射光谱电解池薄层的电势响应及电势分布进行了初步探讨。
In this paper, based on theoretical ......
计算了三方二锌胰岛素晶胞不对称单位中两个胰岛素分子单体及其双体的分子静电势.结果表明:胰岛素两个单体分子的构象不同,其分子......
为了在电渗设计阶段选择合适的电极间距和长度,采用土体各向同性假设,推导排形布置电渗电极的三维电场强度计算式,并比较不同电极......
通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型.这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒M......
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈......
静电场中零电势的选取对于解决实际问题有其重要的作用和意义,但是静电场中零电势的选取有其任意性,又有其有限性,为何无限远处的......
根据7针状电极系上的电势,利用边界元积分方程建立以针状电极系线电荷密度为未知量的离散方程,通过求解线性方程组计算针状电极系......
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器......
分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,......
通过双氧化限制垂直腔面发射激光器中电场、载流子密度、光场和热场空间耦合方程自洽数值求解,研究了垂直腔面发射激光器中阈值特......
