结构器件相关论文
文章针对当前大功率LED灯具在设计前期不能有效考虑产品标准化及产品通用性,增大了产品研发投入成本与产品的复杂程度.文章主要讲......
基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓......
有机薄膜电致发光现象及其广阔的应用前景，激发了人们的研究兴趣。本文介绍了器件结构的研究现状。
Organic thin-film electrolum......
对参量模式LiNbO_3/P~(?)n二极管阵列结构的声表面波(SAW)存贮相关卷积器进行了详细的理论分析,分析计算了各参量对相关输出的影响......
在新结构薄膜电致发光器件中,电极处的势垒的高度决定电子的注入数量.在电极界面处插入不同的薄膜材料,可以改变势垒的高度,并对电......
1 引言 平面型的金属-半导体-金属(MSM)结构器件最早由美国的S.M.Sze等人于1971年首先提出概念,并研制成硅上的MSM结构器件。测试......
本文介绍了LiNbO_3抽头延迟线(TDL)外接p~+n二极管阵列结构的声表面波(SAW)存贮相关卷积器,器件的中心频率为30MHz,卷积效率为-54d......
本文首先研究了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱材料在不同快速热退火（ＲＴＡ）条件下的量子阱无序，然后利用该技术研制了两种具有新颖结构的半导体激光器．一种是克服......
可调激光器是DWDM光网络系统的理想光源,同时可以用作光分组交换网络结构器件、接入网波长路由器等。本文介绍了可调激光器的技术......
据报道,美国加利福尼亚大学研制成新型异质结AlGaN/AIN/GaN HEMT。对于通常的HEMT在高的电荷密度下,插入极薄的AIN界面层(～1nm)保......
面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDS(on)的功率MOSFET能有新进展。如今,一种新颖的厚底层氧化物工......
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法 ,用于提取LDDn MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生 .这种方法对于初始样品......
为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应,在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构.通过求解二维电势Poisson方程,为新结构器件建......
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信......
合成了一种具有双分子结构的[2-(5-甲基-2-羟基苯基)苯并噻唑]锌[Zn(5-MeBTZ)2]。通过X射线单晶衍射的方法确定了它的分子结构。单......
为了改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高器件的输出功率,设计并制作了一种新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析......
近年来,太赫兹科学技术在快速发展,它在毒品、爆炸物、有毒危险品等安全检查及反恐怖方面展现出独特的应用前景。常用的自由空间太......
热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一......
从描述F-P型半导体光放大器(FPSOA)腔内光强I_(av)与输入光强I_(in)、输出光强I_(out)之间关系的方程组出发,证明了I_(in)是I_(av)......
利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测......
近年来,高温环境下结构位移测量问题在高速地面交通、冶炼、航空、航天和燃油发动机等领域普遍存在。机电装备结构在承受几百甚至......
准一维纳米材料是指在二维方向上为纳米尺度、长度为宏观尺度的新型纳米材料。这种材料研究历史接近30年,早在 1970年法国科学家就......
模板法模板法在纳米结构制备科学上占有极其重要的地位,它被广泛用于纳米结构单元(包括零维纳米粒子、一维纳米棒、丝和管)的合成......
提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间......
Ｔｂ~（３＋）－有机配合物作为发射层的有机薄膜电致发光孙刚，赵宇，于沂，李文连，钟国柱，虞家琪（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）１引言有机薄膜电致发光（ＯＥＬ）自......
本文提出了一种化学键合方法,它能将光敏染料直接键合在抛光的单晶硅表面。对由该方法得到的键合有菁染料及碳菁染料的硅片,进行了......
报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／Ａｌｑ３／ＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电......
TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用.本文通过XPS的测量,分析了新结构器件中SrS......
为计算机硬件系列的课程教学和实验研制了一种全新的实验计算机系统。该计算机１６位字长，硬件（包括ＣＰＵ）子系统和软件（包括指令系统）子系统完全......
通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型......
本文所述的功率 FET 与以前小信号用的 FET 不同,是一个电流垂直于半导体基片流动的纵向结构器件。其主要优点有:(1)脉冲响应特性......
通过采用斜凹槽结构改进了砷化镓功率 MESFET 的性能。在6千兆赫波段,增益4分贝下,得到最大输出功率为15瓦,在11千兆赫波段,3分贝......
1971年Turner等人提出了在源漏之间设立两个独立的肖特基势垒栅,这种双栅GaAsMESFET由于它具有增益高、稳定性好、信号调制能力强......
无产阶级文化大革命以来,从事红外技术工作的工人、科技人员由于深入批判了刘少奇、林彪、四人帮的反革命修正主义路线,使我国红......
引言市场上能买到的功率MOSFET多半都是纵向结构器件。过去,纵向方法提供的通电导阻率(R_(on).A)比横向方法提供的低得多。例如,4......
一、前言 用硅的卤化物进行化学汽相沉积直接生长硅单晶锭(CVD法)是比切克劳斯基法(CZ法)和悬浮区熔法(FZ法)更为简便的工艺。它......
日本日立中央研究所用肖特基势垒工艺制成GaAs双栅场效应晶体管。在4千兆赫下,功率增益达12分贝,噪声系数3分贝。改变第二栅偏压,......
提出了一种新型的凹源结构场效应晶体管(简称RSFET). 对RSFET进行了二维计算机模拟,并与其它结构的场效应晶体管进行了比较.
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根据电路结构、版图特点及速度要求,采用E/D N-MOS制造技术,研制出16位微机CPU电路.器件性能达到了国外同类产品指标,可互换使用.
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本文采用适用于双栅结构的双向直流传输特性方法分析了又栅MOSFET在考虑扩散岛电阻后的内电压和工作状态,可用于器件特性分析及电......
