表面沟道相关论文
成功地研制了八元线阵红外ＣＣＤ多路传输器。该器件为三相结构，采用埋沟和三层多晶硅技术。器件动态范围≥４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％，非均匀性±５％，信号输出......
在0．18μm及其以下的晶体管中，如果半导体生产厂不积极进行内建可靠性设计，就不能向用户提供更大规模的LSI。在0．35μm以上的晶体管中，......
在分析了影响CCD调制传递函数 (MTF)诸种因素的基础上 ,选取一些半导体材料的典型值 ,数值模拟计算了MTF .利用激光照明粗糙表面的......
在最大衬底电流条件下 (Vg=Vd/ 2 ) ,研究了不同氧化层厚度的表面沟道 n- MOSFETs在热载流子应力下的退化 .结果表明 ,Hu的寿命预......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势......
本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散.这电路用一只实际的、纳米尺度的双极......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论.晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为......
无锡开源机床集团有限公司研制的“3MZ146B型自动轴承外圈沟磨床”主要用于磨削小型轻系列球轴承外圈内表面沟道,可单机使用,也可......
线阵CCD摄象传感器的栅氧化,是制作整个器件的一个关键工艺,采用了三氯乙烯(以下简称TCE)参与氧化,已能获得高质量的二氧化硅层,其......
本文描述了由测量转移损失来确定表面沟道电荷耦合器件(SCCD)中表面态引起转移噪声的简单方法。我们测量了二相交迭多晶硅电极长沟......
业已表明,硅电荷耦合器件中,电荷转移的极限速度受硅中碰撞电离和饱和漂移速度的限制。当 L≤10μm 时,埋沟器件(BCCD)的电荷转移......
本文介绍了在P型硅中利用常规单一电平处理而制造的表面沟道CCD噪声源特性的实验数据。这些数据是通过在一连续工作的CCD移位寄存......
在InSb上已制成全单片红外CCD列阵,其探测和读出功能已得到证实。已报道的器件是兼有MOS探测器和四相交迭栅、表面沟道CCD的20元线......
本文讨论和估价了几种界面态效应,对于表面沟道电荷耦合器件(CCD’s)性能的限制。在器件的全部工作时间采用了一种本底电荷,可以使......
CCD(电荷耦合器件)于贝尔实验室问世的时候,当时认为它的一个优点就是制造工艺简单。因为CCD在原理上不需要进行源、漏扩散,只需......
本文对已研制成的线阵三相多晶硅交迭栅埋沟CCD(BCCD)摄象器件的结构、原理及实验、结果做一个简要的阐述.器件的结构采用双列式独......
制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制......
用势探针测定锂漂移深度在国际上是一种早就提出的老方法。一般用铜染色法。该文介绍了用示波器作势探针监测铀漂移深度的一种简易......
在红外区熔再结晶ＳＯＩ材料上用ＭＢＥ的方法形成了Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ量子阱结构，在此基础上，采用常规的Ｐ－ＭＯＳ工艺制造出了ＳＯＩ ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金沟道载流子迁移率有所提高。......
