电子输运相关论文
随着器件工艺尺寸的缩小,应变技术在硅基器件性能提升方面成为了重要手段之一。信息通信技术迅猛发展,推动半导体器件向高功率高频......
由于能耗问题和量子尺寸效应影响,以电荷为信息载体的电子学器件发展已然不能再延续摩尔定律。后摩尔时代,人们开始探究使用自旋和......
采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Si4团簇与Au（100）电极空位相连的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算,得到......
自从石墨烯第一次被英国曼彻斯特大学的学者利用机械剥离法分离出来,二维材料就因其独特的电子结构及物理化学性质引起了广泛学者......
以一维、准一维DNA分子链及准一维多链无序体系为研究对象,从单电子紧束缚模型的哈密顿量出发,利用在负本征值理论及无限阶微扰理......
随着量子信息技术的快速发展,基于半导体量子点系统的固态量子计算已经成为量子测量和量子信息处理的研究热点。人们通过研究纳米......
基于石墨烯等二维材料搭建的纳米电力谐振器由于具有极低的质量和极高的品质因子而受到广泛关注。Fermi-Pasta-Ulam-Tsingou（FPU）问......
近年来,计算物理学家已经证明机器学习模型可以加速复杂系统的模拟,也可以协助量子输运性质的研究。探究无序对输运性质的影响需要......
拓扑材料是一种全新的量子物态,在其中有着受拓扑保护的边界态。在最近的一段时间,拓扑材料引起了人们理论和实验上的广泛关注。拓......
由于石墨烯是真正独立存在的二维材料。这种特征使它具有很好的柔韧性，因此石墨烯很容易出现弯曲变形，这些变形会微妙地影响其中的电......
优质的热电材料要求具有“声子玻璃、电子晶体”特性,因此,基于第一性原理计算,提出在二元MXn半导体层状材料中筛选具有上述特性材......
利用不同宽度的锯齿型黑磷烯纳米带构建了非对称结构的纳米器件.第一性原理计算结果表明,非对称结构器件I-V曲线展现表现出整流效......
狄拉克电子材料中的载流子有效质量为零，能量和动量之间为线性色散关系，这种独特的狄拉克锥形电子能带结构导致许多新奇的量子输运性......
本文制备了以导电聚苯胺为空穴传输材料的固态染料敏化纳米薄膜太阳电池.利用强度调制光电流谱(IMPS)和强度调制光电压谱(IMVS)研......
拓扑绝缘体是一种具有体能隙和受拓扑保护的无能隙的边缘或表面态的量子物质状态，它的新奇性质来源于时间反演对称性和自旋轨道耦合......
石墨烯是一种SP2 杂化的二维材料，是碳元素的同素异形体，拓展形成蜂窝的形状。它可以一层层的堆栈形成三维的石墨，平铺成一维的碳纳米......
本文系统地研究多晶CaMnNbO化合物的结构、磁性和电子输运性质.CaMnNbO化合物具有正交的GdFeO型结构,随着Nb的增加,其点阵常数和晶......
会议
为提升PHEN(the transportation program of Photon,Hadron,Electron and Neutron)对电子输运模拟的处理能力,根据厚靶轫致辐射(th......
非均匀纳米磁性体系,如反铁磁耦合的磁性多层膜,磁性金属—非磁金属、磁性金属—绝缘体颗粒薄膜和磁性隧道结中的巨磁电阻效应(gia......
非均匀纳米磁性体系,如反铁磁耦合的磁性多层膜,磁性金属—非磁金属、磁性金属—绝缘体颗粒薄膜和磁性隧道结中的巨磁电阻效应(gia......
利用数值方法分析微光像增强器电子光学系统,得到电场分布.通过电场分布追踪微通道板(Micro-Channel Plate,MCP)电子运动轨迹,......
半导体的能级结构和金属-半导体异质结的结构及性质对金属-半导体复合材料的导电性能具有重要影响.优化半导体相的能级结构和金属-......
近年来,对非晶态合金的原子结构、电子输运、磁性、力学性能等都有很多工作,但对其内在的电子能态、光学特性等研究得尚少.大量的......
本文报导了Ni-Si-B非晶态合金薄带在压力作用下的电阻蠕变现象,发现电阻的蠕变现象和压力作用下应变的蠕变现象十分相似,也可以分......
从第一性原理出发,用弹性散射格林函数的方法计算了4,4-对苯巯基醚分子器件几何结构的变化对其电子结构及其电学性质的影响.计算结......
一维共轭碳基材料以苯环为基本单元,具有优越的导电性,分子光电器件的发展要求其在高导电性的前提下兼具富电子或少电子特征.本工......
本文从矩方程出发,用多方关系假设导出了Hollweg根据定性分析提出的“无碰撞电子热传导”公式,确定了该公式中的无量纲常数与多方......
在新结构薄膜电致发光器件中,电极处的势垒的高度决定电子的注入数量.在电极界面处插入不同的薄膜材料,可以改变势垒的高度,并对电......
用三维－一维－三维（３Ｄ－１Ｄ－３Ｄ）模型，研究了介观尺寸的弹道电子输运．利用单电子近似和模匹配技术求解三维自由电子气中的单电子薛定谔方程，得出了以２ｅ２／ｈ为......
分析了电致发光的物理过程，讨论了用MonteCarlo方法研究电子加速过程的基本思路。在此基础上，研究了ZnS：Mn薄膜电致发光器件中的电子......
研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各......
中韩半导体物理和器件应用联合学术研讨会于1998年9月14～16日在安徽省黄山市举行．研讨会虽然规模不大，但涉及的内容几乎覆盖了当前半......
通讯、计算机和控制技术统称为信息技术，电子材料和光电子材料是现代信息技术发展的基础，它们是信息的获取、传输、存储、显示及处理......
在考虑各向异性散射的基础上,对锗中电子输运特性进行了全能带蒙特卡洛模拟.计算过程如下:锗的全能带由nonlocal empirical pseudo......
利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算,分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响.结果表明,由于电......
运用格林函数的解析方法研究金属双层膜的电子输运.考虑了量子尺寸效应和来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射,计算单粒子格......
通过在AlxGa1-xAs/GaAs异质结表面制作一对分裂门,获得了用于实现声表面波单电子输运的准一维量子线.实验研究了0.3 K时电子沿该量......
采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al......
根据调制自由载流子吸收(modulatedfree carrier absorption,MFCA)检测技术的三维理论模型,采用变间距频率扫描方式测量单晶硅样品......
在考虑自旋轨道耦合的情况下,研究了通过一非磁性半导体异质结的太赫兹光子驱动的电子输运,研究结果显示频率相关的电导谱出现不对......
我们利用单杂质Anderson模型及运动方程等理论,通过求解格林函数的方法研究了通过T型量子点结构(耦合于铁磁电极和介观环量子点结......
利用基于非平衡Green函数加密度泛函理论的第一原理方法,研究了以S(Se)为端基的三并苯环分子夹在两半无限长的Au电极之间构成双探......
研究了非故意掺杂(UID)与半绝缘(SI)GaN缓冲层(BL)上的Al0.35Ga0.65N/GaN异质结构高温下的电子输运特性,应用Hall效应系统地测量了......
