溅射工艺相关论文
随着5G通信的普及和移动通信技术的不断进步，薄膜体声波谐振器（FBAR）也逐渐向高频、大带宽的方向发展。基于6英寸（1英寸=2.54 cm）微电子......
高硼硅玻璃是指B2O3含量大于10%、Si O2含量大于78%的硼硅酸盐玻璃,最早在1915年由美国康宁公司研发制备而成,并且获得了相关专利......
本文尝试以以溅射工艺制备Zn(O,S)缓冲层代替传统工艺的CdS层和i-Zn0层，不仅工艺步骤得到简化，并且使整体工艺均在真空环境下进行，以......
采用XPS技术分析了不同气体制备的IGZO薄膜在退火前后的各元素组分的变化情况,发现IGZO薄膜中氧元素的不同化学状态含量与溅射气体......
真空溅射镀膜设备中加热装置在镀膜时常出现打火现象，本文采用金属屏蔽和外壳接地的方法很好地解决了这一问题。
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电发光器件对平面显示器和光电子集成电路都有用，为制作这种器件，对Ⅲ－Ⅴ族元素半导体材料和有机材料进行了广泛研究。然而，用这些材料......
本文主要阐述应用微细加工技术研究和开发1 mm电磁型微电机定子绕组的制备工艺。采用高 -高比光刻技术和掩模电镀工艺 ,解决了高......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了......
本文对在高速钢及硬质合金刀具上溅射沉积碳化钛工艺进行了实验研究，并通过优选，取得了一些 最佳工艺参数，对碳素工具钢和合金钢溅射......
日本罗姆公司与立命馆大学一个合作小组声称,其垂直结构GaN MOSFET可达到比SiC相同器件还要好的性能。该研究小组所研制出的上述晶......
氧化钒因其优秀的相变特性和电阻开关特性而广受关注,在氧化钒薄膜多种制备工艺中,磁控溅射法优势明显。本文总结了近年来国内外研......
Mg_2Ge半导体材料是一种新型环保材料,Mg_2Ge材料具有高的塞贝克系数、高电导率和低热导率等特点,是高性能的中高温热电材料,作为......
嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采......
利用直流溅射仪制备了纳米金薄膜,并通过随后的退火处理得到了纳米金颗粒,研究了不同衬底、溅射时间、退火温度及时间对纳米金颗粒......
用普通的射频二极溅射工艺沉积出了PLZT铁电薄膜。溅射用靶材的化学组成为7/65/35和8/65/35,经烧结得到直径为100毫米的陶瓷靶。......
利用锆石墨消气剂可以解决溅射中惰性气体高纯度保持的问题，这对于需要溅 射气压低，又要求淀积薄膜纯度高的情况是很重要的。
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为了进一步认识溅射MoS_2的成膜机理和提高该膜的性能,作者进行了溅射工艺对该膜性能影响的研究并考察了溅射电压、氨气压力、镀层......
低温抽气作为获得超高、洁净真空的手段已众所周知,但只有在一个独立的封闭循环中不用灌液氦就获得深冷的问题解决之后,低温真空泵......
日本日立公司采用基膜上蒸镀厚30毫微米锗层,然后再蒸镀0.2～0.3微米的钴铬层技术。与直接在薄膜上涂钴铬层相比,钴铬晶体方向性更......
一、概述 对各种不同用途的模制衬底镀复氮化钛,一直是近几年来的研制课题。这种技术的应用尤其在工具精整技术上,例如钻头、铣刀......
本文从溅射镀膜的要求出发，设计出符合溅射镀膜要求的 ＺＤＢ—２００低温泵。在分析低温抽气机理的基础上，提出了ＺＤＢ—２００型制冷机低温泵的主要参量。......
采用显微硬度测试方法,研究在单晶硅衬底上沉积厚度仅为0.09-0.56μm的磁控溅射类金刚石碳膜的力学性能。结果表明,溅射碳膜的硬度......
选用Ni_(65)Co_(35)合金靶材，利用射频磁控溅射的方法成膜，采用四探针法测量磁电阻率，分别研究了溅射工艺参数（工作气压、偏压、功率、......
详细描述一种等离子体高效溅射系统及应用工艺。此种崭新的溅射技术结合了蒸发镀的高效及溅射镀的高性能特点,特别在多元合金以及......
一、前言 MCrAlY涂层具有优良的抗热腐蚀性能,适用于运行参数高、使用环境恶劣的燃气轮机涡轮叶片。用离子溅射工艺制备的MCrAlY......
Fe3O4具有理论100%自旋极化率、高居里温度(858K),是能在室温下应用到自旋器件中的半金属材料。本研究采用对靶直流磁控溅射的方法......
分析了磁光记录技术的发展趋势，研究了磁光盘的结构及溅射工艺，研究成功了宽温（使用温度范围-20～＋60℃、高湿60％～95％RH）抗恶劣环境的磁光盘......
本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaA......
1.厂名:营口市晶体管厂项目:二氧化硅溅射工艺条件效果:原来溅射一次硅片(每次100多片)需要8～12小时,现在只要4～5小时,每天可节电4......
日本松下电器产业公司中央研究所研制出新的光集成电路用PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O_3)薄膜电表材料,并用这种材料试制成“高效PTZT薄......
混合集成薄膜滤波器的制造,通常采用多次溅射阻容膜工艺,或者在多靶溅射设备中进行多层溅射。 如果用钽基材料,则可采用一次溅射......
用钽膜制作薄膜电阻元件,具有制作方便,性能优良等优点。但是用来制造精密电阻网络,则其温度系数和长期稳定性尚嫌不足,为此,发展......
铝-n型硅肖特基二极管在热处理后势垒高度φ_B要升高。本文实验结果从几个方面表明这是由于热处理形成表面p 型层引起的。本文介绍......
本文从溅射镀膜与蒸发镀膜的物理过程的比较分析、包括:1.沉积粒子的产生过程;2.迁移过程;3.成膜过程,说明溅射镀膜的特点及导致溅......
清华大学微电子所已初步建成了国内第一条1—1.5微米CMOS VLSI电路(超大规模集成电路)芯片工艺研制线,独立地开发成功了1.5微米设......
1情况简介HI-13串列加速器升级工程中超导直线增能器所使用的4个QWR铜铌超导腔将由我院自主加工溅射。整套溅射工艺线主要由高真空......
2009年,超导增能器主要设备的研制取得了很大的进展。完成了超导腔铜基首件加工,为接下来的4件铜基加工提供了比较可靠的工艺方案;......
1情况简介自2009年溅射工艺线建立完成后,先后进行了多次不锈钢靶的溅射实验,检验了整套工艺线的运行状况,并对溅射膜的均匀性进行......
本文采用蒸发和溅射的制备工艺在ZnO薄膜上制作Au薄膜,研究不同沉积方法对Au膜结构的影响,表明溅射比蒸发制备的薄膜致密性更好.重......
