GHz相关论文
Harmonically pump a femtosecond optical parametric oscillator to 1.13 GHz by a femtosecond 515 nm la
We demonstrate a harmonically pumped femtosecond optical parametric oscillator (OPO) laser using a frequency-doubled mod......
近些年,法国Amplitude公司提出了“吉赫兹(GHz)革命”的口号,主要指发展重复频率在GHz量级的超短脉冲激光光源,并将其应用于工业加......
我们表明紧缩的 Ti：有戒指洞配置的蓝宝石振荡器。由与啁啾的镜子优化 intracavity 分散，有 1.1 GHz 的重复率的脉搏外面被联合由非......
只读的记忆(ROM ) 广泛地作为在直接数字的频率合成器(DDFS ) 印射块的 phase-to-amplitude 被实现。这份报纸在 DDFS 为 ROM 导出......
Multiparty-controlled teleportation of an arbitrary GHZ-class state by using a d-dimensional （N＋2）-p
We present a scheme for multiparty-controlled teleportation of an arbitrary high-dimensional GHZ-class state with a d-di......
最近，真 six-qubit 纠缠了州的 | 六 > 被建议了[陈 P X，等。Phys 加快 A， 2006， 74：032324 ] 。这个状态不属于著名多国参加的纠缠的状......
The 1.3 GHz superconducting radio-frequency (SRF) technology is one of the key technologies for the ILC and future XFEL ......
Recently,some blind quantum signature(BQS) protocols have been proposed.But the previous schemes have security and effic......
比较了四种马赫－陈德尔调制器的结构特性，表明Ｚ切共面波导（ＣＰＷ）是最好的一种结构。用阶跃倒相电极设计了新型电光光波导幅度调制器，研制了包......
EMC测试不久将被扩展到40GHz,Rohde & Schwarz公司SMP发生器系列能满足这种要求。微波信号发生器的主要领域首先是抗辐射干扰的测......
据《学会志》1996年第1期报道，日本NEC公司已制成作卫星通信用固态放大器的AIGaAs异质结双极晶体管（HBT）。在26GHz下实现了每个单元65......
三菱开发９０ＧＨｚ低噪声放大ＭＭＩＣ日本三菱电机公司已制成可使毫米波通信机小型、高性能化的９０ＧＨＺ低噪声放大ＭＭＩＣ。毫米波通信可望应用于第二代的移动通信......
据日本《电子材料》1995年第2期报道，三菱电机公司开发的单片集成放大器，在90GHz下达到世界先进水平：噪声系数3．4dB，增益8．7dB。该产品的......
ＷＨＢ４１型１８～４０ＧＨｚ混频组件南京电子器件研究所已研制成１８～４０ＧＨｚ下变频器组件。该组件由１８～４０ＧＨｚ宽带双平衡混频器，１６ＧＨｚＧａＡｓＦＥＴＤＲＯ（第１本振），４２ＧＨｚＧａＡｓＧｕｎｎＤＲＯ（第２本振）和１６～４２ＧＨＺ本振切换混...
WHB41 18 ~ 40GHz ......
本文阐述了微波低噪声放大器的设计原理，并应用微波ＥＥＳＯＦ设计软件在１０．７～１１．７ＧＨｚ频段上完成Ｇ≥２１ｄＢ、ＮＦ≤３．０ｄＢ的低噪声放大器的设计与制作
This paper describes......
本文阐述了一个基本的Ｓ波段锁相式频率综合器，频率范围是２．３０ＧＨｚ～２．７０ＧＨｚ，频率步进为５ＭＨｚ，相位噪声指标为￡（１０ｋＨｚ）＜－９５ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散抑制优于５０ｄＢ，输出功率大于１０ｄＢｍ
This paper presents ......
１～１８ＧＨｚ超宽带功率放大器主研人员：魏萍李滨阵玲刘仁厚超宽带功率放大器由三级ＧａＡｓＭＭＩＣ行波放大器芯片和匹配电路组成。采用微波电路软件进行优化分......
研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器。在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信......
据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９９年第２期报道。日本东芝公司开发了横向Ｓｉ双极晶体管，用于第三代移动通信系统。该器件在厚度为４００ｎｍ的Ｓｉ氧化膜上形成厚度为１００ｎｍ单晶硅ＳＯＩ衬底，然......
据《日经工卜夕卜o。夕X》1997年第2—10期报道，德国西门子与德国Ruhr大学、奥地利工业大学合作，采用SiGe技术开发了高速2：1分频器IC，......
据《ＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ》１９９９年第１期报道，ＴＲＷ公司已研制成７种新的毫米波ＧａＡｓＨＢＴＭＭＩＣ混频器，迅速增加民用通信产品的种类，并已包括ＭＭＩＣ放大器和ＭＭＩＣ全集成模块。研制成新的超小型ＭＭＩＣ混频......
对采用法布里－珀罗腔和正常色散光纤联合消啁啾进行了理论和实验上的研究。实验得到了啁啾小于孤子形成临界值，重复频率为５ＧＨｚ、脉宽为１６．２ｐｓ的......
本文利用准谐频设计方法，在常规光刻工艺水平上，成功地实现了ＧＨｚ级声表面波（ＳＡＷ）器件。准谐频叉指换能器（ＱＨＩＤＴ）的优点为：其指条宽与指间隙可以比一般......
描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ
Describes the design and manufacture of 8 ......
本文介绍了微波上变频器在１３／１５ＧＨｚ频段的设计方法。通过对其工作原理的分析讨论，给出了１３／１５ＧＨｚ频段微波上变频器电路的设计及测试结果。
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主研人员：李滨陈玲魏萍刘仁厚2GHz～20GHz超宽带功率放大器。其特点是选用多级GaAS行波放大器芯片，通过稳定、可靠的半导体工艺，把GaASM......
主动锁模光纤激光器研制的难点在于克服不稳定性，本文提出解决其长期和短期不稳定的方法，分析了它们的工作原理，通过试验证明该两项技......
ＭｉｃｒｏｗａｖｅＣｏｎｃｅｐｔｓ推出了Ａ２２２０１１-１型开关放大器,这是一个宽带的集成式微波部件,它通过一组ＳＰ２Ｔ开关控制４个放大级的放大和旁路,在输出端集成了２０ｄＢ的定向耦合器,可以......
稳定、波长可调谐的窄脉冲光源是未来光时分复用 波分复用光纤通信系统的重要组成部分。报道了一个2 0GHz的注入锁模光纤激光器的......
基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法 ,对一 6 6 0GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个 6 0 0 72 0GHz的工作频带......
美国 IBM 公司已研制成 f_(max)为285GHz 和 f_r 为207GHz SiGe HBT。尺寸为0.12×2.5μm~2的晶体管线性电流为1.0mA/μm(8.3mA/......
据《日经》第807号上报道,按照美国Intel Corp的计划,微处理器(MPU)的工作频率至2007年时将会超过20GHz。然而,对于如此之高的工......
40GHz铌酸锂电光调制器
40GHz Lithium Niobate Electro Luminescence Modulator...
日本电讯公司NTT与德国U1m大学合作开发出一种工作频率为81GHz的金刚石半导体器件。该器件工作如同一个功率放大器。由于金刚石本......
AML通信公司宣布开发出型号为AML818P3001的宽带放大器。该放大器的覆盖频率为6～18GHz,1dB增益压缩输出功率2W。该器件设计用于高......
Hittite微波公司宣布开发出用于点对点、点对多点、甚小孔径终端、军用和太空用途的三款新的GaAs pHEMT中功率放大器芯片。每款放......
据《Jpn.J.Appl.Phys》2005年第16期报道,日本情报通信研究中心成功研制了毫米波大功率GaN异质结场效应管。研究小组在蓝宝石衬底......
美国模拟器件公司(ADI)最新推出了功率监测器和控制器系列产品AD8319,它在业界最宽的1MHZ～10 GHZ频率范围内精确测量射频(RF)信号,......
介绍了一种应用于GHz级高速频率合成器的数模混合下变频模块.采用了高速射频双模预分频器与数字逻辑综合生成的可编程吞脉冲分频器......
CMOS工艺技术不断地用于频率越来越高的器件结构,最新报导的一个器件是美国加尼福尼亚理工学院开发的令人印象深刻的24GHz功率放大......
