漏极相关论文
联想50A21Y型液晶电视的背光控制芯片采用OZ9967GN(U100),其实绘电路如图1所示(见下页,图中没有标注容量的电容为贴片电容),U100的......
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该......
夏新LE22型LED液晶电视,其背光电路由控制芯片UB802(SN51DP)、开关管QB801、储能电感LB801、续流二极管DB801、滤波电容EB801等元......
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料......
2014年9月意法半导体最先进的STripFETTMF7系列低压功率MOSFET产品新添三款100 V汽车级产品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和STP3......
本文根据场效应管的主要特性介绍了它用于静电探测的方法。笔者推荐出了有关这方面的多种电路,并指出了各自的利弊。
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ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅......
采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源......
本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度......
对 AlN/GaN HFET.的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测,发现了由 GaN 沟道层中陷阱作用引起的分散特性,陷阱的激活能......
采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ对和厚膜混合集成技术，设计、制作了一种运算放大器，并在３５０℃下进行了测试。在２５～３５０℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试，放大器的......
控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低........
本电路虽在原理上与常用的自给编置电路类似,但在这个用于低频MOS场效应管振荡器的偏置环路内具有环路增益,使振荡管Tr1工作稳定......
在焊接和装卸MOSFET期间,人们关心的问题是MOSFEI能否完好无损.尽管这种担心对于小信号器件来说是有充分理由的,但是大部分功率MOS......
本文介绍了基于电荷测量原理的TFT矩阵自动检测系统。该系统可以对TFT矩阵进行多参数的检测,并可用来统计矩阵的成品率及分析TFT的......
砷化镓材料的特点及MMDS用功放管的发展水平 MMDS工作于S波段低段的2.5～2.7GHz频段,发射机的所需功率等级为几十至几百瓦,适合于采......
研究跨导型放大器输入端及输出端可灵活扩展的特性，包括输入端和输出端扩展基本原理和方法及多输入端跨导型放大器主要性能并经ＳＰＩＣＥ模拟......
高品质５０Ｗ×２甲类对地推挽功率放大器（下）覃方标第二级电路取消了常见的对电源放大电路，选用厂由Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４组成的改进型渥尔曼电路，这是一种用......
介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。......
驱动串联的高亮度LED可保证均 匀的亮度,但是这种方法一般需 要电源电压大于跨接在LED串上的总正向电压。一个开关方式升压变换器......
微波ＭＥＳＦＥＴ上变频器张锦卫＊冯立民苗敬峰（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）随着微波ＦＥＴ的迅速发展，微波场效应管上变频器的研究引起了人们的兴趣．１９８０年Ａｂｌａｓｓｍｅｉｅｒ等......
氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感，如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应......
硅二极管导通时的正向压降通常约为0.7V。为了减小二极管产生的不必要的功耗,有时希望二极管的正向压降最好是小于0.7V。本电路用......
1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因F......
本红外探测器装有一个能将入射红外辅射转换成电信号的辐射热计(1)。N型MOS场效应管(2)的漏极与辐射热计的第二端子相连,而其源极......
对现代中央办公大楼的电讯设备可靠性一般都要求达到10~(-12)或更小的位误差率。而电源的性能好坏常常是信息传输质量的重要因素......
据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的G......
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受......
本文基于单电子隧道效应的半经典模型,由电容耦合单电子晶体管的本征,电流电压特性出发,研究了在各种组态下,电容耦合单电子晶体管......
结型场效应管是一种应用广泛的特殊晶体管。判断它的三个电极无资料参考时,可借助万用表来判断,方法如下。 一、判断管子的电极 ......
研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连......
报道了Ｓ波段接收前端用单片混频器的设计方法，运用ＬＩＢＲＡ软件对混频器进行谐波平衡分析与优化，结果表明该软件是进行非线性电路设计很有效的......
报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退化的ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ的失效分析。结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小......
论述了功率场效应管的线性应用。实验结果表明 ,应用功率场效应管的功率放大器比一般晶体管放大器电路更简单 ,特性更好
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最近国际整流器(IR)公司推出用于功率MOSFET的新型封装,称作ElipFET,其中场效应晶体管的栅极、源极和漏极都布置在硅片的同一侧,......
STMicroelectronics公司(位于美国麻塞诸塞州的Lexington)提出了一种新的制造功率MOSFET晶体管的技术。与传统的功率MOSFET晶体管......
本文根据MESFET或BJT的二端口结构，解决了不同端口基准的[S]参数转换，为微波电路设计提供了一个有用的基本工具模块。
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②分压式偏置:图126为场效应管分压式偏置电路,R_(G1)和R_(G2)为分压电阻,它同时还采用自给偏置,这对稳定工作点是有利的。这样栅......
图1所示为由电池驱动的装置中常用的开关电路的例子。P沟道MOSFET Q_1作为电源开关。当按下S_1键时,Q_1的栅极变为低电平,Q_1导通......
快捷半导体公司扩展了其新型BGA(球形栅阵列)、封装MOSFET产品系列,共推出了十一种新型MOSFET,它们的性能-占位面积比在业界领先......
