质子辐照相关论文
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制，基于栅控电荷分离方法，对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效......
当前铁电材料在能量存储方面受到广泛关注,铁电薄膜相对块体材料较高的击穿场强,能获得比块体铁电材料更为优异的储能效应,其中锆......
为避免传统固相摩擦纳米发电机（TENG）的劣势,改善电气输出性能,采用固-液双相摩擦的方式制备TENG。镓铟合金作液态金属汞的主要替代......
GaAs金属半导体场效应管（GaAs MESFET）广泛应用于卫星、雷达、电子对抗等领域,在微波器件及集成电路中独树一帜。随着国内微波技术的......
针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用60Co γ射线源而实际空间应用时存在......
CMOS图像传感器应用于空间任务时容易受到质子单粒子效应影响.本文采用商用正照式(FSI)和背照式(BSI)CMOS图像传感器开展了不同能......
随着科学技术的发展,特别是航天技术、核技术和军事技术的发展,对高性能、低体量、可以应用于各种恶劣的高温强辐射环境下的电力电......
形状记忆聚合物是一类能够在特定条件下固定初始形状,并通过热、光、电等外界刺激来回复至初始形状的新型智能材料,具有密度小、加......
AISI420马氏体不锈钢和5140合金钢是目前加工制造航天飞行器中的机构或结构最常用的金属材料。当航天飞行器在空间服役过程中,通常......
近年来,CZTSSe 薄膜太阳能电池由于受VOC 及FF 损失较大等瓶颈问题制约导致其发展缓慢,效率也停滞不前。研究者们已经从多个方面采......
会议
聚变堆面向等离子体材料(PFMs)作为直接面对高温等离子体的第一壁、偏滤器等的护甲材料，其工作环境极端苛刻，遭受着高温、高热负荷、......
为研究CMOS有源像素传感器的质子辐照损伤效应,对某国产0.5μm工艺制造的CMOS有源像素传感器进行了10MeV质子辐照试验.当辐照注量......
实验研究了质子辐照的ＫＮｂＯ〈，３〉晶体的光折变响应特性。实验结果揭示出在质子辐照后的晶体中存在着两种不同的光栅，其一是由晶体本身的光......
鉴于质子辐照拥有可以造成较高厚度均匀损伤区的优势,本实验采用3MeV质子辐照核石墨IG-110,获得一个80ym厚度左右的均匀损伤区来模......
为研究月基极紫外相机Mo/Si多层膜反射镜能否在月面辐照环境下长期稳定工作,从理论仿真、光学性能、微观形貌三方面对其辐照稳定性......
为了检验应用在极紫外波段空间太阳望远镜上Al滤光片在空间辐照环境下透过率的变化情况,用能量100 keV,剂量为6×1011/mm2的质子束......
采用慢正电子束流多普勒展宽测量技术，针对质子辐照FeCrNi合金中辐照温度对于缺陷形成和演化的影响机制进行研究。实验发现质子......
本文研究了150KeV质子辐照对TiNi形状记忆合金马氏体相变的影响。通过示差扫描量热法(DSC)测试发现，质子辐照后在加热过程中马......
会议
文针对空间环境对固体自润滑材料的特殊需求，采用环一块、球一盘、栓一盘摩擦磨损试验机以及XPS等现代分析测试手段，对经过原子氧、......
黑色聚酰亚胺薄膜是一种柔性热控涂层，在航天器上已得到广泛应用。文章对黑色聚酰亚胺薄膜进行了真空.紫外辐照、真空.质子辐照、真......
文章研究了质子和离子(氮离子)辐照对镁稀土(Mg-Zn-Y-Zr)合金拉伸性能、表面硬度及拉伸变形断裂行为的影响。分别经能量为170keV，注......
通过地面模拟空间环境质子辐照条件(质子能量Ep=150keV,束流密度A=2.0×1012cm-2·s-1,辐照剂量范围Φ=0-5.0×1016cm-2;真空度10-......
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文章介绍了ＧａＡｓ太阳电池辐照效应的研究状况，简述了研究中常用的方法及重要的结论。现有的研究结果表明，ＧａＡｓ太阳电池性能的退化与辐照粒子的......
研究了ＯＰ－０７双极运算放大器在８ＭｅＶ、１２ＭｅＶ两种能量下的质子辐照效应及损伤特性，并通过对电路内部的损伤分析，探讨了各敏感参数的变化规律．结果表明，由......
在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上， 从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。对ＫＫ２００Ａ 半成品晶闸管进行......
比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内......
本文介绍了ＯＰ－０７双极运算放大器的６０Ｃｏγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及６０Ｃｏγ和电子辐射损伤在室温和１００℃高温条件下的退火效应，揭示了双......
３１６不锈钢原位质子辐照下疲劳过程中的声频内耗用弯摆在３３３～５７３Ｋ温区和应变振幅为１０￣（－４）量级下进行了研究。结果表明，有质子辐照的疲劳过程中的内耗在......
研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为1011cm2、能量2．45MeV）和O+++（注入剂量为1010cm－2、能量12MeV）辐照后光电参数的变化规律，并通过......
用13MeV的质子在注量为8.1×10~(15)—2.5×10~(17)H~+/cm~2范围内照射了高T_c超导薄膜Bi—Pb—Sr—Ca—Cu—O(照射时样品温度保......
采用正电子湮没方法研究了聚变堆用316L不锈钢中冷轧产生的缺陷以及α和p辐照引起的辐射损伤。冷轧和不经冷轧不锈钢的对照测量表......
不锈钢箔上电镀历来是困难的,这是因为不锈钢箔表面具有一层天然的耐腐蚀、抗氧化的纯化膜,这层纯化膜极薄,很致密,它与基体不锈......
文章依据较高线电压的扩展比较了具有扩展安全工作区(SOA)的2个4.5kV二极管。为了改善反向恢复特性,必须降低通态过程中靠近阳极的......
在过去二十年中,由于位错浸蚀技术在研究具有岩盐结构的物质,特别是MgO和LiF方面的应用,使人们在认识形变的详细机理方面有了显著......
开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究.分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退......
质子辐照诱发电荷耦合器件(CCD)中的暗信号。建立了质子辐照电离损伤的辐射效应模型,通过应用半导体器件仿真软件MEDICI进行数值模......
研究了电荷耦合器件(CCD)位移辐射效应的损伤机理。分析了位移损伤诱发的体缺陷对CCD工作性能的影响。研究了位移损伤导致CCD电荷......
通过对BaF2 晶体进行质子辐照实验 ,研究BaF2 晶体质子辐照后的荧光发射谱及正电子湮没寿命谱。初步探讨BaF2 晶体经质子辐照后出......
航天器在空间环境中运行时,会受到质子的辐照,光纤环作为航天器上光纤陀螺的重要组成部件受辐照影响最为严重.为了研究国产“—”......
研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应.在3 MeV质子辐照下,当辐照剂量达到1×10~(15)protons/cm~2时,漏极饱和......
首先介绍IGCT配套用FRD器件的特点和国内外发展现状,进而说明FRD器件的结构设计原则;详细阐述了FRD器件的粒子辐照技术,并采用质子......
