【摘 要】
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本文通过对典型场控P-N结结构的分析,给出硅突变结击穿电压(BV_R)与覆盖在结上面的场绝缘层介质类型(K_i)、介质厚度(d)、场板偏压(V_F)、平带电压(V_(FB))、衬底杂质浓度(N_
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本文通过对典型场控P-N结结构的分析,给出硅突变结击穿电压(BV_R)与覆盖在结上面的场绝缘层介质类型(K_i)、介质厚度(d)、场板偏压(V_F)、平带电压(V_(FB))、衬底杂质浓度(N_B)、结曲率半径(r_i)等参数之间的定量关系表达式.实验表明.实际测量的数据与用本文中公式所计算的结果符合得很好.预示,用同样的方法,也可以推导出场控缓变P-N结的击穿电压表达式.
In this paper, we analyze the typical field-controlled PN junction structure, and give the relationship between the BV junction breakdown voltage (BV_R) and the field insulation layer type (K_i), dielectric thickness (d), field plate bias voltage ), Flat-band voltage (V FB), substrate impurity concentration (N_B), and junction radius of curvature (r_i) were calculated.The experimental results show that the actual measured data and calculated by the formula in this article The results are in good agreement, indicating that in the same way, it is also possible to derive the breakdown voltage expression for a field-controlled ramp PN junction.
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