氧化物电荷相关论文
由于HfO2材料具有较高的介电常数、较低的泄漏电流,以及与Si材料较好的热匹配性,成为电子器件理想的栅氧介质材料,被广泛应用于航......
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XP......
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XP......
基于线阵商用CCD器件，开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压，光响应灵敏度和电......
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层 ,成功地制备了SiO2 膜 由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数 ,随氧等离子体处理时间的不同在 ......
报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生......
对氢氧合成栅氧化后注F的MOSFET进行了γ射线辐照试验,分析了不同注F剂量的MOSFET电离辐射响应特性。结果表明,在1×10~(15)～1×10~......
比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后9......
采用溶胶-凝胶法合成了三种不同结晶尺寸锂锰氧化物,并用电化学交流阻抗法研究了样品结晶尺寸对电荷传递过程的影响.结果表明结晶......
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XP......
该文对N型MOS电容进行了Fowleer-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并利用高艭-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化电荷、界面态的感生......
对含F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明：F减少工艺过程引入栅介质的E中心缺陷和补偿Si/SiO界面Si悬挂键......
该文研究了注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ的总剂量辐照响应特性和辐照后氧化物电荷、界面态变化与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注......
该文研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺CNOS运算放大器电咱的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示，虽然对单管特性而言，干氧工艺具......
分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明，把适量的F注引入栅介质，能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈......
该文介绍了在相同工艺条件下，N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算物大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对特性的影响情况。结果显......
研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示 ,虽然对单管特性而言 ,干氧工艺......
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088......
通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验，从......
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备SiO2膜，由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065－1088cm......
本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律.结果显示:在MOSFET的栅场介质中适量注入......
介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单......
建立一套用于ＭＯＳ结构辐照陷阱消长规律研究的快速Ｉ－Ｖ在线测试系统，用此系统可进行自动加偏和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阀曲线测试，从面可快速定性定量获得辐照和退......
介绍了不同版图结构制作的CMOS运放电路的电离辐照实验结果,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之......
基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件（CCD）,对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及......
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量......
对干氧栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳ电容进行了γ射线辐照试验，研究了不同注Ｆ剂量的ＭＯＳ电容电离辐射响应特征。结果表明，注Ｆ能抑制辐射感生氧化物电荷和界......
对含Ｆ ＭＯＳ结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明：Ｆ减少工艺过程引入栅介持的Ｅ ’中心缺陷和补偿Ｓｉ／ＳｉＯ２悬挂键的作用，将导致实......
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的......
对含 F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明 :F减少工艺过程引入栅介质的 E’中心缺陷和补偿 Si/ Si O2 界......
本文详细地综述了自然空间环境中总剂量电离辐照引起的MOS器件性能衰降;MOS介质经受电离辐射期间产生的界面和氧化物电荷使得大量......
本文以60Co-γ源作为辐照源,选用栅控横向PNP型(GLPNP)晶体管为研究对象,在100rad/s、10mrad/s和变换剂量率下分别进行了辐照试验,......
为研究抗热载于损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－ＶＲ准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变......
