深能级瞬态谱相关论文
＜正＞通过对 Al 电极/HfA10/Si 组成的金属一氧化物一半导体电容（MOS-C）的深能级瞬态谱（DLTS）研究,HfA10和 Si 的界面区域缺陷的性质可以......
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发C......
在真空中,将C膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C固体/n-InP和C固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是......
通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因，从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的......
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器......
ZnO和SnO2压敏元件的电性能取决于晶界肖特基势垒。深能级瞬态谱仪(DLTS)是研究存在于肖特基势垒的电子态的一种有效工具。本......
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流......
应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所......
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时......
本文讨论了研究半导体缺陷深能级瞬态谱中遇到的多指数分解问题，并使用共轭梯度计算法对瞬态谱进行数值Laplace逆变换处理来实现多......
将ＤＬＴＳ用于对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓＱＤ结构样品的测量，测定了ＱＤ能级发射载流子的热激活能；获得了ＱＤ能级俘获电子过程伴随有多声子发射（ＭＰＥ）、ＱＤ能级存在一定程度的展宽、以及......
在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心......
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的......
我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子......
采用定域密度泛函离散变分方法（ＬＤＦＤＶＭ）计算了Ｓｉ中掺Ｅｒ的原子构型与电子特性，并计算了Ｏ共掺杂对Ｓｉ中掺Ｅｒ体系的原子构型与电子特性的影响．结果表明......
本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析，验证了这一方法......
提出利用深能级瞬态谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ） 技术研究 Ｍ Ｎ Ｏ Ｓ 结构中界面陷阱的分布，阐述并建立了 Ｍ Ｎ Ｏ Ｓ结构 Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ 存储峰和界面态峰的解析理论，并给出区分......
Electrically active defects in the phosphor-doped single-crystal silicon induced by helium-ion irradiation under thermal......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)因具有击穿电场高,禁带宽度大,电子迁移率高等特点,在高温高频、高功率军用电子以及5G通讯等领域有着......
学位
钛酸锶(SrTiO_3,STO)是一种具有典型钙钛矿结构的绝缘体,近年来各项实验表明,用氩离子(Ar+)轰击绝缘SrTiO_3后,其表面准二维导电层......
学位
金刚石具有优异的电学、光学和机械性能,能够耐高温、耐腐蚀和抗强辐射,已成为当前光电器件在苛刻环境下工作的首选材料。但是生长......
我国科学家在Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ自组织量子点激光器研究中获得突破。目前已经获得室温下ＰＬ峰值在１．３μｍ的量子点材料，朝１．３μｍ激光器迈出了一大步。Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ量子点体系因......
本文报导了在ＪＸＡ—３Ａ电子探针上，研制了电子束感生电流装置、电子束消隐装置、可微动低温样品台以及超慢速电子来扫描装置，配置Ｂｏｘｃａｒ平均器。成......
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性......
采用常规方法和分步注入法制备SOI SIMNI(SilicononInsulator SeparationbyImplantationofNitrogen)薄膜材料 .用液氦低温霍耳效应......
本文综述了３ｄ过渡族金属在直拉硅单晶中的扩散、溶解、沉淀及间隙位演变等性质，介绍了国际上在此领域的研究进展，为进一步开展这方面的......
根据电子输运的“双群理论”计算出电子在Ｓｉ－ＳｉＯ２材料中的能量沉积．用与硅等效的外推电离室测定了１．０ＭｅＶ和１．５ＭｅＶ的电子束在ＭＯＳ电容芯片中的吸收剂量．用Ｘ光电......
本文应用DLTS(深能级瞬态谱)技术研究磷处理对Si—SiO_2界面态密度和停荻截面的影响.给出了(100)晶向n型硅MOS结构的实验结果.
In......
第1期多声子跃迁高温强藕合近似的判据···························……顾宗权黄昆(1)低剂最中子辐照......
本文用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究镓砷磷发光二极管(GaAs_(0.8)P_(0.4)-LED)中的电子陷阱.温度扫描从77K至300K.结果表明,用“磷......
本文报导了用质子注入GaAs形成高阻隔离层的实验研究及其在微波半导体器件方面的应用.并对其隔离机理和隔离层的热稳定性问题作了......
通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c......
磷化铟和与它有关的三元四元合金是目前认为作光电及微波器件比较有前途的材料.上述一些器件的制备工艺虽尚未成熟,但已发现材料......
本文介绍了用深能级瞬态谱(DLTS)法测量GaAs MESFET的深能级杂质和缺陷。在有源层中一般没有测到深能级杂质和缺陷,但在有源层与缓......
对两种衬底材料的 n~+/p/p~+结构的硅太阳电池进行了深能级瞬态谱(DLTS)测量。在二次直拉料衬底的电池中观察到一个空穴陷阱和两个......
本文系统介绍了用于有效地研究MOS界面电学特性的深能级瞬态谱(DLTS)法。重点叙述和分析了MOS电容的瞬态响应特性,DLTS法基本原理......
本文报道了在InP衬底上,生长应变等电子掺杂的缓冲层位错密度的降低。
This paper reports the reduction of the dislocation de......
本文采用深能级瞬态谱(DLTS)方法,测量了A1_xGa_(1-x)As/GaAs LOC(Large Optical Cavity)激光器中的深中心,并初步分析了这些深中......
本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬......
采用电容技术和传输测量对氧化物覆盖的硅衬底上的卤素灯退火再结晶硅膜的电特性进行了研究。经深能级瞬态谱分析表明,本体和界面......
本文用 DLTS 方法测量深能级的浓度分布时,引入了有效发射宽度概念,很好地反映了空间电荷区边界层的影响。用它作为测量深能级浓度......
