载流子注入相关论文
目前,基于III族氮化物半导体材料的发光二极管（Light-emitting diodes,LEDs）已经取得了巨大进步,尤其在蓝光LED领域。发光二极管具有......
苯乙烯和喹啉是有机荧光材料的常用官能基团,已经在有机发光二极管(OLED)中得到了应用.本文用一种苯乙烯基喹啉衍生物2,2\'-(2,5......
有机电致发光器件（OLED）由于其具有可弯曲折叠、节能环保、低功耗、低压驱动、自主发光等优势,在全彩显示照明领域具有极高的应用价......
基于多模干涉原理和等离子体色散效应,研制了一种波分复用光开关,并用二维有限微分法对其进行了模拟分析与优化设计.优化结果为:多......
近年来,由于在众多氧化物中发现的电致电阻变换效应在高性能的非挥发性阻变存储器中具有潜在的应用而受到广大科学研究者的重视,相......
目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件......
近年来,低温多晶硅薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)被广泛应用在平板显示领域,实现像素矩阵与驱动电路的板上集成。然而在实......
Manipulation of antiferromagnetic(AFM) spins by electrical means is on great demand to develop the AFM spintronics with ......
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和......
采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr......
针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑......
本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论，提供了一种既简单又较准确的计算压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的方法......
考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对......
叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理......
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子阻挡光栅的......
本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量界面态横向分布的方法．与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引......
半导体及金属聚合物将使AMLCD集成电路可能用印刷技术来制作,从而取代当今制作业中堆积如山的不锈钢。
Semiconductors and metal......
通过分析有机电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型。基于电流连续性方程和Poi......
描述了用以进行n 沟道动态电位DTMOS半导体器件源极 /漏极载流子注入优化设计的实验结果 ,该器件制造采用了低成本 0 .15微米SOI和......
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可......
高速光开关及光开关阵列是全光交换的核心器件.首先给出全内反射型光波导光开关器件的理论分析模型,并基于GaAs材料中的载流子注入......
为解决常用经验计算公式参数复杂、产热项考虑不足等问题,采用优化的激光器热模型分析了激光器连续工作时有源区温度的变化并进行......
采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向......
将光电材料硫化镉(CdS)薄层插入到结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光有机发光器件(OLED)的Alq3和LiF之间,研究了......
采用0.8μm CMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI 4×4马赫-曾德(MZ)光开关阵列,其由4个2×2基于多模干涉(MMI)耦合器的MZ(MM......
在poly[{9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenylene)-alto-co-(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene}](PFOPV)发光材料中......
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的......
为了研究三重态激子与电荷作用(triplet-charge interaction,TCI)产生磁电导(magneto-conductance,MC)的原因,分别用Al,Li F/Al和C......
分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ITO表面进行修饰,研究其对OLED器件(ITO/PVK/FIrPic∶SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响。结果显示,相......
蓝光材料作为OLED的三原色发光材料之一，不仅可以自身发光，还可以将自身能量传递给低能量的发光材料，产生不同颜色的光；同时具有增......
会议
铕配合物是一类中心金属离子发光材料,有利于通过取代基调控实现较好的敏化稀土中心离子发光,得到高色纯度的红色锐带发光,同......
在有机光电器件的设计与制备当中，界面调控对器件的性能起着至关重要的作用，能显著影响到器件的载流子注入和抽提效率，因此，良好的......
有机-无机杂化钙钛矿材料具有高发光量子效率、高载流子迁移率、发光波长易调及可通过低温溶液工艺制备等优势，目前钙钛矿发光......
高性能的电光调制器作为光电集成系统中的核心器件,起着将电信号转化为光信号的作用,其调制性能很大程度上决定了光电混合集成系统......
自GaN基LED技术诞生以来,p层优化生长是进一步提升LED光电性能的主要任务之一。其中,作为一种能够有效提升硅基GaNLED光电性能的外......
Al Ga N基深紫外发光二极管(DUV LED)拥有环保、安全、高效和低功耗等特点,在众多领域均具有独特的优势,包括杀菌消毒、水和空气的......
本文着重讨论了载流子注入半导体制冷的关系，并且对其制冷性能进行了比较分析。
This paper focuses on the relationship between......
用半导体理论讨论了金属铁电薄膜半导体（ＭＦＳ）结构的电容电压（ＣＶ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ结构的ＣＶ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的......
８－羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑薄膜的光致发光及电致发光马於光，唐建国，沈家骢，刘式墉（吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室，集成光电子......
讨论了酞菁复合光接受体Mylar/Al/UCL/CGL/CTL的界面、界面的电子态和光电导性能 .光接受体A中CGL和CTL的界面电子态有效地加速了......
用可溶性前聚物法制备了单乙氧基取代的聚1．4萘乙炔（PEONV）。并采用PEONV作为有源层制作了单层结构电致发光器件。该器件的阳极为ITO，......
离子注入工序产生的1024字×1位的阵列具有亚微秒读周期时间和TTL相容性,而且不需要时钟和没有载流子注入问题的麻烦。
The 1024 ......
