金属氧化物半导体相关论文
综述了近年来国内外的一种新型导电颜料————片状导电珠光颜料的现状及发展情况。介绍了片状导电珠光颜料的特点、分类、导电机......
随着工业化和城市化的快速推进,越来越多的有毒有害气体被排放到环境中,导致空气污染问题日益严重。金属氧化物半导体（MOS）基气体传......
辐射制冷作为一种被动式制冷技术,近年来在降低制冷能耗方面显示出巨大的潜力。尽管大量的努力投入到实现日间辐射冷却方面,近年来......
金属氧化物薄膜晶体管（MOTFTs）具有迁移率高,均匀性好,关态电流低等特性,在新型显示领域具有较好的应用前景,但光照和热条件下的负偏......
氢气作为一种贯穿工业生产的清洁能源,在电网中也得到了广泛发展。它可被用作一种高效冷却剂为氢冷发电机组降温,也可作为能源在氢......
室温气敏材料能耗低、稳定性好、安全性高,并且有助于简化传感器的器件结构,具有很好的实际应用前景。开发具有优异室温传感性能的......
利用太阳光光电化学分解水是绿色、可持续产生氢能的有效途径。然而,目前该体系的转换效率普遍偏低,其瓶颈在于没有找到合适的光阳......
研制一种能在严苛环境下有效检测特定气体的气敏传感材料,不仅具有重要的科学研究意义,而且对于改善人体健康、排除安全隐患、治理......
金属氧化物薄膜晶体管（MOTFT）因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传......
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备.研究了N2......
金属氧化物半导体气体传感器在环境空气质量监测、有毒有害气体检测以及某些疾病初步诊断等方面具有良好的应用价值与潜力.综述了......
随着工业和科技水平的不断进步和发展,使得人们的工作和生活变得更加便利。与此同时,人们也更加注重生活质量和健康水平。但是,伴......
三乙胺是一种应用广泛但对人体有毒副作用的挥发性有机物,需要长期有效的监测,开发一种性能稳定、安全可靠的三乙胺气敏传感器,实......
利用高温常压氧化技术对外延生长SiGe层的SiGe/SOI结构进行高温氧化,研究了氧化过程中SiGe层中Ge、Si元素浓度变化情况.结果表明Ge......
采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固，分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件，对器件进行辐照......
本文基于smicsO.25μmCMOS工艺,设计了一种可应用于622MHzCDR(时钟数据恢复电路)的环形压控振荡器.该电路采用全差分结构,使用镜像......
本文报道了一颗宽带多模兼容卫星导航接收机射频前端芯片的设计研究。该芯片支持接收中国北斗二代和美国GPS 卫星导航信号，主要包括......
本文提出了一个深亚微米尺度下总剂量辐照引起的NMOS器件寄生管泄漏电流模型，该模型将辐照对MOS器件的影响直接体现为寄生管阈值漂......
<正>This paper describes an analytical model for bulk electron mobility in strained-Si layers as a function of strain.Ph......
三极管既包括双极型晶体管(BJT)，又包括场效应管(FET)，而场效应管按结构又可分为结型(JEFT)和绝缘栅型(IGFET)两种。绝缘栅型场效应......
N 类型和 p 类型 6H-SiC 金属氧化物半导体(瞬间) 电容器样品与一个典型方法被制作，并且高频率电容器电压(C-V ) 这些样品弯在从 29......
在这份报纸，我们系统地高在 AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor 学习积极的门漏水流有用原子层免职(ALD ) 的 HfO2 电介质的电子......
鉴于气体传感器在有毒、有害、易燃易爆气体检测方面的重要作用，使得开发出具有高灵敏度，低检测下限，良好选择性和长期稳定性的传......
有机-无机杂化钙钛矿有着较长的载流子扩散长度、较宽的光吸收、较小的激子束缚能等优异的特性,现已被广泛地应用于太阳能电池、光......
人体中的各种疾病威胁人类的健康乃至生命,因此对疾病的检测手段至关重要。光电化学生物传感器能够在疾病的检测方面发挥重大的作......
显示市场正朝着柔性和大尺寸的方向发展,金属氧化物薄膜晶体管（MOTFT）有迁移率高（1-100cm2/Vs）、薄膜均匀性好等优点,成为有源矩阵液晶......
近年来,诸如ZnO、SnO2等的金属氧化物半导体(MOS)由于价格低廉、结构简单、气敏性能优异并且能与微电子电路兼容在气体传感器领域......
金属氧化物(MOS)对挥发性有机化合物(VOCs)气体普遍存在着交叉敏感性问题,因此单个传感器无法准确做到对混合气体的定量分析。为解......
纳米尺度的金属氧化物半导体由于其高的比表面积，作为高性能的气敏材料具有极大的优越性。本文综述了通过材料形貌及尺寸的调控......
本文介绍了基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件的中心频率3.45 GHz的宽带功率放大器的设计,电路采用两级放大器级联实现......
本文针对碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件器件在高温、高频、大功率等条件下出现的问题......
该文主要研究了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和〈’６０〉ＣｏΥ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数辐照后在室......
采用批次平行极板电容耦合热墙式ＰＥＣＶＤ淀积系统、ＳｉＨ〈，４〉和ＮＨ〈，３〉作为反应气体，在等离子激发条件下，进行了ＳｉＮｘ薄膜的淀积研究，并将其用作双极器件的......
超结（SJ）VDMOS与传统VDMOS相比，在相同的击穿电压下导通电阻降低了约五分之一而成为当前国内外研究发展的重点和热点。其在大功率、低......
金属氧化物半导体(MOS)因其可以直接利用太阳能，而被广泛应用于气体探测、光催化、以及能量存储与转化等领域。其光气敏特性就是指......
金属氧化物半导体（MOS）气敏传感器因其较低的价格、较高的响应值、较短的响应和恢复时间等诸多优势而受到人们的普遍关注。而原位漫......
在过去的十几年中,由于环保、现代生活、工业及国家安全等方面的需求,气体探测与监测的研究与开发受到了人们空前地重视。气敏传感......
近年来，人们的生活和工作与气体探测的关系越来越密切，在工业行业、环境监测、食品卫生以及医疗服务等各个领域中，对气体传感器的要求......
自从20世纪40年代逆变器诞生以来，逆变器经历了飞速的发展。低电压大电流逆变器凭借其输出电压低，输出电流大等特点，被广泛应用在低压......
4H-SiC以其优越的物理特性和电学特性，是新一代电力电子器件的热门候选材料。作为最具代表性的功率器件，4H-SiC基金属-氧化物-半导体......
通过交流和直流反应溅射，我们以硅基片(表面上有白金加热电极)为基底制作H_2S气敏元件。实验表明，纳米WO_3和纳米SnO_2对H_2S都具有......
随着功率集成电路应用领域的不断扩大，BCD工艺所受到的关注日益增加。BCD工艺用于单片集成工艺，其设计过程中除涉及包括高压和低压的......
在空间应用中，小尺寸MOS器件面临着空间辐射环境与常规可靠性双重挑战。国内外对考虑空间辐射因素的微纳米器件可靠性研究，由于辐射......
