氧化铪相关论文
爆炸式增长的数据量使得信息在CPU和内存之间的数据传输带宽遇到了所谓的“冯·诺伊曼瓶颈”。发展后摩尔时代新器件和计算架构,探......
铁电存储器是一种以铁电材料作为数据载体的非易失性存储器,因其良好的存储性能,在医疗、航空航天等领域一直备受关注。然而,现有......
随着5G、人工智能、物联网的兴起,信息量的增长激发了人们对高性能存储器的需求。铁电存储器由于其高存储密度、高读写速度、低功......
在过去的几十年里,互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor,CMOS）晶体管的不断缩小为计算和信息技术的指数......
阻变存储器（RRAM）具有储量大、器件面积小、能耗低、以及与传统工艺兼容等优点,有望取代Flash存储器,解决其因特征尺寸减小时存在的......
学位
随着人们对数据存储需求的增加,越来越多的存储器件应运而生。一直以来,铁电材料广泛应用于铁电隧道结和忆阻器等存储器件中。然而......
大数据时代需要存储和处理的数据量呈现爆发式增长,而传统基于浮栅结构的存储器和基于冯.诺依曼构架的计算器已经达到技术瓶颈,发......
人脑由许多通过突触连接的神经元组成,可以同时执行感知、学习和记忆功能。因此,突触是生物大脑的主要单元,类似于生物突触的人工......
近年来,许多便携式、可穿戴、可植入式的电子设备已经融入到我们的日常生活中。构成这些设备的关键部件有能量收集器、能量存储元......
利用蒸发氧化铪和离子辅助蒸发金属铪反应沉积氧化铪薄膜,对两种工艺下制备的氧化铪薄膜进行光学和结构以及激光损伤特性的研究 ......
随着5G和大数据等技术的快速发展,传统存储器面临着如高密度集成、特征尺寸匹配等技术瓶颈,因此新型非易失性存储器的研究将扮演重......
随着信息化时代半导体产业的发展,人们对各种电子产品,特别是信息存储产品的需求呈现高速上升趋势。目前市场上最主流的存储器是基......
当前,柔性可穿戴电子器件是未来电子器件发展的重要趋势之一。人们迫切需要开发一种基于柔性衬底的存储器件,能实现数据存储、处理......
阻变存储器(Resistive Switching Memories,RRAMs)作为新型非易失性存储器的一种,具有简单类电容结构、最小4F~2单元面积、易三维......
下一代新型处理器,即类脑计算芯片,需要像人类大脑一样具备高并行处理能力、高容错率和高存储密度的能力,以满足人工智能的发展需......
以分析纯ZrOCl2.8H2O、HfOCl2.8H2O和Y(NO3)3.6H2O为原料,采用反向滴定共沉淀-共沸蒸馏法成功地制备出无团聚的ZrO2-HfO2-Y2O3复合......
研制了氧化铪(HfO2)层厚度名义值分别为1nm、5nm、10nm的3种氧化铪薄膜膜厚标准物质,采用溯源至SI长度和角度基准的纳米薄膜厚度校......
氧化铪(HfO2)薄膜因具有近紫外-红外光谱范围内优良的光学透过性,高抗激光损伤阈值,高介电常数,以及良好的热力学稳定性和化学稳定......
近年来,具有高密度、高速度和低功耗等特点的非挥发性存储器件在存储器的发展过程当中占据着越来越重要的地位。而在众多的新型非......
金刚石具有高红外透过率、低吸收系数、抗热冲击性好、耐磨擦等一系列优异的性能，是用于长波红外波段(8～12μm)理想的窗口和头罩材料......
本报告使用量子化学的密度泛函方法(DFT)研究了高介电常数栅介质nfO的原子层淀积的初始反应的反应机理。研究的主要内容有反应前体......
随着集成电路工艺技术节点的不断微细化,基于电荷存储机制的Fl ASH非挥发性存储器在高密度、高速度等方面优势不再明显。阻变存储......
由于锆和铪的氧化物具有广阔的发展前景和可预期的市场潜力，研究开发综合性能好的锆和铪的氧化物材料，已成为材料工作者努力实现的目......
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线......
以分析纯ZrOCl2·8H2O、HfOCl2·8H2O和Y(NO3)3·6H2O为原料,采用反向滴定共沉淀-共沸蒸馏法成功地制备出无团聚的ZrO2-HfO2-Y2O3......
电子枪蒸发制备了氧化铪薄膜,对氧离子束辅助和未辅助两种情况下的样品进行了折射率、吸收、激光损伤阈值等属性的测试,结果表明,......
建立了用电感耦合等离子体-质谱法(ICP-MS)测定纯铪或氧化铪中的Mg、Al、Si、P、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、As、Zr......
期刊
本文采用射频磁控溅射法在不同氧氩比下制备氧化铪涂层。研究了涂层的沉积速率、表面形貌、微观结构和电绝缘特性随氧氩比的变化。......
建立了电感耦合等离子发射光谱法测定氧化铪中Al、Ca、Mg、Mn、Na、Ni、Fe、Ti、Zn、Mo、V、Zr等12种杂质元素的分析方法。方法的......
采用溅射法制备的非晶结构HfO_x薄膜,其平均透射率超过80%,禁带宽度约为5.73 eV。以此制备的ITO/HfO_x/Ti阻变存储器,表现出稳定且......
由北京有色金属研究总院承担的纯紫外级二氧化铪材料研究成功并进入批量生产和实际应用。北京有色金属研究总院是最早从事我国锆铪......
以分析纯ZrOCl2·8H2O、HfOCl2·8H2O和Y（NO3）3·6H2O为原料，采用反向滴定共沉淀-共沸蒸馏法成功地制备出无团聚的ZrO2-H......
“2007年l1月，英特尔量产高k电介质45nm微处理器”。它表明高k电介质／金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是......
氧化铪（HfO2）介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法，对几种制备方法进行了比较，并分析了各种制备方法......
分析了测定了钨粉和掺氧化铪和氧化铈钨粉致密化的膨胀数据。收缩特性曲线与Ｗ基体内添加的氧化物种类有关。通过分析等密度点移动与......
随着微电子工业的飞速发展,CMOS器件特征尺寸在不断缩小。传统的栅介质材料SiO2已经达到极限厚度而无法满足集成电路技术的要求。......
纳米铁电陶瓷作为填料能有效提高聚合物介电材料的的介电和储能性能,但是随着研究进展的深入,零维的颗粒状的纳米填料带来的性能逐......
红外辐射材料在红外加热、红外医疗、建筑功能材料等领域被广泛应用。而高温红外辐射材料则要求材料在红外波段具有较高的辐射和吸......
随着半导体工艺节点的不断缩小,现有存储技术将面临物理极限,亟需研发新型存储技术,推动存储器向更高密度、更低功耗和更快速度等......
用脉冲激光淀积（PLD）技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪（HfO2）薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光（PL）现......
采用电子束直接蒸发氧化铪、无辅助电子束反应蒸发和离子束辅助反应蒸发金属铪3种沉积方式制备了单层HfO2薄膜，对样品的光学性能、......
使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在......
芳烃和杂环芳烃化合物的碳碳键生成反应一直是有机化学和有机金属化学研究领域中的主要课题。作为其中方法之一的傅克烷基化反应,......
发展硅基自旋电子器件是当今半导体自旋电子学应用领域的研究热点之一。本论文围绕硅基自旋注入三端器件的研制为主线,重点开展了N......
电子枪蒸发制备了氧化铪薄膜,对氧离子束辅助和未辅助两种情况下的样品进行了折射率、吸收、激光损伤阈值等属性的测试,结果表明,......
宽带隙半导体材料和高介电常数材料是当今微电子领域的前沿研究课题。SiC是宽带隙半导体的核心材料之一，但其体材料制备较难、价格......
