退火效应相关论文
铁素体/奥氏体异种钢焊接接头是核电和火电装备中常见的接头形式。然而,由于此类异种钢焊接接头存在不均匀的材料组织和力学性能、......
对10位双极模数转换器(ADC)在不同偏压和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火效应进行了研究。结果显示：模数转换器对偏置条件和......
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波......
我们用掩膜法制备了FeCo/Al203/Co磁性隧道结,在室温下其制备的隧穿磁电阻为8.7﹪,经过200□的退火,磁电阻上升到13.8﹪;用TEM观察其结......
采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应.实......
作为一种典型的多铁材料,BiFe03(BFO)具有高于室温的铁电居里温度(Tc～830℃)和反铁磁奈尔温度(TN～370℃),是很有希望在室温下获得应......
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定......
由于晶体的对称性,体心立方金属的螺位错和刃位错的晶格摩擦力存在很大差异,这使体心立方金属的力学行为与面心立方金属存在差异。......
本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称......
应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于......
研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关......
通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点......
利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原......
比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内......
本文介绍了ＯＰ－０７双极运算放大器的６０Ｃｏγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及６０Ｃｏγ和电子辐射损伤在室温和１００℃高温条件下的退火效应，揭示了双......
Electrically active defects in the phosphor-doped single-crystal silicon induced by helium-ion irradiation under thermal......
基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注......
针对始终处于加电状态工作模式的半导体激光器,通过分析单个粒子对器件的辐射过程,将空间辐射效应离散的描述为所有单粒子造成辐射......
以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析......
锆钛酸铅薄膜材料因具有优异的铁电、压电、热释电等性能受到研究人员的广泛关注。以锆钛酸铅铁电薄膜为关键材料的传感器、存储器......
本文将正电子湮没技术用于等离子体喷涂的研究，测量了等离子体喷涂合金的缺陷以及缺陷的退火效应，观察到了正电子寿命的一些异常现象......
铁基非晶合金直流磁性的退火效应将Ｚｔｏ＄３Ａ非晶合金薄带在４３５ａＣ退人，保温５～２１（）ｔｌｌｌｌ，观察合金直流磁性的变化。实验结果表明：当退火保温ＳＩｎｉｎ时，制备过程中的应力即......
６４ＭｅＶ重离子(~)１９Ｆ辐照在ＧａＡｓ中产生的缺陷及其退火的正电子湮没研究罗起，范志国，郑胜男，勾振辉，李安利，王春瑞，朱升云采用正电子湮没寿命测量研究了６４ＭｅＶ......
用混合晶红外光谱法和ＳＡＸＳ、ＤＳＣ和ＬＡＭ等方法研究了聚乙烯单晶在７５℃、９０℃和１０５℃退火前后的结构变化，发现在９０℃以下和１０５℃以上退火，遵循不同的退火机制
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本文采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，研究了薄膜的高温真空退火效应．实验表明，退火后的薄膜具有较为理想的结晶取向和......
土耳其Cukurova大学物理系O.Nane等人对脉冲激光沉积法在MgO(100)基底上沉积的Bi2Sr2Ca1Cu2O8+σ薄膜后退火效应进行了研究,借助X-......
聚乙烯在不良溶剂中高温结晶时 ,往往在 { 2 0 0 }面形成弧形边 .因为不良溶剂的影响 ,此时形成的临界核长度较短 .这种薄的片晶在......
红外光谱是研究非晶硅中杂质含量及其和主晶格原子键合方式的重要方法。以α-Si中的氢为例,通过观测一个、两个或更多个氢原子和......
我们用椭圆偏光法研究了As~+注入Si的损伤和退火效应.逐层测定结果表明,对150keV、10~(16)/cm~2的As~+注入,已形成非晶质层,折射率......
MOSIC 比双极集成电路需要的电源电压高,双极 IC 的阈值电压约0.7伏,以前的MOS 的阈值电压就需3伏。互补型 MOS 阈值电压若近似3......
用AES详细观测了化学生成Si/S_1O_2系统在超高真空(UHV)中的退火变化.并对收录的俄歇直接谱进行了快速傅里叶变换(FET)退自卷积处......
本文研究由射频溅射法制备的非晶InP薄膜的光学性质及其退火效应.薄膜光学性质由椭圆偏振光谱法测量.退火是在300、350、400、420......
不同方法生长的ＩｎＳｂＭＩＳ结构的退火效应研究张钢（电子工业部第十一研究所北京１０００１５）本文介绍了采用等离子体ＣＶＤ和光致ＣＶＤ两种方法进行介质膜生长。在预处......
为了揭示冷却速度对铝硅合金中β相的大小及分布的影响,研究其凝固过程中的自退火效应,设计了一套实验装置并进行实验。对铝硅合金......
GaAs中子嬗变掺杂可得到均匀分布的掺杂剂,对制备大功率高速电子器件有特殊意义。在热中子作用下,GaAs嬗变为稳定的Ge和Se在晶体......
本文主要报导在中国科学院原子能研究所研究性重水反应堆內测量石墨电阻的技术,其中包括試样的輻照装置,电阻測量的方法,并詳細地......
2219铝合金经过焊接后出现了严重的软化,为了阐明焊后软化对焊接残余应力计算精度的影响,采用热-弹-塑性有限元计算方法模拟了2219......
为了比较研究退火效应对多层锗量子点光致发光(PL)的影响,我们利用固源分子束外延设备在550 ℃的生长温度下,在Si(001) 衬底上生长......
利用X射线对在不同负载条件下的VDMOS进行了辐射试验，观察到VDMOS不同的辐射行为，在较大的负载情况下，VDMOS阈值电压漂移发生了“......
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波......
