半导体薄膜相关论文
如何精确地测定薄膜的参数,一直是薄膜工作者非常关注的课题。本文针对半导体薄膜光学参数的测定问题,对目前分析薄膜光学参数的方......
ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光......
近年来,铟铝镓氮(InAlGaN)四元合金因其晶格常数和带隙可以独立调节而备受青睐,而生长温度对InAlGaN薄膜质量和性能有很大的影响.......
太阳能发电作为一种可再生的发电方式日益受到各个国家的重视。目前太阳能电池的制造成本依旧较高,主要集中在晶体生长和p-n结制造......
介绍了SHJ太阳电池研究背景、高效SHJ太阳电池用TCO薄膜研究进展、光电性能研究及应用，应用于高效SHJ太阳电池的TCO薄膜需要进一步......
GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD......
采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,金属镍为催化剂,在Si(111)衬底上成功制备出了大量的GaN纳米带.采用场发射扫描电镜(FESEM)、能......
用攀钢工业VO溶胶-凝胶为原料,采用不同涂膜方法、在不同衬底上制备出工业VO半导体薄膜.研究了薄膜的电阻率与各种因素的关系.结果......
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现至少......
利用脉冲激光沉积技术，选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材，在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究结果......
利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜结构，研究了该结构的发光特性。结果表明，在ZnO：Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边......
锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于......
稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研......
研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/S......
硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了......
基于长期的研究，提出了Li-N双受主共掺杂的方法，实现了低阻稳定的P型ZnO，进而制备出ZnO基同质p-n结LED， EL发光波长在380 nm附近，并较为......
ZnO因其独特的电学和光学性质而在短波长光电器件方面具有诱人的应用前景.但由于难以实现p型转变而限制了氧化锌基光电器件的开发......
Calculation of phase diagrams of epitaxial in AlxIn1-xAs/InP,AsxSb1-xAl/InP and AlxIn1-xSb/Insb film
The models of phase diagram calculation of semiconductor thin films with different substrates were proposed by consideri......
本文阐述了热电堆探测器的原理,利用ANSYS软件模拟了热电堆探测器的性能,阐述了采用微机械微机电方法制造热电堆探测的工艺过程,采......
Molly语言是由Veeco开发,可以实现对其MBE系统的复杂控制.本文论述了臬Molly语言实现对Gen-Ⅱ MBE系统的复杂控制,并举例说明了如......
本文在电阻式半导体薄膜气体传感器薄膜结构的基础上，提出了的具有三维敏感效应的薄膜结构模型,用简单的计算模型分析了薄膜气体传......
利用横向外延生长原理,对蓝宝石进行表面处理,并结合MOCVD薄膜生长技术,在蓝宝石衬底上生长低位错密度、优异光学性能的GaN薄膜。......
在高温CVD工艺中广泛采用高纯石墨材料作为感应加热器件及以衬底托,为了防止石墨材料在高温作用下污染反应腔体,使用前一般要对石......
采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,在Si(111)衬底上成功制备了GaN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显......
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，用于制备CIGS 太阳电池，单体电池的效率达到12.1﹪，小组件的效率达......
作者采用Sol-gel制备了nc-Si/SiO结构,并对其厚度、表面形貌和组分进行了分析,表明采用Sol-gel法制备SiO薄膜含有纳米量级的Si量子......
用光学方法研究半导体材料的物理性质,有其非常突出的优点.本文研究用偏振光调制方法测试半导体薄膜的光学性质和介电性能.......
本文报道用低压VCD方法在Si及SiCe/Si衬底上大面积、无坑洞SiC薄膜材料的制备技术及异质结构特征,提高n-SiC/p-Si异质结二极管反向......
免处理激光直接制版材料是数字化制版材料发展的重要趋势。本文将微纳米复合结构氧化物半导体具有光致浸润性变化这一特性,巧妙地......
用溶胶-凝胶法和静电自组装法相结合,成功地在普通载玻片上制备出掺铁的二氧化钛薄膜.用X射线衍射方法对所得样品作了结构表征与分......
本文报道了用化学源的硅基薄膜金属诱导晶化的试验结果.对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜,都能予以晶化.当用不同浓度化学源的金......
研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdInO薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质......
采用激光分子束外延技术,分别在非极性m面Sapphire和非极性m面ZnO缓冲层的Sapphire衬底上获得了外延的非极性m面AlN薄膜。从XRD中......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显......
会议
使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的......
会议
本文将Mg、F共掺SnO2，考察不同掺杂比例下对SnO2薄膜光电性质的影响，并探讨实现p-型非晶氧化物TFT的可行性。结果表明，采用Mg、F共掺......
单层的过渡族金属硫族化合物(TMD)近年来受到广泛的关注。在这类材料体系中，自旋、能谷以及层指数等自由度互相耦合，为我们提供了调......
近几年来,具有钙钛矿结构的有机-无机杂化卤化物受到了世界科研工作者的关注.这种钙钛矿结构的材料具有溶液可加工性和高电子迁移......
采用溶胶—凝胶方法,用La和Mn的环烷酸盐溶液在LaAlO(100)基底上合成了LaMnO薄膜(0.020.05时,薄膜发生了半导体到金属的转变,转变......
在半导体薄膜生长过程中,需要对半导体薄膜的特性(如薄膜应力、生长率、厚度、折射率等)进行实时检测,以实现对其生长过程进行精密......
二氧化钛薄膜作为光催化的理想材料，在环保领域有巨大的应用潜力，目前已经得到了广泛的研究。但由于TiO2为宽禁带半导体，对太阳光的利......
在过去的十年中，人们把多种功能薄膜材料(如钙钛矿锰氧化物、铁氧体、铁磁金属和合金等)生长在PMN-PT 铁电单晶衬底上，通过对PMN......
采用溶胶—凝胶方法,用La和Mn的环烷酸盐溶液在LaAlO(100)基底上合成了LaMnO薄膜(0.02...
光化学合成是一种重要的纳米材料合成方法,近来这种方法被引入用来合成半导体薄膜,其基本原理是通过紫外光辐照前躯溶液,溶液中光......
本文利用原位透射电子显微学技术，对Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程进行了原位研究，揭示了GeSbTe合金成分的改变对数据读写性......
本文通过对GeZ Sbz Te，非晶薄膜进行电子衍射实验，分析发现，当电子衍射数据中包含有非弹性散射等影响因素时，其RDF结果将受到极大......
