透明导电相关论文
随着以柔性能源、柔性显示、柔性传感为代表的柔性电子产业迅猛发展,其中核心部件之一柔性透明导电薄膜的高质量制造成为一个关键......
随着显示技术的不断发展和应用需求不断增长,透明导电薄膜成为研究的热点。尤其是氧化物透明导电薄膜如Sn O2基、Zn O基、In2O3基......
学位
目的通过第一性原理计算研究双钙钛矿Ba2BiTaO6的光电性质和缺陷特性。方法通过在钙钛矿的B位上引入具有“s孤对电子”的Bi原子生......
γ相碘化亚铜(γ-Cu I)是一种带隙为3.1 e V的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的铜......
期刊
Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃.......
报道了射频反应溅射制备的CdIn2O4薄膜（简称CIO膜）的光学、电学性质以及能带结构与退火处理的关系，包括透射率、折射率、消光系数和薄......
结合作者在聚合物发光器相关的若干问题的研究结果，评述新型可溶性导电高聚物、透明导电高聚物薄膜，多孔硅与导电高聚物异质结的研究......
采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 ......
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃上沉积SnF_2掺杂SnO_2(FTO)薄膜。研究了不同退火温度对FTO薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明......
氧化锌材料具有优异的光电特性,易于掺杂,近年来一直是半导体材料领域关注的热点。稀土元素钇掺杂氧化锌(YZO)薄膜属于新兴的研究......
采用脉冲激光沉积法在透明导电(ITO)玻璃衬底上制备(Bi,Er)_2Ti_2O_7介电薄膜。当沉积温度范围控制在500~600℃时,均可获得纯度较......
二氧化锡(SnO2)是一种重要的n-型半导体,其带隙宽度是3.6 eV,具有独特的物理和化学性能,目前被广泛的应用为透明导电氧化物材......
氧化镓（β-Ga2O3）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等......
21世纪以来,全球范围内的传统能源的日益短缺和环境污染日益严重,使得可再生能源特别是太阳电池产业的发展和研究得到迅速发展,在......
学位
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al 2O 3(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr 1-x Mg x O 2(x=0~0.08)系列薄膜。随Mg掺......
我们生活的世界有形形色色的事物和现象,其中都必定包含着“科学”的成分。在这些成分中,有些是你所熟知的,有些是你未知的,有些是......
采用电子束蒸发方法在透明导电玻璃FTO上沉积Ti金属薄膜,室温条件下在C2H6O2+NH4F中通过恒压阳极氧化法制备出超长TiO2纳米管阵列/......
在论述磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜研究意义的基础上,介绍了目前国内外有关采用磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜的研究现状,并展望......
金属薄膜在透明导电极、化学传感器、催化和光电器件等方面具有广泛应用.发展溶液加工技术可以大幅度降低金属薄膜的制作成本,灵活......
介绍了导电高分子的分类 ,并从导电高分子的氧化还原性、电化学性、掺杂 脱掺杂性等方面讨论了导电高分子在多种领域的应用
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用电子束蒸发制得了透明导电的ITO(indiumtin oxide)薄膜(厚3000—5000(?)),其方块电阻为4.5—20Ω/□,波长7000(?)时的透光率为80......
在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气......
一种制备ＶＯ_２薄膜的新技术尹大川，许念坎，郑修麟ＶＯ２薄膜在６８℃存在可逆的金属—绝缘体相变，在相交时表现出光学、电学性质的突变．该膜是一种新......
采用ＷＯ３陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜．介绍了制膜工艺．分析测试表明，膜有无定形结构；除有正常成分ＷＯ３外，还含有来自衬底及反应室内的微量杂......
本文探讨了近期内可能成为我国薄膜产业化新的增长点的薄膜产品；讨论了大面积连续镀膜的均匀性、缺陷以及对镀膜设备的要求；并对我国......
本文介绍了一种性能可调的新型节能材料—电致色薄膜，描述了以其为核心的全固态灵巧窗结构、工作原理和光学调节性能，回顾了电致色材......
采用射频溅射方法在Ａｒ＋ Ｏ２ 气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜，报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况......
用微波ＥＣＲ等离子体溅射技术制备透明导电ZnO（Ａ１）膜的工艺中，氧气和氩气的流量、膜的生长温度等因素相互制约并严重影响着膜的光电性能．实验......
本文研究了掺锑量对ＳｎＯ２∶Ｓｂ电热膜电阻温度特性的影响。发现高掺锑量的电热膜具有自限流和自限温特性，并分析了该特性对电热膜寿命的影响......
采用电子束和热蒸发分别制备了WO3和V2O5薄膜，研究了WO3薄膜的电化学、循环耐用性、电致变色特性，分析了V2O5薄膜的Li离子储存性能、......
简述了透明导电薄膜材料的研究现状与发展趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究......
采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分......
目前,透明导电的氧化铟锡(ITO)薄膜,广泛应用在平板显示、太阳能电池、发光二极管、特殊功能窗口涂层及其他光电领域.但是由于其在......
铜铁矿结构p型透明导电氧化物(transparent conducting oxide,TCO)薄膜是一类在电子学领域具有广泛应用前景的新材料,因其可与n-TC......
在氩、氮气氛下，采用直流弧光放电在，（ＩＴＯ）透明导电玻璃上沉积出碳薄膜，用电子显微镜（ＳＥＭ）和激光拉曼谱（ＲＡＭＡＮ）分析证实，该膜中含有大量布基管结构及自相......
利用磁控溅射,在玻璃基底上沉积了ITO∶Ta薄膜。研究了在不同衬底温度下ITO和ITO∶Ta薄膜的光电性能。高价金属元素Ta掺杂促进薄膜......
近年来,国外有些厂商研制了汽车用的全电子数字显示仪表。75年3月在日内瓦国际汽车博览会上,英国利兰公司展出了首次装用卢卡斯(L......
ZnO因其价格便宜、无毒等优点,最有希望替代昂贵的掺锡氧化铟ITO,但未掺杂ZnO是高阻材料,如何提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄......
ＩＴＯ膜主要受溅射过程中溅射参数的影响．本文分析和验证真空和大气退火也改善和提高ＩＴＯ的特性，根据我们的实验条件，本文主要研究退火工艺对ＩＴＯ膜......
采用减压蒸溜，０℃低温气相淀积法在聚酯（ＰＥＴ）基材上合成了聚乙烯醇－聚噻吩（ＰＶＡ－ＰＴｈ），获得性能优良的透明导电聚合物复合膜。研究了ＦｅＣｌ３和ＰＶＡ浓度配比、反应压......
透明导电薄膜被广泛应用于平板显示,太阳能电池等发光行业。透明导电薄膜厚度的减少将导电薄膜的用途大为拓展,目前该薄膜的制备仍......
