夹断电压相关论文
本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定......
对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的......
单片微波集成电路(MMIC)是通过在共用半绝缘衬底(现用GaAs)上装配无源和有源元件制成的。今天,GaAs MMIC因其集成度高、电路功能......
本文提出了一种奇次ＡＢ倍频器，并对Ａ倍频器、Ｂ倍频器进行了全面的理论分析，进一步完善了单栅ＭＥＳＦＥＴ的倍频理论。研制了Ｃ波段宽带ＭＥＳＦＥＴ三倍频器和二倍频......
本文从器件的几何、材料和工艺参数出发,获得了低功耗低噪声增强型(E型)GaAsMESFET(简称EFET,下同)模型的等效电路元件值.研究了器......
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电......
在一块印刷电路板上通过将自电光效应器件（ＳＥＥＤ）与ＧａＡｓ埸效应晶体管（ＦＥＴ）进行互连制作了一种简单的场效应晶体管－自电光效应器件（ＦＥＴ－ＳＥＥＤ）灵巧像素。这种灵巧......
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的......
对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）中宽基区、低增益ｐｎｐ晶体管与普通高增益晶体管之间的差异进行了综合分析，结果表明，ＩＧＢＴ的工作特性必须采用双极传输理论......
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果......
回顾了十年来国内外在ＧａＡｓＦＥＴ大信号模型方面的研究进展，提出了可用于ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的统一的精确沟道电流模型。
The research progress of GaAsFET l......
1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因F......
ＴＥＭＩＣ分公司Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ产小信号场效应管Ｎ沟道放大管ＴＯ－２２６ＡＡ（ＴＯ－９２），ＴＯ－２３６（ＳＯＴ－２３）元件型号夹断电压（Ｖ）最小值ＩＤＳＳ（ｍＡ）最小值最大值ｇｆｓ（ｍｓ）最小值最大值ＶＧＳ（ｏｆ）（Ｖ）最小值最大值栅极漏流（ｐＡ...
TEMIC Branch Sili......
对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。
The gate-dra......
本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助......
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受......
ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关，采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数，从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的......
从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和......
对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。
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场效应管具有可变电阻。采用场效应管对构成平衡式压控放大器,其非线性失真小,将其应用于超声测距仪可减轻近旁侧杂物造成的干扰,......
在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESF......
查询号：１８７ 数据转换系统的设计之所以是一 个难题，原因之一是系统精度很大程度上依赖于内部或外部ＤＣ电压基准所建立的电压精度。电压基准......
数字和模拟移相器在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出新颖的超宽带 90°、45°、2 2 .5°、1......
2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控......
把石英钟作为计时系统用到光记录短周期地震仪上,对石英钟的时、分号讯号系统只须作一点改进就可进行运用(已有文作介绍),可是,短......
场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分......
TriQuint半导体公司日前宣布了一项新的晶圆代工工艺,新工艺将使具有成本效益的毫米波应用成为可能。称为TQP15的150mm砷化镓(GaAs......
现如今我国的工业自动化程度也在不断的提高,VDMOS器件的重要性也不断的显现出来。针对我国当前的VDMOS发展现状,相关的学者也进行......
本文分析了用模拟式直流积分器作为跟踪记忆装置的缺点,提出了用电容作为记忆装置的想法了然后根据电容作为记忆装置存在的问题采......
恒流源允许负载电阻大幅度变化，而负载电流恒定不变，它是一种内阻很大的电源。在某些数控装置的检测系统中，有着广泛的应用。图1是由......
这篇文章讨论了一种正在发展中的新型场效应晶体管,它是从另一种场效应管——Tecnetron 发展过来的。它利用了向心收缩原理,并具有......
本文描述了一种确定砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)有源沟道基本性质的新方法。有效栅长、沟道厚度以及载流子浓度是......
单栅和双栅场效应晶体管倍频器通过分析和计算机模拟进行了研究,理论预测和试验结果充分吻合。研究表明双栅场效应晶体管倍频器所......
Ｗ波段多功能ＭＭＩＣ据《ＩＥＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅＭｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．ＳｙｍＰ．）报道，美国通信卫星实验室的Ｈ．Ｃ．Ｈｕａｎｇ等在同一块芯片上用两种不同的材料研制成一种新的９４ＧＨＺ多功能ＭＭＩＣ。该电路...
W-band multi-func......
Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...
Ku-band 8W GaAs internal matched microwave power FET Li Zuhua (Nanjing In......
南京固体器件研究所第七、第八次科研成果鉴定会分别于1981年12月21日～23日,25日～27日在南京举行。有31个单位参加了第七次鉴定会,有......
本文所述的功率 FET 与以前小信号用的 FET 不同,是一个电流垂直于半导体基片流动的纵向结构器件。其主要优点有:(1)脉冲响应特性......
本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种......
砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管,作为微波晶体管(简称GaAsSBFET)比现存的硅双极晶体管具有更低的噪声和更好的高频特性,而引人注......
做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率......
