溅射时间相关论文
TiO2以优异的光学透过率、高折射率、高介电常数、化学稳定性、较好的附着力和寿命以及光催化性能等,被应用于环保和建筑等领域。......
采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg2Si薄膜......
197726型货车轴承在厂修或段修中,有相当比例的滚子因变色而报废。本文对各类不同变色程度的滚子进行了多方面的实验研究。确认滚......
本文用X射线光电子能谱(XPS)对用1—羟基乙叉—1.1—二膦酸(HEDP)电抛光液时,当HEDP的浓度、电抛光液的pH值、和电抛光液中“接受......
利用直流溅射仪制备了纳米金薄膜,并通过随后的退火处理得到了纳米金颗粒,研究了不同衬底、溅射时间、退火温度及时间对纳米金颗粒......
纳米球刻蚀技术和磁控溅射方法在普通玻璃衬底上制备有序氧化锌(ZnO)纳米阵列。利用扫描电子显微镜对样品表面形貌进行了观测,并对......
采用直流反应磁控溅射法,通过改变溅射时间在304钢空心管上溅射氮化钛薄膜。采用数字显微镜、显微硬度计、万能材料试验机分别对薄......
以不同粒径的纳米晶氧化钛颗粒为原料,按照一定比例混合,制成TiO2浆料,将其涂敷在ITO-PEN导电聚合物基板上制成染料敏化太阳能电池......
二次溅射薄膜ＳｎＯ２／ＺｎＯ是一种有用的气敏材料，本文用内转换电子穆谱（ＣＥＭＳ）方法，研究了它的气敏特性，实验结果表明，穆谱参数（同质异能移ＩＳ和四极分裂ＱＳ）随溅射......
本文采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜。研究了氩气压、溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响。实验表明，反射率随氩气压升高而降低。矫......
研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环......
利用射频磁控溅射方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长ＺｒＯ２薄膜作为缓冲层，以阻止Ｓｉ与ＹＢＣＯ的反应，然后用直流磁控溅射方法，在其上做出了Ｔｃ为８５Ｋ的ＹＢＣＯ超导薄膜。该文对这种ＹＢＣＰ／ＺｒＯ２／Ｓｉ结......
运用溅射方法,通过控制溅射时间,氩气压强和Al_2O_3与Fe的比例,制备了粒子直径35A—90A的铁超微粒。并对超微粒的粒度进行了计算和......
本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和参数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超......
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了几种不同工艺制备的匀胶铬版表面、铬膜内部以及各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对......
采用胶体晶体模板方法,通过变换聚苯乙烯(PS)微球粒径和溅射时间制备了相同厚度的孔径1~5μm的Co反点阵列薄膜。利用扫描电子显微......
双极事业部五分厂在圆片生产过程中出现这样一个问题；“做完铝布线后发现电极孔接触电阻大”。这一问题对生产造成很大影响，阻碍了一......
本文应用 PHI550型多功能电子能谱仪对两种不同条件处理的 CuBe(O)发射体材料进行深度的剖面分析。同时给出在典型离子溅射条件下(......
本文叙述了用反应性溅射制备硫化锌薄膜的方法。在氩气和硫化氢混合气氛中,当直流辉光放电时,氩气溅射到纯锌阴极上,而在置于阳极......
一、序言(1)薄膜混合集成电路基于其本身的高精度,高稳定性,抗干扰和抗幅射的特点,加上半导体单片电路和薄膜电路新的集成技术的......
本文提出利用IMA测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移迁移率,研究了Na~+迁移率与温度......
用AES研究了P-InP与Au,Cr,Ti,Cr/Au和Ti/Pd/Au界面在热处理过程中的互扩散现象。结果表明:Au,Cr有内扩散现象发生,Ti,Pd层对内扩散......
测量了用高频溅射法生长的非晶碳化硅薄膜的室温拉曼谱.观察到在400—600cm~(-1)、700-1000cm~(-1)、1200—1600cm~(-1)处的三个宽......
我们已成功地发现了一种无潜象 TFEL 板的新结构,该显示板采用CaS 薄膜作为缓冲层,能减小亮度-电压特性的漂移,且与驱动方式无关。......
日本真空技术株式会社研制的Ａ２Ｋ装置可以有效地抑制ＤＣ溅射中的异常放电，而这在以往的传统方式ＤＣ溅射中是做不到的。在进行易于出现异常放电......
利用正交设计试验探讨了基体温度、偏压、溅射时间、沉积时间对ZL109表面沉积TiN涂层时,对薄膜显微硬度和膜/基结合力的影响。结果......
采用洛氏压痕法对涂层-基体结合力进行评估,利用PVD磁控溅射系统分别在3种不同硬度的45钢基体表面制备了ZrN涂层,通过不同载荷的洛......
研究了超级奥氏体不锈钢AL-6XN在500℃,550℃和600℃/25 MPa超临界水中的腐蚀行为,通过扫描电镜-电子能谱(SEM-EDX)、X射线衍射(XR......
采用碳酰胺高温分解产生含C、O、N源与氢化锆原位反应制备阻氢渗透层,借助俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对阻氢......
利用扫描电镜(SEM)、X射线光电子谱技术(XPS)、和X射线衍射(XRD)技术,分析了国产锻造态316LNSS在加氢高温高压水中浸泡480 h后表面......
在ITO玻璃基体上采用磁控溅射法制备用于电致变色玻璃的V2O5离子储存薄膜,重点研究了溅射时间(2~5 h)对V2O5薄膜结构与性能的影响......
我们在玻璃衬底上用磁控溅射的方法以不同的溅射时间（15、20、25、30min）沉积了氧化钒薄膜，我们发现随着溅射时间的增加，氧化钒薄膜的......
采用共溅射方法制备了Cu-In合金膜,并讨论了Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响.结果......
采用复合靶射频磁控溅射方法制备了ZnO／TiO2复合薄膜，对薄膜500℃退火处理2h。利用XRD和AFM对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表......
用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜，研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响。采用X射线衍射（XRD）对ZAO薄膜......
采用射频磁控溅射法在Cu箔基片上分别溅射5min、15min和25 min,制备了3种锂离子电池用Sn薄膜负极材料。通过XRD、SEM、ICP、恒电流......
本文基于脉冲激光沉积（PLD）方法及热退火处理方式，利用输出波长为1064nm的Nd：YAG脉冲激光器在P型Si（100）衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2......
采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底......
本文利用俄歇电子能谱(PHI-550)测得了经过不同时间间隔热处理的Au-Cu系统中铜在金薄膜内的浓度剖面。根据铜的浓度斟面及Hall公式......
为研究磁控溅射对纺织材料力学性能的影响,以涤纶长丝织物为基材,采用磁控溅射工艺,在不同镀膜时间下镀钛金属于涤纶织物,然后测试......
众所周知,在工业化进程越来越快的今天,在各个领域呈现出百花齐放的态势的同时,环境污染也成为了遏制经济的发展、影响着人类的正......
采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒（VO2）薄膜。研究了在300℃沉积温度下，不同溅射时间（5-35min）对V......
采用直流磁控溅射法在普通玻璃上制备了氧化钒薄膜，并对薄膜采取了450℃真空退火处理，分别测量了退火前后薄膜XRD图谱及电阻，比较了不......
